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电针预处理对全脑缺血再灌流大鼠炎性细胞因子的影响 被引量:25
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作者 王军 于震 +2 位作者 贾士奇 周红艳 王玉升 《中国实用医药》 2008年第6期4-5,共2页
目的研究炎性细胞因子在急性全脑缺血再灌流损伤中的作用及电针预处理的保护作用机理。方法SD大鼠随机分为假手术组、模型组、电针治疗组(左侧肩隅、外关、髀关、足三里)、穴位对照组(左侧清灵渊、灵道、萁门、漏谷穴)、非穴位对照组(... 目的研究炎性细胞因子在急性全脑缺血再灌流损伤中的作用及电针预处理的保护作用机理。方法SD大鼠随机分为假手术组、模型组、电针治疗组(左侧肩隅、外关、髀关、足三里)、穴位对照组(左侧清灵渊、灵道、萁门、漏谷穴)、非穴位对照组(左侧天泉与曲泽连线中点、曲泽与郗门中点、五里与阴胞连线中点和膝关与中都连线中点)。三动脉结扎法造成大鼠全脑缺血再灌注损伤模型,放射免疫法测定血浆内皮素(ET)、白介素-1β(IL-1β)、白介素-6(IL-6)和肿瘤坏死因子(TNF-α)含量。结果与假手术组比较,模型组结扎颈总动脉30min的血浆IL-1β含量显著升高(P<0.05),血浆IL-6和TNF-α含量均有升高的趋势,但无显著性差异(P>0.05);再灌注30min,血浆IL-1β和TNF-α含量均显著升高(P<0.05),血浆IL-6有升高的趋势,但无显著性差异(P>0.05)。循经取穴电针能显著降低大鼠脑缺血和再灌注血浆IL-1β、IL-6和TNF-α含量,与模型组、穴位对照组或非穴位对照组比较差异有统计学意义。结论脑缺血再灌注急性期可导致血浆IL-1β、IL-6和TNF-α含量升高,电针治疗脑缺血再灌注损伤的机制之一与降低炎性细胞因子含量及阻断炎症级联反应有关。 展开更多
关键词 电针 全脑缺血再灌流 IL-1Β IL-6 TNF-Α 大鼠
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夏连抑幽胶囊对胃炎和溃疡病作用的实验研究 被引量:6
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作者 冀爱英 贾士奇 《中国中医药信息杂志》 CAS CSCD 1999年第8期21-22,共2页
夏连抑幽胶囊在临床上用于治疗幽门螺杆菌(简称Hp)感染性胃炎和消化性溃疡效果满意。动物实验表明,本方具有明显的抗炎、抗溃疡、镇痛及促进胃排空作用,与空白对照组比较具有显著和非常显著性差异(P<0.05或P<0.01)。
关键词 夏连抑幽胶囊 抗炎 镇痛 溃疡病 胃炎
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高精度宽量程MEMS皮拉尼真空度传感器
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作者 乔靖评 焦斌斌 +10 位作者 刘瑞文 孔延梅 云世昌 赵成圆 刘鑫 叶雨欣 杜向斌 余立航 贾士奇 王子龙 李思博 《微纳电子技术》 CAS 2024年第12期81-89,共9页
真空度传感器是真空检测的核心元件。基于全桥结构微电子机械系统(MEMS)皮拉尼芯片开发了一款高精度宽量程MEMS皮拉尼真空度传感器。全桥结构的设计从芯片级有效抑制了传感器的温漂。测试结果表明,传感器最大温漂为0.15%/℃。校准后,该... 真空度传感器是真空检测的核心元件。基于全桥结构微电子机械系统(MEMS)皮拉尼芯片开发了一款高精度宽量程MEMS皮拉尼真空度传感器。全桥结构的设计从芯片级有效抑制了传感器的温漂。测试结果表明,传感器最大温漂为0.15%/℃。校准后,该传感器能够在5×10^(-2)~1.01×10^(5)Pa的真空度范围内实现小于5%的高读数精度,最大灵敏度为1.34 V/Dec。传感器平均噪声小于-100 dB,理论计算最小检测极限为1.9×10^(-3)Pa。该真空度传感器具有宽量程和高检测精度的特点,能够满足不同领域的真空检测需求。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 皮拉尼真空度传感器 硅丝式 高精度 宽量程
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用于高密度三维集成的TSV设计
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作者 乔靖评 贾士奇 +7 位作者 刘瑞文 焦斌斌 陈静宇 孔延梅 叶雨欣 杜向斌 云世昌 余立航 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第11期1857-1862,共6页
三维集成技术的发展需要高密度和高深宽比的硅通孔(TSV)阵列。由于TSV填充材料与TSV衬底材料之间的热膨胀系数不匹配,TSV在使用或加工过程中会出现严重的热应力问题,造成器件失效甚至是晶圆损坏。设计了一种具有低热应力和高深宽比的中... 三维集成技术的发展需要高密度和高深宽比的硅通孔(TSV)阵列。由于TSV填充材料与TSV衬底材料之间的热膨胀系数不匹配,TSV在使用或加工过程中会出现严重的热应力问题,造成器件失效甚至是晶圆损坏。设计了一种具有低热应力和高深宽比的中空TSV。单个TSV呈现橄榄球形状,TSV中部直径最大,其次是顶部的直径,最小的是底部直径。采用金属钨进行空心填充,因为钨的热膨胀系数与硅衬底的更匹配。当出现热失配时,空心填充使得空心结构为填充金属与硅的热膨胀提供了缓冲空间,能够大幅度减小TSV衬底所受到的热应力。仿真结果表明沿着TSV轴向方向和径向方向,热应力分别减小了62.4%和60.5%。基于设计的TSV结构,开发了一套基于8英寸(1英寸=2.54 cm)硅晶圆的工艺流程,成功实现了1600/mm^(2)超高密度阵列的加工制作,能够应用于高密度三维集成。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 三维集成 热应力 高密度 高深宽比
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高产大豆抚豆21号的选育及配套栽培技术 被引量:3
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作者 冯明印 贾士奇 金贞玉 《大豆科技》 2012年第1期64-65,共2页
抚豆21号是辽宁省抚顺市农业科学研究院大豆研究所以"抚97-16早"为母本,以"抚8412"为父本有性杂交选育而成的高产大豆新品种。介绍了其选育经过、特征特性和栽培技术。
关键词 高产 大豆 选育 栽培技术
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‘抚红’软籽山楂的试栽表现
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作者 高宝宁 赵小龙 贾士奇 《中国林副特产》 2016年第2期52-53,共2页
杜鹃花观根盆景因其造型特别、美观,受到越来越多的人喜爱。经过多年的探索,总结了杜鹃花观根盆景制作的关键技术。用1年生扦插杜鹃苗在苗床培育1年后上盆进行露根培育,上盆培养3~5年,通过根系拔高栽植培育,即可培育出具有一定造型的露... 杜鹃花观根盆景因其造型特别、美观,受到越来越多的人喜爱。经过多年的探索,总结了杜鹃花观根盆景制作的关键技术。用1年生扦插杜鹃苗在苗床培育1年后上盆进行露根培育,上盆培养3~5年,通过根系拔高栽植培育,即可培育出具有一定造型的露根观赏盆景。 展开更多
关键词 杜鹃花 扦插育苗 观根盆景
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大豆抚豆22号新品种的选育及高产高效栽培技术
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作者 陈英男 冯明印 +1 位作者 贾士奇 金贞玉 《农业科技通讯》 2012年第5期196-198,共3页
阐述了高产、优质大豆抚豆22号的选育经过,特征、特性,品质分析,抗病鉴定结果,栽培技术和该品种的推广等内容,对生产示范试种进行了介绍。该品种具有较好的经济效益。
关键词 优质大豆 品种选育 栽培技术
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