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电化学生长法制备薄膜阵列场致发射阴极的研究
被引量：
1
1
作者
周清
岳卫民
+6 位作者
张莉
赵力斌
赵守珍
梁翠果
谢宝森
赵新为
周杏弟
《电子器件》
CAS
1994年第3期78-81,共4页
本文介绍一种制备薄膜场发射阵列阴极的新方法，这就是以玻璃为衬底的电化学生长法。文章给出了用这种方法生成的铜尖端阵列的形貌和结构，并给出了它的发射曲线。这些曲线表明，它们很好地与Ｆｏｅｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ公式一致。
关键词
电化学生长法
场发射阵列
薄膜
在线阅读
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职称材料
多孔硅场致发射特性研究
2
作者
周清
张莉
+6 位作者
赵新为
赵力斌
赵守珍
梁翠果
谢宝森
邱久文
付刚
《电子器件》
CAS
1994年第3期82-85,共4页
目前真空微电子使用的场致发射电子源主要是在硅衬底上采用腐蚀法和生长法得到的场发射阵列。这种方法在制造上难度较大，也很复杂。本文介绍用阳极化的方法制造多孔硅场发射阵列，并通过实验测定，用此法制造的场发射尖端阵列的发射曲...
目前真空微电子使用的场致发射电子源主要是在硅衬底上采用腐蚀法和生长法得到的场发射阵列。这种方法在制造上难度较大，也很复杂。本文介绍用阳极化的方法制造多孔硅场发射阵列，并通过实验测定，用此法制造的场发射尖端阵列的发射曲此，很好地符合Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ公式。
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关键词
多孔
硅场发射
场发射阵列
多孔硅
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职称材料
题名
电化学生长法制备薄膜阵列场致发射阴极的研究
被引量：
1
1
作者
周清
岳卫民
张莉
赵力斌
赵守珍
梁翠果
谢宝森
赵新为
周杏弟
机构
南开大学电子科学系
出处
《电子器件》
CAS
1994年第3期78-81,共4页
文摘
本文介绍一种制备薄膜场发射阵列阴极的新方法，这就是以玻璃为衬底的电化学生长法。文章给出了用这种方法生成的铜尖端阵列的形貌和结构，并给出了它的发射曲线。这些曲线表明，它们很好地与Ｆｏｅｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ公式一致。
关键词
电化学生长法
场发射阵列
薄膜
分类号
TN305.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
多孔硅场致发射特性研究
2
作者
周清
张莉
赵新为
赵力斌
赵守珍
梁翠果
谢宝森
邱久文
付刚
机构
南开大学电子科学系
出处
《电子器件》
CAS
1994年第3期82-85,共4页
文摘
目前真空微电子使用的场致发射电子源主要是在硅衬底上采用腐蚀法和生长法得到的场发射阵列。这种方法在制造上难度较大，也很复杂。本文介绍用阳极化的方法制造多孔硅场发射阵列，并通过实验测定，用此法制造的场发射尖端阵列的发射曲此，很好地符合Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ公式。
关键词
多孔
硅场发射
场发射阵列
多孔硅
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
电化学生长法制备薄膜阵列场致发射阴极的研究
周清
岳卫民
张莉
赵力斌
赵守珍
梁翠果
谢宝森
赵新为
周杏弟
《电子器件》
CAS
1994
1
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职称材料
2
多孔硅场致发射特性研究
周清
张莉
赵新为
赵力斌
赵守珍
梁翠果
谢宝森
邱久文
付刚
《电子器件》
CAS
1994
0
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