高聚物粘结炸药试件应力状态的超声法测试技术 被引量：8

1

作者 张伟斌 赵北君 +3 位作者 田勇 黄辉 朱世富 杨占锋 《含能材料》 EI CAS CSCD 2006年第2期136-138,共3页

在加载情况下,采用超声波法对高聚物粘结炸药PBX-9003应力状态进行了测试,获得了PBX-9003炸药试件声弹性参数。结果表明,炸药在受到较大应力作用时超声波在炸药件内部传播速度有明显变化,采用超声测得的应力接近实验所施的载荷(应力),... 在加载情况下,采用超声波法对高聚物粘结炸药PBX-9003应力状态进行了测试,获得了PBX-9003炸药试件声弹性参数。结果表明,炸药在受到较大应力作用时超声波在炸药件内部传播速度有明显变化,采用超声测得的应力接近实验所施的载荷(应力),验证了在大应力作用下超声波法无损测定炸药实际构件载荷应力的可行性。 展开更多

关键词 超声学 PBX-9003炸药 应力 声弹性常数 超声测试

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PBX粉末成形的数值模拟研究 被引量：11

2

作者 张涛 赵北君 +2 位作者 朱世富 李凯 雍志华 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期68-72,共5页

运用有限元软件MSC.Marc,采用基于更新拉各朗日方法的热-机耦合分析法对高聚物黏结炸药(PBX)粉末温压成形过程进行了数值模拟。获得了粉末体几何形变、应力场及相对密度分布等相关数据,其大小和实验测得数据在同一个数量级。结果表明:... 运用有限元软件MSC.Marc,采用基于更新拉各朗日方法的热-机耦合分析法对高聚物黏结炸药(PBX)粉末温压成形过程进行了数值模拟。获得了粉末体几何形变、应力场及相对密度分布等相关数据,其大小和实验测得数据在同一个数量级。结果表明:随着成形压力的增加,PBX内应力,粉末位移以及相对密度都呈增大的趋势,粉末在压制过程中的流动性规律为其实际成形中工艺参数的改善和优化提供了理论依据。 展开更多

关键词 PBX粉末成形 数值模拟 热-机耦合

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两温区气相输运温度振荡法合成AgGaS_2多晶材料 被引量：5

3

作者 张建军 朱世富 +5 位作者 赵北君 王瑞林 李一春 陈宝军 黎明 刘娟 《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期73-76,共4页

根据对Ag2S-Ga2S3赝二元相图的分析,采用同成分点配料,分别采用一种新方法———两温区气相输运温度振荡法和普通气相输运法合成AgGaS2多晶材料。通过XRD对合成AgGaS2多晶的分析,结果发现:新方法合成的原料纯度及均匀性优于普通气相输... 根据对Ag2S-Ga2S3赝二元相图的分析,采用同成分点配料,分别采用一种新方法———两温区气相输运温度振荡法和普通气相输运法合成AgGaS2多晶材料。通过XRD对合成AgGaS2多晶的分析,结果发现:新方法合成的原料纯度及均匀性优于普通气相输运法合成的样品。晶体生长实验表明:新方法合成的AgGaS2多晶材料生长出的单晶外观完整、无裂纹,红外透过率达67%,而普通气相输运法合成的多晶材料生长出的单晶体红外透过率36%。因此,两温区气相输运温度振荡法是合成高质量AgGaS2多晶材料的一种较好的新方法。 展开更多

关键词 硫镓银 多晶合成 两温区 气相输运 温度振荡

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X射线法测量粘结炸药的残余应力 被引量：5

4

作者 雍志华 朱世富 +3 位作者 赵北君 陈靖华 张伟斌 韦兴文 《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期101-105,共5页

用X射线衍射法测量了高聚物粘结炸药(PBX)的残余应力,在2θ=72.5°附近发现三氨基三硝基苯(TATB)的新衍射峰,测出PBX的残余应力均为拉应力,大小约几个兆帕,边缘位置应力大于中心部位,对样品进行热处理或放置一段时间后应力减小,不... 用X射线衍射法测量了高聚物粘结炸药(PBX)的残余应力,在2θ=72.5°附近发现三氨基三硝基苯(TATB)的新衍射峰,测出PBX的残余应力均为拉应力,大小约几个兆帕,边缘位置应力大于中心部位,对样品进行热处理或放置一段时间后应力减小,不同成型压力PBX的晶粒尺寸有差异。实验结果表明,X射线衍射法测量PBX的残余应力是一种方便有效的方法,对PBX残余应力的研究及其应用具有重要意义。 展开更多

关键词 高聚物粘结炸药 X射线衍射法 残余应力 应力分布 热处理

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磷锗锌(ZnGeP_2)单晶体生长研究 被引量：3

5

作者 赵欣 朱世富 +5 位作者 赵北君 杨慧光 孙永强 程江 陈宝军 何知宇 《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期101-104,共4页

以高纯(6N)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%~0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和机械振荡技术合成出单相致密的ZnGeP2多晶原料。以此为原料,采用改进的垂直布里奇曼法(VBM)生长出尺寸为Φ... 以高纯(6N)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%~0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和机械振荡技术合成出单相致密的ZnGeP2多晶原料。以此为原料,采用改进的垂直布里奇曼法(VBM)生长出尺寸为Φ15 mm×25 mm的ZnGeP2单晶体,呈黑灰色,外观完整、无裂纹。对晶体进行解理试验发现,其存在(112)和(101)两个易解理面;对10×10×2 mm3ZnGeP2晶片,采用同成分粉末包裹,在550~600℃真空退火后,经红外透过率测试结果显示:在2~12μm波段内红外透过率可达55%以上。 展开更多

关键词 磷锗锌 单晶生长 垂直布里奇曼法 X射线衍射 红外透过率

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通过退火研究ZnGeP_2晶体中点缺陷与红外透过率的关系 被引量：2

6

作者 程江 朱世富 +6 位作者 赵北君 赵欣 陈宝军 何知宇 杨慧光 孙永强 张羽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期372-375,共4页

以富P2‰配比合成的ZnGeP2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和I-V曲线表明,生长的ZnGeP2晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×106Ω.cm。经定向切割后,得到10mm×10mm×2mm的ZnGeP2晶片,分别置... 以富P2‰配比合成的ZnGeP2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和I-V曲线表明,生长的ZnGeP2晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×106Ω.cm。经定向切割后,得到10mm×10mm×2mm的ZnGeP2晶片,分别置于高纯红磷和ZnGeP2同成分粉末的氛围,在550℃进行退火处理。结果表明,P气氛中退火,晶片红外透过率的提高不明显;而在ZnGeP2粉末包裹氛围中退火,晶片的红外透过率在短波范围内得到了有效提高,在2～10μm波段则提高到近60%左右,说明VZ-n对该条件下生长的ZnGeP2单晶红外透过率影响较大,而V0P的影响较小。 展开更多

关键词 磷锗锌 点缺陷 退火 红外透过率

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对低温下制得的CdS薄膜电学性质的研究 被引量：2

7

作者 陈婷婷 王瑞林 +3 位作者 姜春萍 赵北君 朱世富 王育伟 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期746-748,共3页

采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射(XRD)仪确定退火后的样品是六方相,在(002)、(112)和(004)方向优势生长;使用紫外-可见分光光度计发现各样品的光学性质符合... 采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射(XRD)仪确定退火后的样品是六方相,在(002)、(112)和(004)方向优势生长;使用紫外-可见分光光度计发现各样品的光学性质符合硫化镉作为窗口材料的要求;利用原子力显微镜发现各样品的晶粒形状、均匀性和致密性差异较大;利用化学工作站进行样品的电容-电压测试发现,各样品的掺杂浓度差异很大,其中有的样品掺杂浓度为1.2×1017cm-3,这样的掺杂浓度适合制造光电器件。 展开更多

关键词 CDS薄膜 化学水浴沉积法(CBD) 电容-电压测试

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纳米Ni粉对WC-8Ni硬质合金性能的影响 被引量：1

8

作者 雍志华 汪仕元 +3 位作者 李娟 梁雅庭 朱世富 赵北君 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期56-58,共3页

将WC-8Ni硬质合金中的粘结剂用不同比例的纳米镍Ni粉替代,采用常规硬质合金的工艺制备出合金试样,测试其物理力学性能,研究不同比例的纳米Ni粉及不同的烧结温度对合金性能的影响。结果表明,在适当比例的纳米镍粉及烧结温度下,合金的性... 将WC-8Ni硬质合金中的粘结剂用不同比例的纳米镍Ni粉替代,采用常规硬质合金的工艺制备出合金试样,测试其物理力学性能,研究不同比例的纳米Ni粉及不同的烧结温度对合金性能的影响。结果表明,在适当比例的纳米镍粉及烧结温度下,合金的性能得到很大的提高。 展开更多

关键词 纳米镍粉 WC硬质合金 物理性能 力学性能

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AgGa_(1-x)In_xSe_2单晶体生长及结构性能研究 被引量：1

9

作者 黄毅 赵北君 +5 位作者 朱世富 赵国栋 朱伟林 徐承福 万书权 何知宇 《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期107-110,共4页

采用改进Bridgman法生长出外观完整的尺寸为Φ15 mm×35 mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭。其晶格常数为a=0.60125 nm,c=1.10243 nm,为黄铜矿结构,与标准PDF卡片(No.35-1095)吻合。X射线粉末衍射谱图的谱峰尖锐,无杂峰,表明得到的Ag... 采用改进Bridgman法生长出外观完整的尺寸为Φ15 mm×35 mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭。其晶格常数为a=0.60125 nm,c=1.10243 nm,为黄铜矿结构,与标准PDF卡片(No.35-1095)吻合。X射线粉末衍射谱图的谱峰尖锐,无杂峰,表明得到的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭的结晶状态好。对晶锭沿自然显露面解理取样后经X射线衍射发现晶体的自然显露面为(101)面,并观测到{101}晶面族的四级衍射峰,其回摆峰尖锐且半峰宽窄,表明晶体的结晶性完好并且结构完整,同时证实沿(101)晶面自然显露是AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体生长习性的一种体现。DSC-TG分析表明晶体的熔点和凝固点分别为822.67℃和801.58℃,总失重约为2.027%。 展开更多

关键词 硒铟镓银 红外非线性光学晶体 单晶锭 黄铜矿

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CdSe单晶的正电子寿命研究

10

作者 任锐 赵北君 +4 位作者 朱世富 何知宇 罗政纯 李艺星 温才 《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 2004年第6期59-61,65,共4页

利用正电子湮没方法对CdSe单晶中的缺陷进行了研究,通过对不同温度下退火样品正电子湮没寿命的测试分析,表明:在CdSe晶体中存在的点缺陷主要是占优势的镉空位。由正电子湮没寿命和退火温度的关系,研究了硒化镉单晶退火时空位的迁移、合... 利用正电子湮没方法对CdSe单晶中的缺陷进行了研究,通过对不同温度下退火样品正电子湮没寿命的测试分析,表明:在CdSe晶体中存在的点缺陷主要是占优势的镉空位。由正电子湮没寿命和退火温度的关系,研究了硒化镉单晶退火时空位的迁移、合并及消失情况,确定出能减小生长中形成的空位性缺陷浓度并获得较为完整的晶格的最佳退火温度范围为650～800℃。 展开更多

关键词 CDSE 晶体缺陷 正电子 湮没寿命 退火

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红外非线性光学晶体硒镓银的生长及性质观测

11

作者 朱世富 赵北君 +3 位作者 刘军 李正辉 江洪安 李伟堂 《应用科学学报》 CAS CSCD 1996年第4期437-440,共4页

用改进的布里奇曼法在两温区立式炉中生长出２０×５５ｍｍ硒镓银单晶体．晶体外观无裂纹，完整性好．将晶体沿（１０１）面解理，加工制成１０ｍｍ×１０ｍｍ×９ｍｍ测试样品，在红外显微镜下观察，晶体内部均匀，包裹体... 用改进的布里奇曼法在两温区立式炉中生长出２０×５５ｍｍ硒镓银单晶体．晶体外观无裂纹，完整性好．将晶体沿（１０１）面解理，加工制成１０ｍｍ×１０ｍｍ×９ｍｍ测试样品，在红外显微镜下观察，晶体内部均匀，包裹体及其它缺陷较少．晶体红外透射率在１０．６μｍ附近达６２％．吸收系数为０．０５ｃｍ－１．并对晶体热蚀坑和腐蚀条纹进行了扫描电镜观察． 展开更多

关键词 红外光学材料 AgGaSe晶体 生长 化合物半导体

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贮氚非晶态锆钒合金膜中的氦释放行为

12

作者 郝万立 丁伟 +3 位作者 程贵钧 龙兴贵 赵北君 彭述明 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期987-991,共5页

用热解吸和静态贮存方法对贮氚非晶态ZrV2合金膜中3 He的释放行为进行了系统分析。结果显示:3 He原子存在597.3、725.8和1 146.6K等3个解吸峰,其中第3解吸峰的解吸量最大,是由非晶态基体中的3 He释放形成;在长达2 423d的静态贮存期间,... 用热解吸和静态贮存方法对贮氚非晶态ZrV2合金膜中3 He的释放行为进行了系统分析。结果显示:3 He原子存在597.3、725.8和1 146.6K等3个解吸峰,其中第3解吸峰的解吸量最大,是由非晶态基体中的3 He释放形成;在长达2 423d的静态贮存期间,非晶膜中3 He原子的释放系数始终在10-5量级范围内波动并呈线性上升趋势,但仍未加速释放;贮存温度变化会引起释放系数剧烈波动;与贮氚晶态ZrV2合金膜相比,非晶膜的固氦能力显著增强。上述结果初步证实了非晶合金具有良好的固氦性能,这有助于人们从全新视角认识材料中的氦行为。 展开更多

关键词 贮氚非晶态ZrV2合金膜 热解吸 静态贮存 固氦性能

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AgGa_(0.6)In_(0.4)Se_2晶体的制备与表征

13

作者 万书权 朱世富 +4 位作者 赵北君 陈宝军 何知宇 许建华 刘勇 《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期194-197,共4页

以高纯单质为原料,按AgGa1-xInxSe2（x=0.4）化学计量配比配料（富1%Se）,在双层石英安瓿中,用机械和温度振荡相结合的方法,合成出高纯单相多晶料。差热分析表明,其熔点和凝固点分别为804.3℃和775.6℃。采用带有籽晶袋、内壁镀碳的双... 以高纯单质为原料,按AgGa1-xInxSe2（x=0.4）化学计量配比配料（富1%Se）,在双层石英安瓿中,用机械和温度振荡相结合的方法,合成出高纯单相多晶料。差热分析表明,其熔点和凝固点分别为804.3℃和775.6℃。采用带有籽晶袋、内壁镀碳的双层石英安瓿,用改进的垂直布里奇曼法生长出尺寸为Φ20 mm×60 mm、结构完整的AgGa0.6In0.4Se2单晶体。经X射线衍射仪和红外分光光度计等分析表明,晶体为黄铜矿结构,晶格常数为a=0.602 32 nm,c=1.118 33 nm,其显露面和易解理面为（112）面;厚度约为2 mm的晶片在波长0.836~19.65μm范围内透过率接近或超过60%,禁带宽度约为1.48 eV。结果表明,改进方法生长的AgGa1-xInxSe2晶体的结构完整,光学质量高,可用于中远红外非线性光学器件制备。 展开更多

关键词 硒铟镓银 单晶 性能表征 光学材料

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辐照对高分子磁体/M型铁氧体复合物电磁性能的影响

14

作者 林云 朱世富 +1 位作者 赵北君 林展如 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期224-228,共5页

报道了在60Coγ辐照下二茂铁高分子磁体/M型六角晶系铁氧体复合物(简称OPM/M型)辐照剂量、组分配比、温度对复合物电磁参数的影响,并用IR差示光谱、SEM(电子扫描显微镜)研究了辐照剂量对复合物的降解与交联之影响。研究表明,适当的辐照... 报道了在60Coγ辐照下二茂铁高分子磁体/M型六角晶系铁氧体复合物(简称OPM/M型)辐照剂量、组分配比、温度对复合物电磁参数的影响,并用IR差示光谱、SEM(电子扫描显微镜)研究了辐照剂量对复合物的降解与交联之影响。研究表明,适当的辐照剂量及组分配比可控制复合物的电磁参数,并有可能获得一种用于0.1-12GHz下的轻质和良好吸波特性的新型吸波剂。 展开更多

关键词 辐照 高分子磁体 铁氧体复合物 电磁参数

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等离子束辅助沉积制备ZnO薄膜的特性研究

15

作者 甄万宝 朱世富 +2 位作者 赵北君 宋志棠 封松林 《四川大学学报（工程科学版）》 EI CAS CSCD 2004年第6期77-81,共5页

采用等离子束辅助沉积的方法在n-Si(001)衬底上制备出ZnO薄膜。X射线衍射谱显示,所制备的ZnO薄膜有较强的(002)晶面衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的,并且随着退火温度升高,晶粒逐渐增大,衍射峰逐渐增强。光致发光谱测量发现,样... 采用等离子束辅助沉积的方法在n-Si(001)衬底上制备出ZnO薄膜。X射线衍射谱显示,所制备的ZnO薄膜有较强的(002)晶面衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的,并且随着退火温度升高,晶粒逐渐增大,衍射峰逐渐增强。光致发光谱测量发现,样品分别在3.28eV和2.48eV存在紫外发射和深能级发射两个较强的发射峰,并且随着退火温度升高,深能级发射逐渐减弱,紫外发射峰得到进一步改善。四探针测试电阻率结果表明,随着退火温度的升高,ZnO薄膜的电阻率呈线性增加。 展开更多

关键词 等离子束辅助沉积 光致发光 ZNO薄膜

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CZT单晶生长过程中的Zn分凝现象研究 被引量：1

16

作者 李新磊 赵北君 +5 位作者 朱世富 邱春丽 王智贤 丁群 何知宇 陈宝军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期376-378,382,共4页

采用改进的Bridgman法生长出Φ20mm×40mm、外表无裂纹的Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体。沿晶锭轴向每隔1.2cm取点,进行EDX、XRD测试。在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值发生了偏离,随晶体生长过程呈现递减趋势,分析表明是由于Zn的分凝... 采用改进的Bridgman法生长出Φ20mm×40mm、外表无裂纹的Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体。沿晶锭轴向每隔1.2cm取点,进行EDX、XRD测试。在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值发生了偏离,随晶体生长过程呈现递减趋势,分析表明是由于Zn的分凝所引起。对XRD粉末衍射测试的结果进行结构分析,计算出上述不同位置的晶胞常数变化规律呈现递增趋势,表明Zn含量呈现递减趋势,与EDX实验结果一致。 展开更多

关键词 碲锌镉 电子能谱分析 锌分凝 晶格常数

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CdGeAs_2晶体的蚀坑形貌观察

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作者 邓江辉 赵北君 +3 位作者 朱世富 何知宇 郭楠 李佳伟 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期74-76,81,共4页

采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉(CdGeAs2)单晶片(101)面蚀坑形貌。选择机械研磨、物理抛光及质量分数为3%溴甲醇在室温下对晶片化学抛光1min左右的工艺,获得了表面平整无划痕的CdGeAs... 采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉(CdGeAs2)单晶片(101)面蚀坑形貌。选择机械研磨、物理抛光及质量分数为3%溴甲醇在室温下对晶片化学抛光1min左右的工艺,获得了表面平整无划痕的CdGeAs2晶片。报道了一种新的CGA晶体择优腐蚀剂,其组成为HCl∶HNO3∶H2O=1∶1∶1(体积比),室温下腐蚀晶片30s左右后在金相显微镜和扫描电镜下观察到CdGeAs2晶体(101)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌呈取向一致的等腰三角形,边界清晰,具有立体感,并从理论上分析讨论了(101)面三角形蚀坑的形成原因。 展开更多

关键词 非线性红外光学晶体 砷锗镉 腐蚀剂 蚀坑形貌

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Room temperature HgI_2 nuclear radiation detector

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作者 李伟堂 李正辉 +6 位作者 朱世富 银淑君 赵北君 陈观雄 彭秀峰 何福庆 龙先灌 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 1996年第1期48-51,共4页

Ｒｏｏｍ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ＨｇＩ＿２　ｎｕｃｌｅａｒ　ｒａｄｉａｔｉｏｎ　ｄｅｔｅｃｔｏｒＬｉＷｅｉ－Ｔａｎｇ（李伟堂），ＬｉＺｈｅｎｇ－Ｈｕｉ（李正辉），ＺｈｕＳｈｉ－Ｆｕ（朱世富），ＹｉｎＳｈｕ－Ｊｕｎ（... Ｒｏｏｍ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ＨｇＩ＿２　ｎｕｃｌｅａｒ　ｒａｄｉａｔｉｏｎ　ｄｅｔｅｃｔｏｒＬｉＷｅｉ－Ｔａｎｇ（李伟堂），ＬｉＺｈｅｎｇ－Ｈｕｉ（李正辉），ＺｈｕＳｈｉ－Ｆｕ（朱世富），ＹｉｎＳｈｕ－Ｊｕｎ（银淑君），ＺｈａｏＢｅｉ－Ｊｕｎ（... 展开更多

关键词 温度核辐照探测器 HgI2 室温

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Single Crystal Si Layers on Glass Fabricated by Hydrophilic Fusion Bonding and Smart-Cut Technology

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作者 甄万宝 刘卫丽 +3 位作者 宋志棠 封松林 朱世富 赵北君 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2004年第12期2540-2542,共3页

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