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BTA与TT-LYK对铜CMP缓蚀效果和协同效应研究
被引量：
3
1
作者
孟妮
张祥龙
+4 位作者
李相辉
谢顺帆
邱宇轩
聂申奥
何彦刚
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第2期89-97,共9页
在铜化学机械抛光中,由于典型缓蚀剂苯并三氮唑(BTA)对铜表面化学保护作用非常强烈,造成铜去除速率过低的现象。为了获得更好的缓蚀效果和铜表面质量,在近中性溶液中,对BTA缓蚀剂和新型缓蚀剂2,2′-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨...
在铜化学机械抛光中,由于典型缓蚀剂苯并三氮唑(BTA)对铜表面化学保护作用非常强烈,造成铜去除速率过低的现象。为了获得更好的缓蚀效果和铜表面质量,在近中性溶液中,对BTA缓蚀剂和新型缓蚀剂2,2′-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]双乙醇-(TT-LYK)的缓蚀效果进行比较,并对2种缓蚀剂的复配效果进行研究。结果表明:在近中性溶液中,BTA和TT-LYK均可以有效抑制铜表面腐蚀;2种缓蚀剂复配后具有协同作用,添加到抛光液中可得到更好的铜表面质量和更低的粗糙度,这可能是由于2种缓蚀剂的钝化膜类别相似,使得在一种缓蚀剂形成配合物的基础上,另一种缓蚀剂对生成的钝化膜进行补充,使得双层钝化膜更致密,能更好地保护铜表面不受腐蚀。
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关键词
化学机械抛光
铜
混合缓蚀剂
苯并三氮唑
表面粗糙度
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职称材料
微LED显示基板CMP过程中铜/钛/TEOS的去除速率选择比优化
被引量：
1
2
作者
谢顺帆
赵群
+2 位作者
梅旭鲲
杨露瑶
何彦刚
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第7期531-538,共8页
微LED显示技术因其发光点小、响应速度快等优点而被誉为“终极显示技术”,而芯片加工技术限制了其规模化应用。芯片加工过程中产生的碟形缺陷会严重影响芯片的发光特性和可靠性。采用化学机械抛光(CMP)方法对钛(Ti)作为阻挡层的微显示...
微LED显示技术因其发光点小、响应速度快等优点而被誉为“终极显示技术”,而芯片加工技术限制了其规模化应用。芯片加工过程中产生的碟形缺陷会严重影响芯片的发光特性和可靠性。采用化学机械抛光(CMP)方法对钛(Ti)作为阻挡层的微显示器基板进行有效的表面平坦化处理,发现引入柠檬酸钾(KCit)可以有效降低碟形缺陷深度。结果表明,在双氧水-柠檬酸钾体系下,可以将铜/钛/正硅酸乙酯(TEOS)去除速率选择比控制在1∶1.9∶1.7,最终修正后的碟型缺陷深度均在20 nm以下,满足工业应用要求。
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关键词
微LED
铜(Cu)
钛(Ti)
正硅酸乙酯(TEOS)
柠檬酸钾(KCit)
化学机械抛光(CMP)
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职称材料
硅通孔阻挡层抛光液的研究现状和发展趋势
3
作者
刘彬
王如
+4 位作者
何彦刚
郑晴平
王帅
赵群
谢顺帆
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第6期421-428,共8页
硅通孔(TSV)阻挡层化学机械抛光(CMP)是实现TSV晶圆全局平坦化的关键技术之一,配置多功能、高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。总结了目前国内外TSV阻挡层抛光液的研究现状;研究了TSV Ta基阻挡层抛光过程中Cu、Ta和氧化层的去除...
硅通孔(TSV)阻挡层化学机械抛光(CMP)是实现TSV晶圆全局平坦化的关键技术之一,配置多功能、高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。总结了目前国内外TSV阻挡层抛光液的研究现状;研究了TSV Ta基阻挡层抛光过程中Cu、Ta和氧化层的去除速率选择比及抛光后晶圆的表面质量;通过改变TSV阻挡层抛光液中络合剂、氧化剂和缓蚀剂等成分,可以控制Cu、Ta和氧化层的去除速率选择比,修正Cu层上的碟形坑,实现TSV晶圆的全局平坦化;最后指出开发新型的Co基和Ru基阻挡层抛光液,研制绿色环保的Ta基阻挡层抛光液产品,将成为TSV阻挡层抛光液未来研究的主要方向。
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关键词
硅通孔(TSV)
化学机械抛光(CMP)
阻挡层
去除速率选择比
表面质量
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职称材料
题名
BTA与TT-LYK对铜CMP缓蚀效果和协同效应研究
被引量：
3
1
作者
孟妮
张祥龙
李相辉
谢顺帆
邱宇轩
聂申奥
何彦刚
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
出处
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第2期89-97,共9页
基金
国家科技重大专项项目(2016ZX02301003-004-007)
河北省自然科学基金项目(F2018202133)。
文摘
在铜化学机械抛光中,由于典型缓蚀剂苯并三氮唑(BTA)对铜表面化学保护作用非常强烈,造成铜去除速率过低的现象。为了获得更好的缓蚀效果和铜表面质量,在近中性溶液中,对BTA缓蚀剂和新型缓蚀剂2,2′-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]双乙醇-(TT-LYK)的缓蚀效果进行比较,并对2种缓蚀剂的复配效果进行研究。结果表明:在近中性溶液中,BTA和TT-LYK均可以有效抑制铜表面腐蚀;2种缓蚀剂复配后具有协同作用,添加到抛光液中可得到更好的铜表面质量和更低的粗糙度,这可能是由于2种缓蚀剂的钝化膜类别相似,使得在一种缓蚀剂形成配合物的基础上,另一种缓蚀剂对生成的钝化膜进行补充,使得双层钝化膜更致密,能更好地保护铜表面不受腐蚀。
关键词
化学机械抛光
铜
混合缓蚀剂
苯并三氮唑
表面粗糙度
Keywords
chemical mechanical polishing
copper
mixed corrosion inhibitor
benzotriazole
surface roughness
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
微LED显示基板CMP过程中铜/钛/TEOS的去除速率选择比优化
被引量：
1
2
作者
谢顺帆
赵群
梅旭鲲
杨露瑶
何彦刚
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第7期531-538,共8页
基金
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)
河北省自然科学基金面上项目(F2018202133)。
文摘
微LED显示技术因其发光点小、响应速度快等优点而被誉为“终极显示技术”,而芯片加工技术限制了其规模化应用。芯片加工过程中产生的碟形缺陷会严重影响芯片的发光特性和可靠性。采用化学机械抛光(CMP)方法对钛(Ti)作为阻挡层的微显示器基板进行有效的表面平坦化处理,发现引入柠檬酸钾(KCit)可以有效降低碟形缺陷深度。结果表明,在双氧水-柠檬酸钾体系下,可以将铜/钛/正硅酸乙酯(TEOS)去除速率选择比控制在1∶1.9∶1.7,最终修正后的碟型缺陷深度均在20 nm以下,满足工业应用要求。
关键词
微LED
铜(Cu)
钛(Ti)
正硅酸乙酯(TEOS)
柠檬酸钾(KCit)
化学机械抛光(CMP)
Keywords
micro-LED
copper(Cu)
titanium(Ti)
tetraethyl orthosilicate(TEOS)
potassium citrate(KCit)
chemical mechanical polishing(CMP)
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硅通孔阻挡层抛光液的研究现状和发展趋势
3
作者
刘彬
王如
何彦刚
郑晴平
王帅
赵群
谢顺帆
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第6期421-428,共8页
基金
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)
天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100,18JCTPJC57000)。
文摘
硅通孔(TSV)阻挡层化学机械抛光(CMP)是实现TSV晶圆全局平坦化的关键技术之一,配置多功能、高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。总结了目前国内外TSV阻挡层抛光液的研究现状;研究了TSV Ta基阻挡层抛光过程中Cu、Ta和氧化层的去除速率选择比及抛光后晶圆的表面质量;通过改变TSV阻挡层抛光液中络合剂、氧化剂和缓蚀剂等成分,可以控制Cu、Ta和氧化层的去除速率选择比,修正Cu层上的碟形坑,实现TSV晶圆的全局平坦化;最后指出开发新型的Co基和Ru基阻挡层抛光液,研制绿色环保的Ta基阻挡层抛光液产品,将成为TSV阻挡层抛光液未来研究的主要方向。
关键词
硅通孔(TSV)
化学机械抛光(CMP)
阻挡层
去除速率选择比
表面质量
Keywords
through silicon via(TSV)
chemical mechanical polishing(CMP)
barrier layer
removal rate selection ratio
surface quality
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
BTA与TT-LYK对铜CMP缓蚀效果和协同效应研究
孟妮
张祥龙
李相辉
谢顺帆
邱宇轩
聂申奥
何彦刚
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2024
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
微LED显示基板CMP过程中铜/钛/TEOS的去除速率选择比优化
谢顺帆
赵群
梅旭鲲
杨露瑶
何彦刚
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
硅通孔阻挡层抛光液的研究现状和发展趋势
刘彬
王如
何彦刚
郑晴平
王帅
赵群
谢顺帆
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
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