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高温氧化对SiC MOS器件栅氧可靠性的影响 被引量:1
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作者 周钦佩 张静 +3 位作者 夏经华 许恒宇 万彩萍 韩锴 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期754-758,共5页
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO_2栅氧化层。在室温下... SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO_2栅氧化层。在室温下,对SiC MOS电容样品的栅氧化层进行零时击穿(TZDB)和与时间有关的击穿(TDDB)测试,并对不同干氧氧化温度处理下的栅氧化层样品分别进行了可靠性分析。结果发现,在1 250℃下进行高温干氧氧化时所得的击穿场强和击穿电荷最大,分别为11.21 MV/cm和5.5×10-4C/cm^2,势垒高度(2.43 eV)最接近理论值。当温度高于1 250℃时生成的SiO_2栅氧化层的可靠性随之降低。 展开更多
关键词 SiC金属氧化物半导体(MOS)器件 零时击穿(TZDB) 与时间有关的击穿(TDDB) 干氧氧化 可靠性
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Annealing temperature influence on the degree of inhomogeneity of the Schottky barrier in Ti/4H–SiC contacts 被引量:2
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作者 韩林超 申华军 +6 位作者 刘可安 王弋宇 汤益丹 白云 许恒宇 吴煜东 刘新宇 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第12期418-422,共5页
Tung's model was used to analyze anomalies observed in Ti/Si C Schottky contacts. The degree of the inhomogeneous Schottky barrier after annealing at different temperatures is characterized by the ‘T0anomaly' and t... Tung's model was used to analyze anomalies observed in Ti/Si C Schottky contacts. The degree of the inhomogeneous Schottky barrier after annealing at different temperatures is characterized by the ‘T0anomaly' and the difference(△Φ)between the uniformly high barrier height(Φ0B) and the effective barrier height(Φeff B). Those two parameters of Ti Schottky contacts on 4H–Si C were deduced from I–V measurements in the temperature range of 298 K–503 K. The increase in Schottky barrier(SB) height(ΦB) and decrease in the ideality factor(n) with an increase measurement temperature indicate the presence of an inhomogeneous SB. The degree of inhomogeneity of the Schottky barrier depends on the annealing temperature, and it is at its lowest for 500-°C thermal treatment. The degree of inhomogeneity of the SB could reveal effects of thermal treatments on Schottky contacts in other aspects. 展开更多
关键词 Schottky contact Si C inhomogeneity barrier
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基于AlON的4H-SiC MOS高k栅介质电性能
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作者 夏经华 桑玲 +5 位作者 查祎英 杨霏 吴军民 王世海 万彩萍 许恒宇 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第9期714-719,共6页
提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一。基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料AlON。在不同沉积后退火(PDA)温度下制备了AlON/4H-SiC MOS电容... 提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一。基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料AlON。在不同沉积后退火(PDA)温度下制备了AlON/4H-SiC MOS电容,对制备的AlON/4H-SiC MOS电容进行了高-低频电容-电压特性测试,并开展了介质零时击穿(TZDB)实验。发现当PDA温度为800℃时,得到的AlON/4H-SiC MOS电容有着较低的界面态密度、栅极电流密度和较高的介电击穿电场强度,表明经过合适的PDA工艺后,基于AlON高k栅介质材料的4H-SiC MOS器件栅介质的界面态密度得到显著降低,栅介质的介电性能和可靠性得到提高。 展开更多
关键词 4H-SIC 金属氧化物半导体(MOS)电容 原子层沉积(ALD) ALON 界面态 介质零时击穿(TZDB) 高k栅介质材料
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4H-SiC肖特基势垒二极管结终端刻蚀技术研究
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作者 王嘉铭 钮应喜 +8 位作者 裴紫微 赵妙 杨霏 李俊杰 李俊峰 张静 许恒宇 金智 刘新宇 《智能电网》 2016年第6期550-553,共4页
碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes,SBD)的耐压性能,而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键... 碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes,SBD)的耐压性能,而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键技术。研究通过使用SF_6/O_2/Ar、BCl_3/Cl_2/Ar、CF_4/O_2/Ar等不同刻蚀气体体系对SiC材料进行刻蚀,经过一系列的技术优化,最终开发出硬掩蔽倾斜结合CF_4/O_2/Ar气体干法刻蚀SiC的结终端技术。该技术在改善SiC肖特基势垒二极管击穿电压方面有着积极的作用。 展开更多
关键词 SIC 肖特基势垒二极管 结终端技术 耐压性能
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