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机械密封环抛光装置设计
1
作者
陈嘉庚
贾玙璠
+2 位作者
康仁科
朱祥龙
印文典
《制造技术与机床》
北大核心
2025年第6期177-182,共6页
针对核主泵密封环复杂形面抛光的加工需求,设计了一款具有四轴联动、抛光载荷监测功能的核主泵密封环抛光装置。规划了抛光装置的卧式布局,设计并分析了关键零部件。开发了装置控制系统,控制系统采用“嵌入式运动控制器-驱动器-电机”方...
针对核主泵密封环复杂形面抛光的加工需求,设计了一款具有四轴联动、抛光载荷监测功能的核主泵密封环抛光装置。规划了抛光装置的卧式布局,设计并分析了关键零部件。开发了装置控制系统,控制系统采用“嵌入式运动控制器-驱动器-电机”方案,通过电机驱动滚珠丝杠实现直线轴运动,力传感器可对抛光载荷开展监测。在研制的抛光装置上,开展了典型密封环抛光工艺试验,抛光160 min,平均抛光载荷26 N,密封环粗糙度Ra由282 nm降到5.9 nm,满足了密封环抛光加工需求。为核主泵密封环的高质量高效加工提供了装备和工艺,有助于提升核主泵密封件高精度制造的技术水平。
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关键词
核主泵
密封环
抛光装置
复杂形面
高硬度材料
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职称材料
基于磨粒三维轨迹的钽酸锂双面研磨均匀性
2
作者
薛赛赛
郭晓光
+2 位作者
贾玙璠
高尚
康仁科
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第13期2081-2090,共10页
为了改善钽酸锂(LiTaO_(3),LT)晶片的材料去除均匀性,提出一种考虑磨粒三维微切削的材料去除均匀性模型。根据钽酸锂晶体脆/塑性去除机理,结合研磨垫表面磨粒的分布特征,运用力平衡方程计算了研磨垫上各磨粒的切入深度与切屑截面积。通...
为了改善钽酸锂(LiTaO_(3),LT)晶片的材料去除均匀性,提出一种考虑磨粒三维微切削的材料去除均匀性模型。根据钽酸锂晶体脆/塑性去除机理,结合研磨垫表面磨粒的分布特征,运用力平衡方程计算了研磨垫上各磨粒的切入深度与切屑截面积。通过运动学分析推导了双面研磨中磨粒运动轨迹方程,建立了考虑磨粒三维微切削的材料去除均匀性模型,并研究了齿圈与太阳轮转速比m、下研磨盘与太阳轮转速比n对材料去除均匀性的影响。最后,开展了钽酸锂晶片固结磨料双面研磨实验,测量了不同转速比m,n下晶片的总厚度变化,验证了模型。实验结果表明:材料去除均匀性受转速比m,n的影响较大,当转速比m,n分别为0.85,1.3时材料去除均匀性最佳,此时晶片的总厚度变化为0.83μm,实验结果与仿真一致。所建模型对改善钽酸锂晶片双面研磨材料的去除均匀性有一定的指导意义。
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关键词
固结磨料研磨
钽酸锂晶片
磨粒运动轨迹
材料去除均匀性
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职称材料
固结磨料研磨石英晶片材料去除率建模与试验研究
被引量：
3
3
作者
贾玙璠
朱祥龙
+2 位作者
杨垒
康仁科
董志刚
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第16期2362-2371,共10页
针对固结磨料研磨石英晶片材料去除率难以预测的问题,提出一种基于接触力学和广义回归神经网络(GRNN)的石英晶片材料去除率模型。首先根据脆/塑材料去除机理、磨粒块与晶片微观接触简化形式,采用微积分、力平衡原理等方法,建立了理想情...
针对固结磨料研磨石英晶片材料去除率难以预测的问题,提出一种基于接触力学和广义回归神经网络(GRNN)的石英晶片材料去除率模型。首先根据脆/塑材料去除机理、磨粒块与晶片微观接触简化形式,采用微积分、力平衡原理等方法,建立了理想情况下的材料去除率模型。然后采用微单元法,进行了三因素四水平正交试验,并通过GRNN分析研磨液流量、研磨液浓度、研磨盘转速与材料去除率修正系数的映射关系,进一步完善了材料去除率模型。最后为验证材料去除率模型,设定研磨盘转速为20 r/min,研磨液浓度为5 wt.%,研磨液流量为36 ml/min,仿真并测量不同研磨压强以及相对速度下,晶片材料去除率预测值与实际值。结果表明:研磨压强和相对速度的增加使晶片材料去除加快,材料去除率模型预测值与实际值变化趋势相同,模型误差为8.57%。材料去除率模型基本满足固结磨料研磨工艺中石英晶片材料去除率预测需求。
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关键词
固结磨料研磨
石英晶片
材料去除率
广义回归神经网络
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职称材料
题名
机械密封环抛光装置设计
1
作者
陈嘉庚
贾玙璠
康仁科
朱祥龙
印文典
机构
大连理工大学高性能精密制造全国重点实验室
成都飞机工业(集团)有限责任公司
出处
《制造技术与机床》
北大核心
2025年第6期177-182,共6页
文摘
针对核主泵密封环复杂形面抛光的加工需求,设计了一款具有四轴联动、抛光载荷监测功能的核主泵密封环抛光装置。规划了抛光装置的卧式布局,设计并分析了关键零部件。开发了装置控制系统,控制系统采用“嵌入式运动控制器-驱动器-电机”方案,通过电机驱动滚珠丝杠实现直线轴运动,力传感器可对抛光载荷开展监测。在研制的抛光装置上,开展了典型密封环抛光工艺试验,抛光160 min,平均抛光载荷26 N,密封环粗糙度Ra由282 nm降到5.9 nm,满足了密封环抛光加工需求。为核主泵密封环的高质量高效加工提供了装备和工艺,有助于提升核主泵密封件高精度制造的技术水平。
关键词
核主泵
密封环
抛光装置
复杂形面
高硬度材料
Keywords
reactor coolant pump
seal ring
polishing equipment
complex shape
high hardness material
分类号
TH122 [机械工程—机械设计及理论]
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职称材料
题名
基于磨粒三维轨迹的钽酸锂双面研磨均匀性
2
作者
薛赛赛
郭晓光
贾玙璠
高尚
康仁科
机构
大连理工大学高性能精密制造全国重点实验室
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第13期2081-2090,共10页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.52175382)。
文摘
为了改善钽酸锂(LiTaO_(3),LT)晶片的材料去除均匀性,提出一种考虑磨粒三维微切削的材料去除均匀性模型。根据钽酸锂晶体脆/塑性去除机理,结合研磨垫表面磨粒的分布特征,运用力平衡方程计算了研磨垫上各磨粒的切入深度与切屑截面积。通过运动学分析推导了双面研磨中磨粒运动轨迹方程,建立了考虑磨粒三维微切削的材料去除均匀性模型,并研究了齿圈与太阳轮转速比m、下研磨盘与太阳轮转速比n对材料去除均匀性的影响。最后,开展了钽酸锂晶片固结磨料双面研磨实验,测量了不同转速比m,n下晶片的总厚度变化,验证了模型。实验结果表明:材料去除均匀性受转速比m,n的影响较大,当转速比m,n分别为0.85,1.3时材料去除均匀性最佳,此时晶片的总厚度变化为0.83μm,实验结果与仿真一致。所建模型对改善钽酸锂晶片双面研磨材料的去除均匀性有一定的指导意义。
关键词
固结磨料研磨
钽酸锂晶片
磨粒运动轨迹
材料去除均匀性
Keywords
fixed abrasive lapping
lithium tantalate
particle trajectory
material removal planarization
分类号
TH161.1 [机械工程—机械制造及自动化]
TG73 [金属学及工艺—刀具与模具]
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职称材料
题名
固结磨料研磨石英晶片材料去除率建模与试验研究
被引量：
3
3
作者
贾玙璠
朱祥龙
杨垒
康仁科
董志刚
机构
大连理工大学高性能精密制造全国重点实验室
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第16期2362-2371,共10页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.U22A20198)。
文摘
针对固结磨料研磨石英晶片材料去除率难以预测的问题,提出一种基于接触力学和广义回归神经网络(GRNN)的石英晶片材料去除率模型。首先根据脆/塑材料去除机理、磨粒块与晶片微观接触简化形式,采用微积分、力平衡原理等方法,建立了理想情况下的材料去除率模型。然后采用微单元法,进行了三因素四水平正交试验,并通过GRNN分析研磨液流量、研磨液浓度、研磨盘转速与材料去除率修正系数的映射关系,进一步完善了材料去除率模型。最后为验证材料去除率模型,设定研磨盘转速为20 r/min,研磨液浓度为5 wt.%,研磨液流量为36 ml/min,仿真并测量不同研磨压强以及相对速度下,晶片材料去除率预测值与实际值。结果表明:研磨压强和相对速度的增加使晶片材料去除加快,材料去除率模型预测值与实际值变化趋势相同,模型误差为8.57%。材料去除率模型基本满足固结磨料研磨工艺中石英晶片材料去除率预测需求。
关键词
固结磨料研磨
石英晶片
材料去除率
广义回归神经网络
Keywords
fixed abrasive lapping
quartz wafer
material removal rate
generalized regression neural
分类号
TH161.1 [机械工程—机械制造及自动化]
TG73 [金属学及工艺—刀具与模具]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
机械密封环抛光装置设计
陈嘉庚
贾玙璠
康仁科
朱祥龙
印文典
《制造技术与机床》
北大核心
2025
0
在线阅读
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职称材料
2
基于磨粒三维轨迹的钽酸锂双面研磨均匀性
薛赛赛
郭晓光
贾玙璠
高尚
康仁科
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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职称材料
3
固结磨料研磨石英晶片材料去除率建模与试验研究
贾玙璠
朱祥龙
杨垒
康仁科
董志刚
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
3
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职称材料
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