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硅基径向纳米线阵列的制备及其机理研究
被引量：
2
1
作者
范东华
徐帅
许满钦
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第24期45-48,共4页
采用金属辅助化学刻蚀(MACE)的方法在硅衬底上制备出尺寸可控、表面光滑的硅纳米线阵列。利用扫描电子显微镜等检测仪器对所制备的硅纳米线样品进行了表征,研究了附银时间和双氧水浓度等工艺参数对硅纳米线生长的影响。结果表明,在附银...
采用金属辅助化学刻蚀(MACE)的方法在硅衬底上制备出尺寸可控、表面光滑的硅纳米线阵列。利用扫描电子显微镜等检测仪器对所制备的硅纳米线样品进行了表征,研究了附银时间和双氧水浓度等工艺参数对硅纳米线生长的影响。结果表明,在附银时间为60s、双氧水浓度为1.0mol/L条件下,能够得到较为均匀、规则的硅纳米线阵列。此外,探讨了银辅助刻蚀硅纳米线的形成机理。
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关键词
金属辅助的化学刻蚀
硅纳米线阵列
生长机理
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职称材料
题名
硅基径向纳米线阵列的制备及其机理研究
被引量：
2
1
作者
范东华
徐帅
许满钦
机构
五邑大学应用物理与材料学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第24期45-48,共4页
基金
广东省教育厅科技创新项目(2013KJCX0181)
广东省教育厅特色创新项目(2014KTSCX131)
文摘
采用金属辅助化学刻蚀(MACE)的方法在硅衬底上制备出尺寸可控、表面光滑的硅纳米线阵列。利用扫描电子显微镜等检测仪器对所制备的硅纳米线样品进行了表征,研究了附银时间和双氧水浓度等工艺参数对硅纳米线生长的影响。结果表明,在附银时间为60s、双氧水浓度为1.0mol/L条件下,能够得到较为均匀、规则的硅纳米线阵列。此外,探讨了银辅助刻蚀硅纳米线的形成机理。
关键词
金属辅助的化学刻蚀
硅纳米线阵列
生长机理
Keywords
MACE
silicon nanowire arrays
growth mechanism
分类号
TB321 [一般工业技术—材料科学与工程]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
硅基径向纳米线阵列的制备及其机理研究
范东华
徐帅
许满钦
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
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