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先进光刻胶材料的研究进展
被引量：
25
1
作者
许箭
陈力
+4 位作者
田凯军
胡睿
李沙瑜
王双青
杨国强
《影像科学与光化学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期417-429,共13页
本文简述了光刻技术及光刻胶的发展过程,并对应用于193纳米光刻和下一代EUV光刻的光刻胶材料的研究进展进行了综述,特别对文献中EUV光刻胶材料的研发进行了较为详细的介绍,以期对我国先进光刻胶的研发工作有所帮助.
关键词
光刻胶
193nm光刻
EUV光刻
化学放大光刻胶
分子玻璃
在线阅读
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职称材料
题名
先进光刻胶材料的研究进展
被引量：
25
1
作者
许箭
陈力
田凯军
胡睿
李沙瑜
王双青
杨国强
机构
北京分子科学国家实验室中国科学院化学研究所光化学重点实验室
出处
《影像科学与光化学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期417-429,共13页
基金
国家科技重大专项(02专项:2011ZX02701)
文摘
本文简述了光刻技术及光刻胶的发展过程,并对应用于193纳米光刻和下一代EUV光刻的光刻胶材料的研究进展进行了综述,特别对文献中EUV光刻胶材料的研发进行了较为详细的介绍,以期对我国先进光刻胶的研发工作有所帮助.
关键词
光刻胶
193nm光刻
EUV光刻
化学放大光刻胶
分子玻璃
Keywords
photoresists
EUV lithography
193 nm lithography
chemically amplified photoresists
molecular glass
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
先进光刻胶材料的研究进展
许箭
陈力
田凯军
胡睿
李沙瑜
王双青
杨国强
《影像科学与光化学》
CAS
CSCD
北大核心
2011
25
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