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聚羧酸铵盐类GS652D表面活性剂对氧化铈抛光液的分散稳定性研究被引量：2: 1; 作者邹哲敏常希文 +4 位作者罗月贺兆波李少平叶瑞杜林《中国标准化》 2024年第S1期249-253,共5页; 氧化铈纳米粒子是一种抛光性能优异的磨料,但由于其粒径小,表面能大,在抛光液中极易团聚沉降,使得抛光液的分散稳定性差。为了解决这一问题,本文在氧化铈抛光液中引入了聚羧酸铵盐类GS652D表面活性剂,并探究了其含量对纳米氧化铈分散性... 展开更多; 关键词氧化铈粉体分散性表面活性剂抛光液; 在线阅读下载PDF 职称材料

电子级四甲基硅烷的检测方法被引量：1: 2; 作者谭小龙李琴 +6 位作者万富强侯建鑫张刚贺兆波李少平叶瑞杜林《中国标准化》 2024年第S1期219-225,共7页; 电子级四甲基硅烷(Tetramethylsilane,TMS)因其独特的化学性质,在半导体器件的化学气相沉积(CVD)等过程中发挥着关键作用。目前电子级四甲基硅烷在国际和国内都没有明确的标准可以参考。企业只能根据客户需求结合其他硅烷类产品的国标... 展开更多; 关键词电子级四甲基硅烷检测方法纯度检测气相色谱金属杂质检测 ICP-OES ICP-MS 外观水分颗粒度; 在线阅读下载PDF 职称材料

磷酸中金属离子的种类与含量对多晶硅蚀刻速率的影响被引量：1: 3; 作者冯凯张庭 +5 位作者王书萍尹印贺兆波李少平叶瑞杜林《中国标准化》 2024年第S1期314-319,共6页; 在集成电路制造工艺中,热磷酸主要用于氮化硅的选择性蚀刻去除,对多晶硅的蚀刻速率很低。实验研究了9种磷酸中常见的金属离子对磷酸蚀刻多晶硅的影响,发现,在常见浓度范围内,磷酸中单独或同时存在Al^(3+)、Co^(2+)、Zn^(2+)以及Na^(+)时... 展开更多; 关键词磷酸多晶硅金属离子蚀刻速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

湿电子化学品中外质量评价标准体系发展概述: 4; 作者武昊冉张庭 +4 位作者贺兆波李少平叶瑞杜林蔡贵婷《中国标准化》 2024年第S1期209-213,共5页; 湿电子化学品是电子信息产业的关键材料,其质量直接影响到下游电子产品的性能和可靠性[1]。然而,由于湿电子化学品品类繁多、组成复杂、应用环境多样,给质量评价与控制带来诸多挑战。本文在梳理国内外湿电子化学品标准化现状的基础上,... 展开更多; 关键词湿电子化学品新材料质量评价标准体系对策建议; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名聚羧酸铵盐类GS652D表面活性剂对氧化铈抛光液的分散稳定性研究被引量：2: 1; 作者邹哲敏常希文罗月贺兆波李少平叶瑞杜林; 机构湖北兴福电子材料股份有限公司; 出处《中国标准化》 2024年第S1期249-253,共5页; 文摘氧化铈纳米粒子是一种抛光性能优异的磨料,但由于其粒径小,表面能大,在抛光液中极易团聚沉降,使得抛光液的分散稳定性差。为了解决这一问题,本文在氧化铈抛光液中引入了聚羧酸铵盐类GS652D表面活性剂,并探究了其含量对纳米氧化铈分散性的影响。结果表明,GS652D能显著提高纳米氧化铈在抛光液中的分散稳定性;在质量分数为1%氧化铈溶液中加入0.1%GS652D,分散液的平均粒径在180.4nm,Zeta电位绝对值为35.78mV。同时,放置48h后的分散液未出现分层现象,并且粒径略有减小。通过抛光实验可知,GS652D不仅对氧化铈的抛光性能没有影响,同时会提高碳化硅晶圆抛光后的表面质量。本实验对氧化铈抛光液的开发与应用具有指导意义。; 关键词氧化铈粉体分散性表面活性剂抛光液; Keywords CeO_(2) powder dispersity surfactant polishing slurry; 分类号 TQ133.3 [化学工程—无机化工] TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程] TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电子级四甲基硅烷的检测方法被引量：1: 2; 作者谭小龙李琴万富强侯建鑫张刚贺兆波李少平叶瑞杜林; 机构湖北兴福电子材料股份有限公司; 出处《中国标准化》 2024年第S1期219-225,共7页; 文摘电子级四甲基硅烷(Tetramethylsilane,TMS)因其独特的化学性质,在半导体器件的化学气相沉积(CVD)等过程中发挥着关键作用。目前电子级四甲基硅烷在国际和国内都没有明确的标准可以参考。企业只能根据客户需求结合其他硅烷类产品的国标来制定质量标准。TMS不同生产阶段侧重的检测指标不同,半导体领域客户最关心的检测指标就是纯度和金属杂质。纯度通常采用气相色谱法,而金属杂质则通过ICP-OES和ICP-MS方法进行检测。外观采用目视法、水分采用卡尔费休库伦法、颗粒度采用激光粒度仪进行检测。; 关键词电子级四甲基硅烷检测方法纯度检测气相色谱金属杂质检测 ICP-OES ICP-MS 外观水分颗粒度; Keywords electronic-grade tetramethylsilane detection methods purity testing gas chromatography metal impurity testing ICP-OES ICP-MS appearance moisture particle size; 分类号 O627.41 [理学—有机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名磷酸中金属离子的种类与含量对多晶硅蚀刻速率的影响被引量：1: 3; 作者冯凯张庭王书萍尹印贺兆波李少平叶瑞杜林; 机构湖北兴福电子材料有限公司; 出处《中国标准化》 2024年第S1期314-319,共6页; 基金中国科学技术部重点研发专项《中低品位硅钙质胶磷矿绿色高效利用及耦合制备高质磷化产品技术》项目(2022YFC2904705)资助; 文摘在集成电路制造工艺中,热磷酸主要用于氮化硅的选择性蚀刻去除,对多晶硅的蚀刻速率很低。实验研究了9种磷酸中常见的金属离子对磷酸蚀刻多晶硅的影响,发现,在常见浓度范围内,磷酸中单独或同时存在Al^(3+)、Co^(2+)、Zn^(2+)以及Na^(+)时,不会对多晶硅的蚀刻速率产生影响。而Fe^(3+)、Ni^(2+)、Sb^(3+)、Cu^(2+)以及W^(6+)均会不同程度提高磷酸对多晶硅的蚀刻速率,相同金属离子浓度下,Cu^(2+)的影响程度最大,Sb^(3+)次之,W^(6+)的影响最小。; 关键词磷酸多晶硅金属离子蚀刻速率; Keywords phosphoric acid polysilicon metal ions etching rate; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名湿电子化学品中外质量评价标准体系发展概述: 4; 作者武昊冉张庭贺兆波李少平叶瑞杜林蔡贵婷; 机构湖北兴福电子材料股份有限公司; 出处《中国标准化》 2024年第S1期209-213,共5页; 文摘湿电子化学品是电子信息产业的关键材料,其质量直接影响到下游电子产品的性能和可靠性[1]。然而,由于湿电子化学品品类繁多、组成复杂、应用环境多样,给质量评价与控制带来诸多挑战。本文在梳理国内外湿电子化学品标准化现状的基础上,分析了我国该领域标准体系存在的问题和面临的挑战,提出了完善湿电子化学品标准体系的对策建议。研究认为,应从加强顶层设计、提升标准水平、强化实施监管、加强人才队伍建设等方面着力,推动湿电子化学品标准体系建设再上新台阶。; 关键词湿电子化学品新材料质量评价标准体系对策建议; Keywords wet electronic chemicals new materials quality evaluation standards system countermeasures and suggestions; 分类号 TQ072 [化学工程] F416.7 [经济管理—产业经济] F203 [经济管理—国民经济] F273.2 [经济管理—企业管理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	聚羧酸铵盐类GS652D表面活性剂对氧化铈抛光液的分散稳定性研究	邹哲敏常希文罗月贺兆波李少平叶瑞杜林	《中国标准化》	2024	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	电子级四甲基硅烷的检测方法	谭小龙李琴万富强侯建鑫张刚贺兆波李少平叶瑞杜林	《中国标准化》	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	磷酸中金属离子的种类与含量对多晶硅蚀刻速率的影响	冯凯张庭王书萍尹印贺兆波李少平叶瑞杜林	《中国标准化》	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	湿电子化学品中外质量评价标准体系发展概述	武昊冉张庭贺兆波李少平叶瑞杜林蔡贵婷	《中国标准化》	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料