期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
Si原子在CeO_2(111)表面吸附与迁移的第一性原理研究
被引量：
1
1
作者
贾慧灵
任保根
+3 位作者
刘学杰
贾延琨
李梅
吴锦绣
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第7期1214-1221,共8页
为探究Si原子在CeO_2(111)表面吸附的微观行为,采用第一性原理的方法研究了Si原子在CeO_2(111)表面的吸附作用、电子结构和迁移过程,计算了Si原子在CeO2(111)表面的吸附能,最稳定及次稳定吸附位置的电子态密度与电荷密度分布、迁移激活...
为探究Si原子在CeO_2(111)表面吸附的微观行为,采用第一性原理的方法研究了Si原子在CeO_2(111)表面的吸附作用、电子结构和迁移过程,计算了Si原子在CeO2(111)表面的吸附能,最稳定及次稳定吸附位置的电子态密度与电荷密度分布、迁移激活能。计算结果表明:Si原子最易吸附于基底表层的O原子上,其中O桥位(Obri)吸附作用最强,O顶位(Ot)和O三度位(Oh)吸附强度次之。Si原子仅对其最邻近的表层O原子结构影响较大,这与Si原子及其最邻近的O原子间电荷密度重叠程度增强的结果一致。Si原子最易围绕着Ot位从Obri位向Oh位迁移,迁移所需激活能为0.849eV。
展开更多
关键词
SI
CEO2
吸附
电子结构
迁移
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
Si原子在CeO_2(111)表面吸附与迁移的第一性原理研究
被引量：
1
1
作者
贾慧灵
任保根
刘学杰
贾延琨
李梅
吴锦绣
机构
内蒙古科技大学机械工程学院
内蒙古科技大学材料与冶金学院
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第7期1214-1221,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(61765012
51562031)
+1 种基金
国家杰出青年基金资助项目(51025416)
教育部创新团队项目资助(IRT1065)
文摘
为探究Si原子在CeO_2(111)表面吸附的微观行为,采用第一性原理的方法研究了Si原子在CeO_2(111)表面的吸附作用、电子结构和迁移过程,计算了Si原子在CeO2(111)表面的吸附能,最稳定及次稳定吸附位置的电子态密度与电荷密度分布、迁移激活能。计算结果表明:Si原子最易吸附于基底表层的O原子上,其中O桥位(Obri)吸附作用最强,O顶位(Ot)和O三度位(Oh)吸附强度次之。Si原子仅对其最邻近的表层O原子结构影响较大,这与Si原子及其最邻近的O原子间电荷密度重叠程度增强的结果一致。Si原子最易围绕着Ot位从Obri位向Oh位迁移,迁移所需激活能为0.849eV。
关键词
SI
CEO2
吸附
电子结构
迁移
Keywords
Si
CeO2
adsorption
electronic structure
diffusion
分类号
O781 [理学—晶体学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si原子在CeO_2(111)表面吸附与迁移的第一性原理研究
贾慧灵
任保根
刘学杰
贾延琨
李梅
吴锦绣
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
