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题名高频控制开关用沟槽MOSFET的研究
被引量：2
- 1
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作者
王翠霞
许维胜
谢福渊
陈炬
吴启迪
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机构
同济大学
FORCEMOS技术有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期236-239,共4页
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基金
国家“863”计划引导项目(2006AA05Z211)
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文摘
高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值,从而降低导通损耗和开关损耗。基于器件与工艺模拟软件TsupremIV和Medici,研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击穿电压、比导通电阻和栅漏电荷的影响,优化设计了耐压30V的开关用沟槽MOSFET器件。对栅极充电曲线中平台段变倾斜的现象,运用沟道长度调制效应给出了解释。
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关键词
沟槽MOSFET
器件优值
沟道长度调制效应
栅-漏电荷
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Keywords
trench MOSFET
figure of merit （FOM）
channel length modulation （CLM） effect
gate-drain charge
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名沟槽型MOSFET的发展(英文)
被引量：1
- 2
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作者
王翠霞
范学峰
许维胜
谢福渊
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机构
同济大学
FORCE MOS技术有限公司
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出处
《通信电源技术》
2009年第1期72-74,共3页
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文摘
在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点:可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量;导通电阻低,能耗小。文章介绍了新研究出来的厚栅氧MOSFET,RSO MOSFET,集成肖特基二极管的沟槽型MOSFET,并对它们的机理和性能进行了阐述和分析。
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关键词
沟槽型MOSFET
厚栅氧
MOSFET
RSO
MOSFET
肖特基二极管
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Keywords
trench MOSFET
thick oxide MOSFET
resurf stepped oxide MOSFET
schottky diode
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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