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基体预热温度对激光熔覆抗水蚀涂层性能的影响
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作者 薛翔 李勇 +3 位作者 王孝恩 刘刚 谢威威 王明远 《材料保护》 2025年第2期92-100,共9页
为进一步提高激光熔覆涂层的抗水蚀性能,采用自研改进高速钢合金粉末(X2)在17-4PH钢表面通过激光熔覆技术沉积覆层,利用显微硬度计、光学显微镜、水蚀试验台等仪器研究了基体预热温度对激光熔覆X2覆层力学性能、组织形貌与抗水蚀性能的... 为进一步提高激光熔覆涂层的抗水蚀性能,采用自研改进高速钢合金粉末(X2)在17-4PH钢表面通过激光熔覆技术沉积覆层,利用显微硬度计、光学显微镜、水蚀试验台等仪器研究了基体预热温度对激光熔覆X2覆层力学性能、组织形貌与抗水蚀性能的影响。结果表明:制备的熔覆层组织均较为均匀致密,预热温度为150~200℃时熔覆层的平均显微硬度相比100~150℃时提升了21.6 HV_(0.2),适当地提升基体预热温度可以有效提升熔覆层的显微硬度,经80 h水蚀试验后,基体预热温度为150~200℃时的激光熔覆层的失重仅为未预热激光熔覆覆层的50%,其水蚀坑最大深度仅为未预热激光熔覆覆层的1/10,抗水蚀性能显著提升。 展开更多
关键词 汽轮机叶片 水蚀 激光熔覆 预热温度 力学性能
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典型机身框段垂向坠撞响应及乘员腰椎伤害分析 被引量:1
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作者 解江 谢威威 +1 位作者 崔书瑞 牟浩蕾 《中国民航大学学报》 CAS 2024年第6期1-8,共8页
为分析垂向坠撞试验中大飞机机身框段的坠撞响应、结构吸能及乘员伤害情况,首先,建立大飞机典型机身框段-座椅-乘员有限元模型;其次,对比分析了该有限元模型与试验件机身框段的失效模式和乘员响应等;最后,对机身框段不同部件进行了坠撞... 为分析垂向坠撞试验中大飞机机身框段的坠撞响应、结构吸能及乘员伤害情况,首先,建立大飞机典型机身框段-座椅-乘员有限元模型;其次,对比分析了该有限元模型与试验件机身框段的失效模式和乘员响应等;最后,对机身框段不同部件进行了坠撞吸能分析,并从腰椎压缩载荷和骨盆加速度两方面分析了乘员损伤情况。仿真结果表明,机身框段-座椅-乘员有限元模型能够有效模拟机身框段失效模式、货舱地板下部结构中间支撑件区域的1处塑性铰以及两侧客舱地板支撑立柱与机身隔框连接处的2处塑性铰,乘员响应得到有效验证;从吸能情况来看,6.02 m/s垂直坠撞速度下,机身隔框、蒙皮及其连接角片都是主要吸能部件;从乘员伤害情况来看,仿真获得的乘员腰椎压缩载荷小于6672 N,骨盆加速度在人体损伤可接受区域内;由地板加速度所得的动态响应指数(DRI,dynamic response index)值相比由骨盆加速度所得的DRI值更低;某机型在6.02 m/s坠撞速度下,机身框段客舱区域生存空间得到保持,乘员腰椎压缩载荷及骨盆加速度伤害风险较小。本文研究结论可为大型民机机身结构设计提供参考。 展开更多
关键词 适坠性 机身框段坠撞响应 乘员坠撞响应 坠撞吸能 乘员伤害分析
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开敞进水池泵站垂直进水管道的水力特性研究 被引量:1
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作者 李晓超 谢敏萍 +3 位作者 李君 谢威威 秦蓉 张浩 《华北水利水电大学学报(自然科学版)》 北大核心 2022年第6期33-40,共8页
黄河下游某引黄泵站的进水池为开敞式,进水管道按垂直式布置。为减少因管路布设不合理引起的水力损失,进一步降低泵站能耗,提高其综合效益,采用Fluent软件对设有不同管径的6种优化方案的进水管进行了数值模拟,并选取相关截面分析其内部... 黄河下游某引黄泵站的进水池为开敞式,进水管道按垂直式布置。为减少因管路布设不合理引起的水力损失,进一步降低泵站能耗,提高其综合效益,采用Fluent软件对设有不同管径的6种优化方案的进水管进行了数值模拟,并选取相关截面分析其内部水流流态。以进水管道水力损失、进水管道出口断面的流速分布均匀度和速度加权平均角为评价函数,分析各方案下进水管道的水力特性。结果表明:进水管道管径过小时,其管内水流流速超出国家标准限值,进水管道水力损失大、出口断面水流速度分布均匀度不高;管径过大时,进水管道的水力损失值增加,进水管道内水流流态紊乱且出口断面的水流速度加权平均角较低;管径为750 mm时,进水管道水力特性较优;偏心渐缩管对进水水流具有一定的调整作用,但其管径渐变程度不宜过大。研究结果可为相关引黄提灌泵站的管道优化布设提供技术参考,进一步提高水泵工作效率。 展开更多
关键词 泵站 进水管道 优化设计 水力特性 数值模拟
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Ozone oxidation of 4H-SiC and flat-band voltage stability of SiC MOS capacitors 被引量:2
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作者 Zhi-Peng Yin Sheng-Sheng Wei +4 位作者 Jiao Bai Wei-Wei Xie Zhao-Hui Liu Fu-Wen Qin De-Jun Wang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第11期500-509,共10页
We investigate the effect of ozone(O_(3))oxidation of silicon carbide(SiC)on the flat-band voltage(Vfb)stability of SiC metal–oxide–semiconductor(MOS)capacitors.The SiC MOS capacitors are produced by O_(3)oxidation,... We investigate the effect of ozone(O_(3))oxidation of silicon carbide(SiC)on the flat-band voltage(Vfb)stability of SiC metal–oxide–semiconductor(MOS)capacitors.The SiC MOS capacitors are produced by O_(3)oxidation,and their Vfbstability under frequency variation,temperature variation,and bias temperature stress are evaluated.Secondary ion mass spectroscopy(SIMS),atomic force microscopy(AFM),and x-ray photoelectron spectroscopy(XPS)indicate that O_(3)oxidation can adjust the element distribution near SiC/SiO_(2)interface,improve SiC/SiO_(2)interface morphology,and inhibit the formation of near-interface defects,respectively.In addition,we elaborate the underlying mechanism through which O_(3)oxidation improves the Vfbstability of SiC MOS capacitors by using the measurement results and O_(3)oxidation kinetics. 展开更多
关键词 SiC MOS capacitors ozone oxidation bias temperature instability Deal-Grove model
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水电站故障监测与分析系统研究综述 被引量:5
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作者 李晓超 谢威威 +1 位作者 秦蓉 张浩 《水科学与工程技术》 2021年第5期85-89,共5页
采用水电站故障监测与分析系统,可进一步改善运行方式,降低部件工作故障率。水电站故障监测与分析系统可以实时监测水电站各部件的工作状态,并根据反馈数据及时准确地分析处理故障状况,及时消除隐患,降低发生重大安全事故概率。通过对... 采用水电站故障监测与分析系统,可进一步改善运行方式,降低部件工作故障率。水电站故障监测与分析系统可以实时监测水电站各部件的工作状态,并根据反馈数据及时准确地分析处理故障状况,及时消除隐患,降低发生重大安全事故概率。通过对历史数据的分析预测各部件寿命,有利于电站日常运行维护,提高水电站自动化程度。在前人研究的基础上,从该系统的三大构成板块及该系统在实际工程中的应用案例,较为全面地介绍系统,并提供相关学者在该系统应用方面已取得的新方法,提出目前该系统应用存在问题和解决对策。 展开更多
关键词 水电站 故障监测 自动化 智能诊断 监控技术
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水力机械磨蚀研究综述 被引量:3
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作者 李晓超 谢威威 +2 位作者 张浩 秦蓉 王晓丽 《人民珠江》 2021年第11期99-105,111,共8页
水力机械在工作过程中,不可避免的会遭受到含有杂质流体的磨蚀。从磨蚀产生机理及其分类、影响磨蚀的关键因素、研究磨蚀的试验方法、计算流体力学理论在磨蚀中的应用、磨蚀的防护与利用这5个方面较为系统全面地介绍了磨蚀,指出了磨蚀... 水力机械在工作过程中,不可避免的会遭受到含有杂质流体的磨蚀。从磨蚀产生机理及其分类、影响磨蚀的关键因素、研究磨蚀的试验方法、计算流体力学理论在磨蚀中的应用、磨蚀的防护与利用这5个方面较为系统全面地介绍了磨蚀,指出了磨蚀研究的重要性。在总结相关专家研究进展及研究技术难点的基础上,阐述了4个影响空化空蚀和2个影响泥沙磨损的重要因素,以及目前已掌握的磨蚀技术在生物、医学、化学、矿采等各工程领域的应用。从设计、运行、制造3个方面提出了磨蚀防护措施,并提出了关于磨蚀研究的3点建议。 展开更多
关键词 水力机械 水机磨蚀 空化空蚀 泥沙磨损 计算流体力学 超空化
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Controllable synthesis of ultrathin vanadium oxide nanobelts via an EDTA-mediated hydrothermal process
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作者 秦玉香 刘成 +1 位作者 谢威威 崔梦阳 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第2期441-445,共5页
Ultrathin VO_2 nanobelts with rough alignment features are prepared on the induction layer-coated substrates by an ethylenediaminetetraacetic acid(EDTA)-mediated hydrothermal process. EDTA acts as a chelating reagen... Ultrathin VO_2 nanobelts with rough alignment features are prepared on the induction layer-coated substrates by an ethylenediaminetetraacetic acid(EDTA)-mediated hydrothermal process. EDTA acts as a chelating reagent and capping agent to facilitate the one-dimensional(1D) preferential growth of ultrathin VO_2 nanobelts with high crystallinities and good uniformities. The annealed induction layer and concentration of EDTA are found to play crucial roles in the formation of aligned and ultrathin nanobelts. Variation in EDTA concentration can change the VO_2 morphology of ultrathin nanobelts into that of thick nanoplates. Mild annealing of ultrathin VO_2 nanobelts at 350℃ in air results in the formation of V_2O_5 nanobelts with a nearly unchanged ultrathin structure. The nucleation and growth mechanism involved in the formations of nanobelts and nanoplates are proposed. The ethanol gas sensing properties of the V_2O_5 nanobelt networks-based sensor are investigated in a temperature range from 100℃ to 300℃ over ethanol concentrations ranging from 3 ppm to 500 ppm.The results indicate that the V_2O_5 nanobelt network sensor exhibits high sensitivity, good reversibility, and fast responserecovery characteristics with an optimal working temperature of 250℃. 展开更多
关键词 SEMICONDUCTORS NANOBELT crystal growth gas sensor
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SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性
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作者 于洪权 尉升升 +4 位作者 刘兆慧 尹志鹏 白娇 谢威威 王德君 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期380-388,共9页
偏压温度不稳定性(BTI)是影响SiC MOS器件性能的关键因素。提出了一种制备SiC MOS电容的新工艺,即在SiC干氧氧化气氛中掺入氯化氢(HCl),并对比了不同HCl与O_(2)体积流量比对SiC MOS电容电学性能的影响。结果表明,该工艺有效地改善了SiC ... 偏压温度不稳定性(BTI)是影响SiC MOS器件性能的关键因素。提出了一种制备SiC MOS电容的新工艺,即在SiC干氧氧化气氛中掺入氯化氢(HCl),并对比了不同HCl与O_(2)体积流量比对SiC MOS电容电学性能的影响。结果表明,该工艺有效地改善了SiC MOS电容的栅氧击穿特性,降低了界面态密度,提升了平带电压稳定性。二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子能谱(XPS)测试分析表明,掺氯热氧化技术能够有效消除界面缺陷。进一步分析表明,SiC掺氯热氧化技术能够降低可动离子面密度和氧化层陷阱电荷密度,能够有效改善器件的BTI特性。 展开更多
关键词 碳化硅 MOS电容 热氧化 偏压温度不稳定性(BTI) 阈值电压漂移
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