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硅栅 MOS 结构 Poly-Si/SiO_2 界面研究
1
作者
赵杰
魏同立
+1 位作者
张安康
赵梦碧
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1997年第4期38-43,共6页
利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等表面分析手段，对硅栅ＭＯＳ结构Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面进行分析，发现该界面不是突变的，存在着成份过渡区．根据多晶硅薄膜的成核理论，确定该过渡区形成的物理起源．...
利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等表面分析手段，对硅栅ＭＯＳ结构Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面进行分析，发现该界面不是突变的，存在着成份过渡区．根据多晶硅薄膜的成核理论，确定该过渡区形成的物理起源．利用Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ隧道发射和“幸运电子”模型。
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关键词
界面
热载流子
硅栅MOS结构
Poly-硅
二氧化硅
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职称材料
题名
硅栅 MOS 结构 Poly-Si/SiO_2 界面研究
1
作者
赵杰
魏同立
张安康
赵梦碧
机构
东南大学微电子中心
中国华晶电子集团理化分析中心
出处
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1997年第4期38-43,共6页
文摘
利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等表面分析手段，对硅栅ＭＯＳ结构Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面进行分析，发现该界面不是突变的，存在着成份过渡区．根据多晶硅薄膜的成核理论，确定该过渡区形成的物理起源．利用Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ隧道发射和“幸运电子”模型。
关键词
界面
热载流子
硅栅MOS结构
Poly-硅
二氧化硅
Keywords
Auger electron spectrometry
secondary ion mass spectroscopy
induction period
conductance
hot carrier
分类号
TN386.4 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
硅栅 MOS 结构 Poly-Si/SiO_2 界面研究
赵杰
魏同立
张安康
赵梦碧
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1997
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