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一种65 nm CMOS毫米波宽带低噪声放大器设计
1
作者
诸恒俊
张长春
+1 位作者
王静
张翼
《电子设计工程》
2025年第4期1-5,共5页
基于65 nm CMOS工艺设计了一款适用于5G毫米波相控阵接收机的宽带低噪声放大器(LNA)。该LNA主要由两级共源共栅(Cascode)放大器和输入、输出及级间耦合变压器构成。其中,第一级Cascode放大器采用栅-源间变压器磁耦跨导增强技术以提高增...
基于65 nm CMOS工艺设计了一款适用于5G毫米波相控阵接收机的宽带低噪声放大器(LNA)。该LNA主要由两级共源共栅(Cascode)放大器和输入、输出及级间耦合变压器构成。其中,第一级Cascode放大器采用栅-源间变压器磁耦跨导增强技术以提高增益;第二级Cascode放大器采用交叉耦合中和电容技术以扩展带宽;输入、输出及级间耦合变压器用以实现宽带阻抗匹配及提高增益平坦度等。仿真结果表明,所设计的LNA在24~29.5 GHz频带内能够取得高达22.3 dB的电压增益,优于±1 dB的增益平坦度以及低达4.4 dB的噪声系数,核心版图面积为683μm×147μm。
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关键词
毫米波
低噪声放大器
增益平坦度
变压器宽带匹配
中和电容
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职称材料
题名
一种65 nm CMOS毫米波宽带低噪声放大器设计
1
作者
诸恒俊
张长春
王静
张翼
机构
南京邮电大学集成电路科学与工程学院
出处
《电子设计工程》
2025年第4期1-5,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(62174090)
毫米波国家重点实验室开放课题(K202325)。
文摘
基于65 nm CMOS工艺设计了一款适用于5G毫米波相控阵接收机的宽带低噪声放大器(LNA)。该LNA主要由两级共源共栅(Cascode)放大器和输入、输出及级间耦合变压器构成。其中,第一级Cascode放大器采用栅-源间变压器磁耦跨导增强技术以提高增益;第二级Cascode放大器采用交叉耦合中和电容技术以扩展带宽;输入、输出及级间耦合变压器用以实现宽带阻抗匹配及提高增益平坦度等。仿真结果表明,所设计的LNA在24~29.5 GHz频带内能够取得高达22.3 dB的电压增益,优于±1 dB的增益平坦度以及低达4.4 dB的噪声系数,核心版图面积为683μm×147μm。
关键词
毫米波
低噪声放大器
增益平坦度
变压器宽带匹配
中和电容
Keywords
millimeter wave
LNA
gain flatness
transformer broadband matching
neutralization capacitance
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
一种65 nm CMOS毫米波宽带低噪声放大器设计
诸恒俊
张长春
王静
张翼
《电子设计工程》
2025
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