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题名小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟
被引量：1
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作者
赵守磊
李惠军
吴胜龙
刘岩
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机构
山东大学孟完微电子研发中心
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2008年第4期193-197,共5页
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文摘
基于通信系统中射频电路设计的特殊要求,对小尺寸(基区宽度低于100nm)、超高频(特征频率高于15GHz)双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟,为工艺线流片进行可行性研究。该器件采用BiCMOS制程结构实现,在对小尺寸、超高频双极性器件物理模型进行详尽分析的基础上,实现了该器件工艺级(Sentaurus Process)及器件物理特性级(Sentaurus Device)的仿真,提出TCAD工艺及器件的一体化设计方案。模拟结果表明,在高频指标参数17GHz下,所得β值接近于80,满足设计要求。
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关键词
小尺寸
双极器件
频率特性
工艺仿真
特性模拟
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Keywords
small-scale
bipolar device
frequency simulation characteristics
processing simulation
characteristic
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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题名基于SWB环境下的nm级NMOS虚拟优化
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作者
吴胜龙
刘岩
赵守磊
李惠军
于英霞
张宪敏
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机构
山东大学孟壳微电子研发中心
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2008年第3期140-144,共5页
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文摘
介绍了Synopsys Inc.推出的新一代(第五代)nm级TCAD仿真平台--Sentaurus Work-bench(SWB)的系统结构、基本功能及其优化功能,重点介绍了SWB的DOE及RSM优化机制。基于SWB环境实现了nm级NMOS集成化管芯的可制造性设计及优化。在对NMOS集成化管芯的设计过程中,围绕Vt进行了可制造性设计,利用DOE试验方法和RSM对Vt进行了优化,得到了阈值电压(Vt)和调阈值注入剂量(Vt_Dose)、能量(Vt_Energy)及抑制穿通注入剂量(PNCH_Dose)、能量(PNCH_Energy)之间的RSM响应表面关系。在此基础上,分析了Vt各影响因素与Vt之间的关系,从而指导了在Vt的设计过程中各个主要影响参数的选取。
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关键词
纳米层次
可制造性设计
虚拟工厂
工艺优化
集成电路
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Keywords
nano-level
design for manufacturing
virtual factory
process optimization
integrated circuit
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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