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题名稀土元素Er掺杂AlN的压电性能
被引量：2
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作者
泰智薇
杨成韬
胡现伟
谢易微
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期822-824,828,共4页
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基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(ZYGX2013Z001)
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文摘
采用第一性原理密度泛函理论法研究了纤锌矿结构AlN中掺杂不同含量Er后的晶体结构和压电性能。计算结果表明,随着掺杂Er原子数比x由0增加到25%,ErxAl1-xN晶体的晶胞参数、晶胞体积和键长显著增大,压电性能得到提升。当x=25%时,ErxAl1-xN体系的压电常数d33为8.67pC/N,比纯AlN提高了79.5%,为未来AlN压电薄膜材料研究领域提供了更多可选材料。
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关键词
ErxAl1-xN
压电性能
晶体结构
第一性原理
掺杂改性
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Keywords
Er-doped AlN
piezoelectric property
crystal structure
first-principle
doping modification
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分类号
TN65
[电子电信—电路与系统]
TM135
[电气工程—电工理论与新技术]
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题名氮氩流量比对ErAlN薄膜及SAW滤波器的影响
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作者
孙贤
谢易微
许绍俊
杨成韬
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第3期345-347,共3页
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基金
中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(ZYGX2018J027)。
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文摘
该文采用射频反应磁控溅射方法在蓝宝石(0001)基底上沉积了不同氮氩流量比下的ErAlN薄膜,并基于ErAlN薄膜制备了声表面波(SAW)滤波器。结果表明,随着氮氩流量比的增加,薄膜结晶质量和c轴取向先变好再变差,表面粗糙度先减小后增加,当V(N2)∶V(Ar)=12∶17时,ErAlN薄膜具有最好的结晶质量和最小的表面粗糙度。基于ErAlN薄膜制备的SAW滤波器在273~288 MHz均有谐振效应,当V(N2)∶V(Ar)=12∶17时,SAW滤波器具有最小的插入损耗和最大的传输系数。
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关键词
磁控溅射
氮氩比
Er掺杂AlN薄膜
c轴择优取向
SAW滤波器
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Keywords
magnetron sputtering
N2/Ar ratio
Er-doped AlN film
c-axis preferred orientation
SAW filter
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分类号
TN65
[电子电信—电路与系统]
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