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高能原电子能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系 被引量:14
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作者 谢爱根 裴元吉 +1 位作者 孙红兵 王荣 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1059-1062,共4页
 提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明了该理论的正确性,最后对结果进行了讨论。得到了如下结论:不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发...  提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明了该理论的正确性,最后对结果进行了讨论。得到了如下结论:不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发射体时,它们的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量之积近似为一个常量,有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量成反比。 展开更多
关键词 二次电子 入射能量 金属 有效真二次电子发射系数
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金属二次电子发射系数表达式 被引量:9
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作者 谢爱根 张健 +1 位作者 刘斌 王铁邦 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期481-485,共5页
根据二次电子发射的主要物理过程,推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、原电子入射能量、参数、最大二次电子发射系数、背散射系数之间的关系式。根据实验结果,给出了2~10keV比... 根据二次电子发射的主要物理过程,推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、原电子入射能量、参数、最大二次电子发射系数、背散射系数之间的关系式。根据实验结果,给出了2~10keV比率的表达式。根据推导的关系式,用实验数据分别计算出6种金属的平均参数。发现6种金属的平均参数都近似为一个常数11.89(eV)0.5。根据推导的关系式和计算的参数,推导出以背散射系数、原电子入射能量和最大二次电子发射系数为变量的二次电子发射系数通式。用该通式计算出二次电子发射系数,并与相应的实验值进行了比较,最后成功地推导出金属2~10keV的二次电子发射系数通式。 展开更多
关键词 通式 二次电子发射系数 最大二次电子发射系数 金属
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HT-7汤姆逊散射测量电子温度的相对论修正 被引量:5
3
作者 谢爱根 赵君煜 +1 位作者 方自深 毛剑珊 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期476-478,共3页
简要介绍了在HT-7托卡马克上用激光汤姆逊散射法测量等离子体电子温度的方法。对 相对论产生谱峰蓝移的原因以及如何进行相对论修正进行了叙述。在考虑蓝移和不考虑蓝移两种情况 下,用相对论修正关系式给出了HT-7托卡马克两次... 简要介绍了在HT-7托卡马克上用激光汤姆逊散射法测量等离子体电子温度的方法。对 相对论产生谱峰蓝移的原因以及如何进行相对论修正进行了叙述。在考虑蓝移和不考虑蓝移两种情况 下,用相对论修正关系式给出了HT-7托卡马克两次放电的电子温度的空间分布。 展开更多
关键词 相对论蓝移 电子温度 汤姆逊散射 HT-7 等离子体
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绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制 被引量:5
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作者 谢爱根 郭胜利 +1 位作者 李传起 裴元吉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期134-138,共5页
成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置,该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成,测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8~60keV。采用单脉冲电子枪法,测量了原电子能量范围为0.8~45keV的多晶MgO的... 成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置,该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成,测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8~60keV。采用单脉冲电子枪法,测量了原电子能量范围为0.8~45keV的多晶MgO的二次电子发射系数。测量中,收集极(偏置盒)离材料表面设置为约35mm,偏置电压设置为45V。测量得到:用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2.83,处于2~26范围内,其对应的原电子能量约为980eV。这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的,但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低,这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的。 展开更多
关键词 测量装置 绝缘体 二次电子发射系数 氧化镁
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多晶体二次电子的角度分布 被引量:2
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作者 谢爱根 张健 +1 位作者 吴红艳 王铁邦 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1663-1667,共5页
根据二次电子发射的主要物理过程,推导了内二次电子到达多晶表面并逸出的几率的角度分布、斜射入多晶的高能原电子产生的二次电子的角度分布和由背散射电子产生的二次电子的角度分布。同时,推导了高能原电子轰击多晶产生的二次电子的角... 根据二次电子发射的主要物理过程,推导了内二次电子到达多晶表面并逸出的几率的角度分布、斜射入多晶的高能原电子产生的二次电子的角度分布和由背散射电子产生的二次电子的角度分布。同时,推导了高能原电子轰击多晶产生的二次电子的角度分布公式,该公式表明多晶的二次电子遵循余弦分布,且与原电子的入射角无关。分析结果表明:在内二次电子最大逸出深度范围内,如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子数是常数,则多晶的二次电子的角度分布遵循余弦分布;如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子数越来越少,则多晶的二次电子发射角度分布随出射角减少得比出射角的余弦值更慢;如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子越来越多,则多晶的二次电子发射角度分布随出射角减少得比出射角的余弦值更快。 展开更多
关键词 角度分布 二次电子 高能电子 多晶
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金属的高能二次电子发射系数与入射能量和能量幂次的关系 被引量:2
6
作者 谢爱根 李传起 赵浩峰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期143-146,共4页
根据原电子射程表达式和金属的有效真二次电子发射系数表达式,推导出金属的高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式;并根据金属的高能有效真二次电子发射系数与金属的高能二次电子发射系数的关系,推导出金属的高能二... 根据原电子射程表达式和金属的有效真二次电子发射系数表达式,推导出金属的高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式;并根据金属的高能有效真二次电子发射系数与金属的高能二次电子发射系数的关系,推导出金属的高能二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式。用实验数据计算出高能原电子轰击在金或银上时原电子入射能量幂次n,采用实验数据证实高能二次电子发射系数与原电子入射能量和能量幂次三者的关系,对结果进行讨论并得出结论:当高能原电子轰击在同一块金属上时,高能二次电子发射系数与原电子入射能量的n-1次幂之积近似为一常数。 展开更多
关键词 高能电子 二次电子发射系数 能量幂次
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提高砷化镓二次电子发射系数的探讨
7
作者 谢爱根 裴元吉 +1 位作者 王荣 孙红兵 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期279-282,共4页
介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较,得出:当原电子入射能量较低(小于10 k... 介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较,得出:当原电子入射能量较低(小于10 keV)时,两种砷化镓的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高(大于20 keV)时,经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数比普通砷化镓的二次电子发射系数大,而且随着原电子入射能量的升高,两种砷化镓的二次电子发射系数差值也在增大。 展开更多
关键词 二次电子发射系数 负电子亲和势 二次电子发射材料 逸出深度
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高能原电子对铝和金射程的表达式
8
作者 谢爱根 张成义 李庆芳 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期1105-1107,共3页
根据原电子的射程与入射能量和能量幂次的关系,用ESTAR程序分别计算出高能原电子对铝射程的能量幂次约为1.72,对金射程的能量幂次约为1.62。分别根据高能原电子对铝和金的射程与入射能量的关系,用实验数据计算出常数其能量幂次,然后分... 根据原电子的射程与入射能量和能量幂次的关系,用ESTAR程序分别计算出高能原电子对铝射程的能量幂次约为1.72,对金射程的能量幂次约为1.62。分别根据高能原电子对铝和金的射程与入射能量的关系,用实验数据计算出常数其能量幂次,然后分别推导了高能原电子对铝的射程的表达式和对金的射程的表达式。用推导出的表达式分别计算出一些高能原电子对铝和金的射程计算值,与现有实验值相符较好。 展开更多
关键词 高能电子 电子射程 能量幂次
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二次发射微波电子枪的倍增特性 被引量:3
9
作者 孙红兵 裴元吉 +1 位作者 谢爱根 王荣 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1477-1480,共4页
 利用3DRun程序通过数值模拟计算,对二次发射微波电子枪的束流倍增特性作了研究。用1维模型计算了束流倍增与腔两极间距离以及腔中场强的关系,并详细给出了腔两极间距离为10mm,场强为5 4MV/m时出射电子纵向聚束及能量聚焦过程;利用3DRu...  利用3DRun程序通过数值模拟计算,对二次发射微波电子枪的束流倍增特性作了研究。用1维模型计算了束流倍增与腔两极间距离以及腔中场强的关系,并详细给出了腔两极间距离为10mm,场强为5 4MV/m时出射电子纵向聚束及能量聚焦过程;利用3DRun程序研究了在高频场及粒子束本身空间电荷场的共同作用下,束流在3维运动过程中的倍增特性,计算了出射束流的发射度。通过计算表明:二次发射微波电子枪可以提供低发射度、高流强的电子束。 展开更多
关键词 二次发射 微波电子枪 3维运动 空间电荷力
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材料次级电子发射特性对表面充电影响的数值计算研究 被引量:4
10
作者 张健 谢爱根 +1 位作者 王玲 王铁邦 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期862-868,共7页
表面充电是最早被人们发现的空间环境效应,是由空间环境引起的航天器异常和故障的主要诱因之一.采用较精确的金属二次电子发射公式和局部电流平衡模型,在无光照的情况下,对不同表面材料及不同几何形体的航天器表面充电电位进行计算,并... 表面充电是最早被人们发现的空间环境效应,是由空间环境引起的航天器异常和故障的主要诱因之一.采用较精确的金属二次电子发射公式和局部电流平衡模型,在无光照的情况下,对不同表面材料及不同几何形体的航天器表面充电电位进行计算,并绘制了表面材料的充电电位与最大二次电子发射系数之间的关系曲线.根据数值计算结果及次级电子发射系数和曲线图得知,航天器阴面充电电位与表面材料的原子序数、最大二次电子发射系数和入射离子引起的次级发射系数均有关.该计算对航天器表面材料的选取和设计工艺有一定的参考价值. 展开更多
关键词 次级发射系数 航天器表面充电局部电流平衡模型
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Secondary electron emission and photoemission from a negative electron affinity semiconductor with large mean escape depth of excited electrons
11
作者 谢爱根 董红杰 刘亦凡 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期677-690,共14页
The formulae for parameters of a negative electron affinity semiconductor(NEAS)with large mean escape depth of secondary electrons A(NEASLD)are deduced.The methods for obtaining parameters such asλ,B,E_(pom)and the m... The formulae for parameters of a negative electron affinity semiconductor(NEAS)with large mean escape depth of secondary electrons A(NEASLD)are deduced.The methods for obtaining parameters such asλ,B,E_(pom)and the maximumδandδat 100.0 keV≥E_(po)≥1.0 keV of a NEASLD with the deduced formulae are presented(B is the probability that an internal secondary electron escapes into the vacuum upon reaching the emission surface of the emitter,δis the secondary electron yield,E_(po)is the incident energy of primary electrons and E_(pom)is the E_(po)corresponding to the maximumδ).The parameters obtained here are analyzed,and it can be concluded that several parameters of NEASLDs obtained by the methods presented here agree with those obtained by other authors.The relation between the secondary electron emission and photoemission from a NEAS with large mean escape depth of excited electrons is investigated,and it is concluded that the presented method of obtaining A is more accurate than that of obtaining the corresponding parameter for a NEAS with largeλ_(ph)(λ_(ph)being the mean escape depth of photoelectrons),and that the presented method of calculating B at E_(po)>10.0 keV is more widely applicable for obtaining the corresponding parameters for a NEAS with largeλ_(ph). 展开更多
关键词 negative electron affinity semiconductor secondary electron emission PHOTOEMISSION the probability secondary electron yield large mean escape depth of excited electrons
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Formula for average energy required to produce a secondary electron in an insulator
12
作者 谢爱根 詹煜 +1 位作者 高志勇 吴红艳 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第5期540-542,共3页
Based on a simple classical model specifying that the primary electrons interact with the electrons of a lattice through the Coulomb force and a conclusion that the lattice scattering can be ignored, the formula for t... Based on a simple classical model specifying that the primary electrons interact with the electrons of a lattice through the Coulomb force and a conclusion that the lattice scattering can be ignored, the formula for the average energy required to produce a secondary electron (ε) is obtained. On the basis of the energy band of an insulator and the formula for e, the formula for the average energy required to produce a secondary electron in an insulator (εi) is deduced as a function of the width of the forbidden band (Eg) and electron affinity X. Experimental values and the εi values calculated with the formula are compared, and the results validate the theory that explains the relationships among Eg, X, and ei and suggest that the formula for εi is universal on the condition that the primary electrons at any energy hit the insulator. 展开更多
关键词 width of forbidden band electron affinity average energy INSULATOR
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提高Murata No.336加弹机上油率的技术改造
13
作者 谢爱根 王成铸 《广东化纤》 2000年第1期48-50,共3页
本文就 Murata No.3 3 6加弹机上油率不高的原因进行了分析 ,并提出具体解决办法。通过对上油装置的重新设计 ,进行技术改造后 ,提高了丝条上油率 ,改善了产品的质量。
关键词 加弹机 拉伸变形丝 含油率 聚酰胺纤维 技术改造
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HT-7 Multipoint Nd Laser Thomson Scattering Apparatus 被引量:2
14
作者 毛剑珊 赵君煜 +2 位作者 李亚东 谢爱根 方自深 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2001年第2期691-702,共12页
A compact, low cost, multipoint Thomson scattering diagnostic system for HT-7 superconducting tokamak has been in operation since 1999. Its capability of measuring electron temperatures is in the range of 200 eV to 2 ... A compact, low cost, multipoint Thomson scattering diagnostic system for HT-7 superconducting tokamak has been in operation since 1999. Its capability of measuring electron temperatures is in the range of 200 eV to 2 keV at a density of a few times IO12 cm-3, with a spatial resolution of 2.4 cm for 5 spatial points and a temporal resolution of 1 ms-1 s for 8 time points. The main components of the diagnostic system include a 20-25 J Nd: glass laser with 35 ns pulse width (8 pulses per burst), a KDP frequency-doubling unit, spherical mirrors of multipass input optical system, a wide-angle collection objective, a bandpass glass filter for reducing the stray light to zero a f/2.5 polychromator, a fiberglass collimator, a photomultiplier's box with electronic preamplifier, high gain and high signal/noise ratio, CAMAC data acquisition and so on. The multipass optical system has been successful at increasing the quantity of scattered photons by passing the probing laser beam 10 times through the plasma under investigation. The HT7 Thomson scattering diagnostic has provided successfully the information on two-dimensional electron temperature in the plasma of HT-7 tokamak with LHCD and IBW. 展开更多
关键词 HT-7 Multipoint Nd Laser Thomson Scattering Apparatus
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Formula for the Probability of Secondary Electrons Passing over the Surface Barrier into a Vacuum
15
作者 XIE Ai-Gen XIAO Shao-Rong +1 位作者 ZHAN Yu ZHAO Hao-Feng 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2012年第11期198-201,共4页
Based on a simple classical model that primary electrons at high electron energy interact with the electrons of lattice by the Coulomb force,we deduce the energy of secondary electrons.In addition,the number of second... Based on a simple classical model that primary electrons at high electron energy interact with the electrons of lattice by the Coulomb force,we deduce the energy of secondary electrons.In addition,the number of secondary electrons in the direction of velocity of primary electrons per unit path length,n,is obtained.According to the energy band of the insulator,n,the definition of the probability B of secondary electrons passing over the surface barrier of insulator into the vacuum and the assumption that lattice scattering is ignored,we deduce the expression of B related to the width of the forbidden band(E_(g))and the electron affinityχ.As a whole,the B values calculated with the formula agree well with the experimental data.The calculated B values lie between zero and unity and are discussed theoretically.Finally,we conclude that the deduced formula and the theory that explains the relationships among B,χand E_(g) are correct. 展开更多
关键词 PROBABILITY deduce LATTICE
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A Universal Formula for the Secondary Electron Yield of Metals at an Incident Angle of θ
16
作者 XIE Ai-Gen ZHANG Jian WANG Tie-Bang 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2011年第9期253-256,共4页
Based on the main physical processes,we deduce the relationships among the incident energy Wp0 of the primary electron,the number of released secondary electrons(i.e.δ_(PEθ))per primary electron entering the metal a... Based on the main physical processes,we deduce the relationships among the incident energy Wp0 of the primary electron,the number of released secondary electrons(i.e.δ_(PEθ))per primary electron entering the metal at incident angleθand the angleθitself.In addition,the relationship ofδPEθatθ=0°,i.e.δ_(PE0),with Wp0 is determined.From the experimental results,the relationship of the ratio atθ=0°,i.e.β_(0) which is the ratio of the average number of released secondary electrons generated by a single primary electron backscattered at the metal surface to that generated by a single primary electron entering the metal,with Wp0 is determined.Moreover,the relationships among the ratioβθ,Wp0 andθare obtained.Based on the relationships among the secondary electron yield atθ(i.e.δθ),the yield atθ=0°(i.e.δ_(0)),the backscattering coefficient atθ(i.e.η_(θ)),the coefficient atθ=0°(i.e.η0),δ_(PEθ)andδ_(PE0),we deduce the universal formula forδ_(θ),δ_(0),η_(θ),η_(0),and W_(p0) for the primary electrons at an incident energy of 2–10 keV.The secondary electron yields calculated from the universal formula and the experimental yields of some metals are compared,and the results suggest that the proposed formula is universal for estimation of secondary electron yields atθ=0°−80°. 展开更多
关键词 INCIDENT deduce COEFFICIENT
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负电子亲和半导体的二次电子发射
17
作者 刘亦凡 谢爱根 董洪杰 《空间电子技术》 2022年第4期30-49,共20页
根据0.8 keV≤E_(pomax)≤5 keV的负电子亲和(negative electron affinity,NEA)半导体二次电子发射(secondary electron emission,SEE)的特性,初级电子产额R,现有的次级电子产额δ的通用公式和实验数据,分别推导并实验证明了NEA金刚石... 根据0.8 keV≤E_(pomax)≤5 keV的负电子亲和(negative electron affinity,NEA)半导体二次电子发射(secondary electron emission,SEE)的特性,初级电子产额R,现有的次级电子产额δ的通用公式和实验数据,分别推导并实验证明了NEA金刚石的δ在0.5 E_(pomax)≤E_(po)≤10 E_(pomax),GaN在2 keV≤E_(pomax)≤5 keV,NEA金刚石的δ在0.8 keV≤E_(po)≤3 keV,GaN在0.8 keV≤E_(pomax)≤2 keV的特殊公式;其中E_(pomax)为δ达到最大值时的E_(po),E_(po)为初级电子入射能。推导出了0.8 keV≤E_(pomax)≤5 keV时NEA半导体的内部二次电子到达发射极表面后逃逸到真空中的概率B。还提出了计算0.8 keV≤E_(pomax)≤5 keV NEA半导体1/α的方法;其中1/α为二次电子的平均逃逸深度。分析结果表明,B和1/α的理论研究有助于研究不同样品制备方法对NEA半导体中SEE的定量影响,从而生产出理想的NEA发射体,如NEA金刚石。 展开更多
关键词 负电子亲和力 二次电子产额 概率 二次电子的平均逃逸深度 半导体
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