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工作气压对ZnO:Mn薄膜结构特性的影响 被引量:3
1
作者 李彤 介琼 +2 位作者 张宇 倪晓昌 赵新为 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期711-715,共5页
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上沉积了一系列ZnO:Mn薄膜,结合Raman光谱、XRD衍射谱和SEM分析了工作气压对ZnO:Mn薄膜结构特性的影响。Raman拟合光谱显示,在工作气压从1 Pa增加至4 Pa的过程中,ZnO:Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构。但... 利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上沉积了一系列ZnO:Mn薄膜,结合Raman光谱、XRD衍射谱和SEM分析了工作气压对ZnO:Mn薄膜结构特性的影响。Raman拟合光谱显示,在工作气压从1 Pa增加至4 Pa的过程中,ZnO:Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构。但是,随着气压的降低,对应于E2(High)振动模式的Raman散射峰以及与Mn掺杂相关的特征峰左移,说明在低工作气压时,ZnO:Mn薄膜内晶格缺陷更多,晶格更加无序。这一结论也得到了XRD和SEM结果的证实。 展开更多
关键词 ZNO MN 拉曼 稀磁半导体
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中红外量子级联激光器的研究进展 被引量:6
2
作者 彭英才 赵新为 尚勇 《微纳电子技术》 CAS 2007年第9期845-852,共8页
以不同结构类型的有源区为主线,如三阱垂直跃迁有源区、超晶格有源区、应变补偿量子阱有源区、束缚-连续跃迁有源区和四阱双声子共振有源区等,介绍了半导体能带工程在量子级联激光器中的应用。以不同技术指标和特性参数为主要内容,如激... 以不同结构类型的有源区为主线,如三阱垂直跃迁有源区、超晶格有源区、应变补偿量子阱有源区、束缚-连续跃迁有源区和四阱双声子共振有源区等,介绍了半导体能带工程在量子级联激光器中的应用。以不同技术指标和特性参数为主要内容,如激射波长、阈值电流密度、工作温度和输出功率等,评述了量子级联激光器在近3~5年内的研究进展。提出了进一步改善器件性能的可能途径,并指出了其今后研究的新方向。 展开更多
关键词 能带工程 有源区结构 量子级联激光器 特性参数
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Mg2Si基热电材料的性能优化研究及其进展 被引量:2
3
作者 陈君 严磊 +2 位作者 王超 赵新为 闵忠华 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期753-760,共8页
Mg_2Si基半导体是重要的中温热电材料,具有原料丰富、价格低、无毒等优点;其载流子有效质量和迁移率均较高,有望获得优异的电性能,近年来倍受关注。该文综述了Mg_2Si基材料的研究进展,重点探讨了提高其热电性能的措施,对比了不同制备方... Mg_2Si基半导体是重要的中温热电材料,具有原料丰富、价格低、无毒等优点;其载流子有效质量和迁移率均较高,有望获得优异的电性能,近年来倍受关注。该文综述了Mg_2Si基材料的研究进展,重点探讨了提高其热电性能的措施,对比了不同制备方法的优缺点,最后指出了今后的研究方向。分析表明,目前研究主要集中在n型体系,应加强对p型材料的性能优化探索。掺杂对提高热电性能的效果更显著,通过制备工艺的优化,将掺杂和纳米化两种措施结合,可进一步有效优化。 展开更多
关键词 掺杂 MG2SI 纳米化 热电性能
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氧气含量对射频磁控溅射方法制备的NiO∶Cu/ZnO异质pn结的光电性能的影响 被引量:1
4
作者 李彤 EVARIST Mariam +4 位作者 王铁钢 陈佳楣 范其香 倪晓昌 赵新为 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期416-421,共6页
利用磁控溅射方法改变氧气含量制备了一系列NiO∶Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,氧含量对NiO∶Cu/ZnO异质pn结电学影响很大。相对于纯氩溅射,引入一定氧气(O2/(Ar+O2)比例为30%)后,NiO∶Cu/ZnO异质pn结的整流特性明显得到改善。与此同时... 利用磁控溅射方法改变氧气含量制备了一系列NiO∶Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,氧含量对NiO∶Cu/ZnO异质pn结电学影响很大。相对于纯氩溅射,引入一定氧气(O2/(Ar+O2)比例为30%)后,NiO∶Cu/ZnO异质pn结的整流特性明显得到改善。与此同时,NiO∶Cu/ZnO异质pn结的光透过率也从40%增大到80%。这可能是由于氧气的轻量引入致使NiO∶Cu/ZnO异质pn结的结晶得到改善,薄膜内缺陷减少所致。进一步提高氧气含量,直到O2/(Ar+O2)比例至80%后,异质结的整流特性有所削弱,这可能是由于过多氧气的引入造成薄膜缺陷再次增多,进而影响到异质结的整流特性。这一结论得到了EDS、XRD、AFM和UV结果的支持。 展开更多
关键词 NIO CU掺杂 异质pn结 磁控溅射 整流特性
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Mn掺杂对ZnO∶Mn薄膜结构特性的影响 被引量:1
5
作者 李彤 介琼 +2 位作者 张宇 倪晓昌 赵新为 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1167-1172,共6页
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO∶Mn薄膜。结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO∶Mn薄膜的结构特性。Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO∶Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随... 利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO∶Mn薄膜。结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO∶Mn薄膜的结构特性。Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO∶Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随着Mn掺杂浓度的增大,437 cm-1和527 cm-1位置上的Raman散射峰出现红移现象,说明Mn掺杂量的增加导致晶格更加无序,缺陷增多;当Mn摩尔分数达到15.8%时,647 cm-1处的Raman散射峰出现,暗示了MnO的产生,同时薄膜结晶质量变差。这一结论也得到了XRD和SEM结果的支持。 展开更多
关键词 ZNO MN 拉曼 稀磁半导体
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面向21世纪的纳米电子学 被引量:1
6
作者 彭英才 赵新为 傅广生 《微纳电子技术》 CAS 2006年第1期1-7,共7页
评论了纳米电子学的沿革路程,介绍了纳米电子学的研究内容,并预测了它的发展趋势。进而指出,纳米电子学的崛起与发展将会对21世纪的量子计算机、量子通信以及量子信息处理等产生革命性的影响。
关键词 纳米电子学 发展路径 量子化效应 纳米加工技术 纳米量子器件
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单电子器件制备技术的新进展 被引量:1
7
作者 彭英才 赵新为 《微纳电子技术》 CAS 2005年第5期202-208,共7页
介绍了近年内,以不同材料类型和结构形式为器件有源区的单电子晶体管在制备技术方面所取得的一些新进展。
关键词 单电子晶体管 器件有源区 制备技术 工作特性
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Na或Cu掺杂对Si/NiO异质结的光电性能影响
8
作者 李彤 王铁钢 +3 位作者 范其香 刘真真 王雅欣 赵新为 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期784-789,共6页
利用磁控溅射方法制备了引入Na或Cu元素前后Si/NiO异质结。实验结果表明,Na元素引入后的Si/NiO∶Na异质结的整流特性最佳。此时,Si/NiO∶Na异质结光学透过率可以达到70%,这可能是由于Si/NiO∶Na异质结的结晶质量较优、薄膜内缺陷少所致... 利用磁控溅射方法制备了引入Na或Cu元素前后Si/NiO异质结。实验结果表明,Na元素引入后的Si/NiO∶Na异质结的整流特性最佳。此时,Si/NiO∶Na异质结光学透过率可以达到70%,这可能是由于Si/NiO∶Na异质结的结晶质量较优、薄膜内缺陷少所致。Si/NiO∶Na异质结I-V曲线的拟合结果显示界面态状态也会影响其整流特性。而Si/NiO和Si/NiO∶Cu异质结都没能获得较好的整流特性,可能是薄膜内缺陷增多所致。这一结论得到了XRD、SEM、AFM和UV结果的支持。 展开更多
关键词 NIO Na掺杂 CU掺杂 异质结 整流特性
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补偿掺杂i层对n-ZnO/i-ZnO/p-Si薄膜太阳能电池性能影响的模拟研究 被引量:1
9
作者 林家辉 彭启才 赵新为 《西华大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第5期43-46,共4页
提出一种新型n-ZnO/i-ZnO/p-Si太阳能电池结构,使用AMPS软件对该结构太阳能电池进行了模拟研究,探索H,N杂质补偿掺杂形成本征i层对该结构太阳能电池的影响。研究发现在掺杂浓度为H=1.7×1017,N=2.8×1017时太阳能电池的转换效... 提出一种新型n-ZnO/i-ZnO/p-Si太阳能电池结构,使用AMPS软件对该结构太阳能电池进行了模拟研究,探索H,N杂质补偿掺杂形成本征i层对该结构太阳能电池的影响。研究发现在掺杂浓度为H=1.7×1017,N=2.8×1017时太阳能电池的转换效率可达15%,并对其转换机理进行了研究。 展开更多
关键词 太阳能电池 ZNO 补偿掺杂 复合率
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界面态对ZnO/AlSb太阳能电池性能影响的模拟研究
10
作者 杨顺洪 彭启才 +1 位作者 龚述娟 赵新为 《西华大学学报(自然科学版)》 CAS 2014年第1期31-34,55,共5页
运用AMPS软件对n-ZnO/i-AlSb/p-AlSb异质结太阳能电池的性能进行模拟,针对n/i异质结界面态对电池填充因子和转换效率的影响进行研究。结果表明,随着界面态密度增大,电池的填充因子和转换效率迅速下降,具体表现为界面态密度的增加促进光... 运用AMPS软件对n-ZnO/i-AlSb/p-AlSb异质结太阳能电池的性能进行模拟,针对n/i异质结界面态对电池填充因子和转换效率的影响进行研究。结果表明,随着界面态密度增大,电池的填充因子和转换效率迅速下降,具体表现为界面态密度的增加促进光生载流子的复合从而电池并联电阻减小,最终导致电池的转换效率降低。 展开更多
关键词 ALSB 异质结 界面态 太阳电池 计算机模拟
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电化学生长法制备薄膜阵列场致发射阴极的研究 被引量:1
11
作者 周清 岳卫民 +6 位作者 张莉 赵力斌 赵守珍 梁翠果 谢宝森 赵新为 周杏弟 《电子器件》 CAS 1994年第3期78-81,共4页
本文介绍一种制备薄膜场发射阵列阴极的新方法,这就是以玻璃为衬底的电化学生长法。文章给出了用这种方法生成的铜尖端阵列的形貌和结构,并给出了它的发射曲线。这些曲线表明,它们很好地与Foeler-Nordheim公式一致。
关键词 电化学生长法 场发射阵列 薄膜
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多孔硅场致发射特性研究
12
作者 周清 张莉 +6 位作者 赵新为 赵力斌 赵守珍 梁翠果 谢宝森 邱久文 付刚 《电子器件》 CAS 1994年第3期82-85,共4页
目前真空微电子使用的场致发射电子源主要是在硅衬底上采用腐蚀法和生长法得到的场发射阵列。这种方法在制造上难度较大,也很复杂。本文介绍用阳极化的方法制造多孔硅场发射阵列,并通过实验测定,用此法制造的场发射尖端阵列的发射曲... 目前真空微电子使用的场致发射电子源主要是在硅衬底上采用腐蚀法和生长法得到的场发射阵列。这种方法在制造上难度较大,也很复杂。本文介绍用阳极化的方法制造多孔硅场发射阵列,并通过实验测定,用此法制造的场发射尖端阵列的发射曲此,很好地符合Fowler-Nordheim公式。 展开更多
关键词 多孔 硅场发射 场发射阵列 多孔硅
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碳纳米管功能化改性聚偏氟乙烯介电复合材料的结构及性能 被引量:16
13
作者 陈林 刘虹财 +5 位作者 严磊 郭怡 林宏 蔺海兰 卞军 赵新为 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期126-131,共6页
以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体材料,再分别以酸化多壁碳纳米管(MWCNTs-COOH)和未酸化多壁碳纳米管(MWCNTs)为填料,通过熔融法制备了不同填料含量的MWCNTs-COOH/PVDF及MWCNTs/PVDF介电复合材料。分别采用红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、X射... 以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体材料,再分别以酸化多壁碳纳米管(MWCNTs-COOH)和未酸化多壁碳纳米管(MWCNTs)为填料,通过熔融法制备了不同填料含量的MWCNTs-COOH/PVDF及MWCNTs/PVDF介电复合材料。分别采用红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、拉伸性能测试、电性能测试、差示扫描量热分析(DSC)等方法系统研究了填料含量和碳纳米管酸化前后对复合材料的热性能、力学性能和电性能的影响。XRD测试表明,填料MWCNTs-COOH和MWCNTs的加入促进了PVDF中β晶的生成。力学性能分析表明,MWCNTs-COOH和PVDF形成的界面结合力更强,复合材料的力学强度更高,当MWCNTs-COOH的质量分数为12%时,复合材料的拉伸强度可达64.6 MPa,较纯PVDF提高了24%。介电性能分析表明:未酸化的多壁碳纳米管更容易在PVDF基中构成局部导电网络,促进电子位移极化,提高复合材料的介电常数,并在MWCNTs的质量分数为12%时达到渗流阈值,介电常数达到了286,是纯PVDF的36倍。DSC测试表明,随着填料的增加,介电复合材料的结晶温度、熔融温度和结晶度都相较于纯PVDF得到了提高。 展开更多
关键词 聚偏氟乙烯(PVDF) 多壁碳纳米管(MWCNTs) 热性能 力学性能 介电性能
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Mn、Co掺杂ZnO稀磁半导体的研究进展
14
作者 薛建 晏沪盈 +2 位作者 周廷栋 赵新为 毕美 《西华大学学报(自然科学版)》 CAS 2021年第6期75-82,共8页
ZnO稀磁半导体是目前最有希望集成到传统半导体中的一种新型材料,具有室温铁磁性能的ZnO稀磁半导体不仅可以大幅减小电子元器件的体积、提高集成密度,而且在传输效率上也有非常大的提升。目前,具有室温铁磁性能的ZnO稀磁半导体的制备方... ZnO稀磁半导体是目前最有希望集成到传统半导体中的一种新型材料,具有室温铁磁性能的ZnO稀磁半导体不仅可以大幅减小电子元器件的体积、提高集成密度,而且在传输效率上也有非常大的提升。目前,具有室温铁磁性能的ZnO稀磁半导体的制备方法可重复性差,且其磁性来源尚无统一理论解释。为了梳理不同实验方法制备出的ZnO稀磁半导体磁性能及其来源,本文对近10年来纯ZnO和Mn、Co单元素掺杂ZnO以及Mn、Co双元素共掺杂ZnO的制备方法、磁性能及磁性来源研究进行了综述,并认为:在制备过程中掺杂过渡金属离子对提升ZnO稀磁半导体室温铁磁性能有明显效果;在较低含量的Mn、Co掺杂ZnO体系中,可实现较稳定的室温铁磁性;要更好地理解磁性来源,必须从原子尺度通过理论计算与实验相结合的方式进行探索。 展开更多
关键词 ZNO 稀磁半导体 室温铁磁性 掺杂
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Blue Luminescent Properties of Silicon Nanowires Grown by a Solid-Liquid-Solid Method 被引量:1
15
作者 彭英才 范志东 +3 位作者 白振华 赵新为 娄建忠 程旭 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2010年第5期234-236,共3页
Silicon nanowires (SiNWs) were grown directly from n-(111) single-crystal silicon (c-Si) substrate based on a solid- liquid-solid mechanism, and Au film was used as a metallic catalyst. The room temperature phot... Silicon nanowires (SiNWs) were grown directly from n-(111) single-crystal silicon (c-Si) substrate based on a solid- liquid-solid mechanism, and Au film was used as a metallic catalyst. The room temperature photoluminescence properties of SiNWs were observed by an Xe lamp with an exciting wavelength of 350 nm. The results show that the SiNWs exhibit a strongly blue luminescent band in the wavelength range 40-480 nm at an emission peak position of 420 nm. The luminescent mechanism of SiNWs indicates that the blue luminescence is attributed to the oxygen-related defects, which are in SiOx amorphous oxide shells around the crystalline core of SiNWs. 展开更多
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