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退火温度对ZnO/PZT薄膜结构及电阻率的影响: 1; 作者谌青青高扬 +4 位作者杨涛杨成韬文忠张彩虹孟祥钦《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第2期262-264,共3页; 采用射频反应磁控溅射法在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了ZnO薄膜,利用X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔效应测试系统等对不同退火温度下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明,退火温度... 展开更多; 关键词 ZNO薄膜退火温度 X线衍射仪(XRD) 原子力显微镜(AFM); 在线阅读下载PDF 职称材料

溅射功率对AlN薄膜结构形貌的影响被引量：5: 2; 作者高扬许绍俊 +5 位作者谌青青孟祥钦张彩虹文忠杨涛杨成韬《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第2期276-278,282,共4页; 采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用X线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN薄膜的结构及形貌进行了分析表征。结果表明:在一定范围内,随着溅射功率的增大,薄... 展开更多; 关键词 ALN薄膜溅射功率结构形貌; 在线阅读下载PDF 职称材料

我国绿色专利法律调控机制研究被引量：7: 3; 作者刘雪凤谌青青《科技进步与对策》 CSSCI 北大核心 2013年第16期96-101,共6页; 为应对气候变暖,发达国家通过不断完善绿色专利方面的法律法规、推行强制许可制度等措施,形成了绿色技术领域各具特色的保护模式,有力推动了绿色专利的发展。然而,目前我国绿色专利的立法、司法和国际制度环境均不完善,与发达国家相比... 展开更多; 关键词绿色专利法律调控机制强制许可; 在线阅读下载PDF 职称材料

衬底温度对AlN/ZnO复合薄膜结构形貌的影响: 4; 作者高扬许绍俊 +5 位作者谌青青孟祥钦杨涛文忠张彩虹杨成韬《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第5期753-755,759,共4页; 采用直流反应磁控溅射法在ZnO/Si基片上制备了良好(002)(c轴)取向的AlN薄膜,利用XRD、AFM对不同衬底温度下制备的AlN薄膜的结构、形貌进行了分析表征。结果表明,在一定温度范围内(450～650℃),随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,沉积速... 展开更多; 关键词 AlN/ZnO复合薄膜磁控溅射衬底温度结构形貌; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名退火温度对ZnO/PZT薄膜结构及电阻率的影响: 1; 作者谌青青高扬杨涛杨成韬文忠张彩虹孟祥钦; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第2期262-264,共3页; 基金总装备部预研基金资助项目(5141202); 文摘采用射频反应磁控溅射法在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了ZnO薄膜,利用X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔效应测试系统等对不同退火温度下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明,退火温度600℃的ZnO薄膜(002)择优取向较好,晶粒大小均匀,表面平整致密。随着退火温度的增大,电阻率先下降后升高,600℃时ZnO薄膜电阻率达最小。; 关键词 ZNO薄膜退火温度 X线衍射仪(XRD) 原子力显微镜(AFM); Keywords ZnO thin film annealing temperature XRD AFM; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名溅射功率对AlN薄膜结构形貌的影响被引量：5: 2; 作者高扬许绍俊谌青青孟祥钦张彩虹文忠杨涛杨成韬; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室川庆钻探有限公司地址勘探开发研究院; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第2期276-278,282,共4页; 基金总装备部基金资助项目(5141202); 文摘采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用X线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN薄膜的结构及形貌进行了分析表征。结果表明:在一定范围内,随着溅射功率的增大,薄膜厚度增加,晶粒逐渐长大,表面粗糙度也随之增大;AlN(002)择优取向改善明显,120W时达到最佳。; 关键词 ALN薄膜溅射功率结构形貌; Keywords AlN thin films puttering power structure morphology; 分类号 TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名我国绿色专利法律调控机制研究被引量：7: 3; 作者刘雪凤谌青青; 机构中国矿业大学文法学院; 出处《科技进步与对策》 CSSCI 北大核心 2013年第16期96-101,共6页; 基金国家自然科学基金项目(71173080); 文摘为应对气候变暖,发达国家通过不断完善绿色专利方面的法律法规、推行强制许可制度等措施,形成了绿色技术领域各具特色的保护模式,有力推动了绿色专利的发展。然而,目前我国绿色专利的立法、司法和国际制度环境均不完善,与发达国家相比存在诸多不足。从法律调控角度出发,研究了美、日、英等绿色专利强国的实践,通过借鉴发达国家法律调控经验,结合我国绿色专利存在的问题,提出应从提高立法保障水平、完善执法保护体制、合理实施强制许可、建设快速通道等方面促进我国绿色专利发展。; 关键词绿色专利法律调控机制强制许可; 分类号 D923.4 [政治法律—民商法学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名衬底温度对AlN/ZnO复合薄膜结构形貌的影响: 4; 作者高扬许绍俊谌青青孟祥钦杨涛文忠张彩虹杨成韬; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室川庆钻探有限公司地址勘探开发研究院; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第5期753-755,759,共4页; 基金总装预研基金资助项目(5141202); 文摘采用直流反应磁控溅射法在ZnO/Si基片上制备了良好(002)(c轴)取向的AlN薄膜,利用XRD、AFM对不同衬底温度下制备的AlN薄膜的结构、形貌进行了分析表征。结果表明,在一定温度范围内(450～650℃),随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,沉积速率增大,表面粗糙度先减小后增大;AlN(002)择优取向呈改善趋势,取向度先增大后减小,600℃时达到最佳。; 关键词 AlN/ZnO复合薄膜磁控溅射衬底温度结构形貌; Keywords AlN compound thin films magnetron sputtering substrate temperature structure morphology; 分类号 TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料