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SiC_w/MoSi_2的化学炉自蔓延高温合成及反应过程研究 被引量：5
1
作者 许剑光 张厚安 +1 位作者 张宝林 李文兰 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期98-100,共3页
采用"化学炉"自蔓延高温合成(COSHS)技术,成功地原位合成了SiCw/MoSi2复合粉体。通过在原料中引入Si3N4晶须,在产物中获得了SiC晶须。XRD结果表明,产物中除了主要的MoSi2和SiC相,还含有少量的Mo4.8SiC0.6。研究了中间产物的... 采用"化学炉"自蔓延高温合成(COSHS)技术,成功地原位合成了SiCw/MoSi2复合粉体。通过在原料中引入Si3N4晶须,在产物中获得了SiC晶须。XRD结果表明,产物中除了主要的MoSi2和SiC相,还含有少量的Mo4.8SiC0.6。研究了中间产物的相组成和反应过程中的温度变化,指出"化学炉"自蔓延合成SiCw/MoSi2复合粉体的反应过程包括如下两步反应:①Mo与Si自蔓延反应生成MoSi2;②Si3N4与C反应生成SiC和N2。 展开更多
关键词 MOSI2 SIC晶须 “化学炉”自蔓延高温合成 原位复合
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自蔓延高温合成制备二硅化钼基材料的研究进展 被引量：4
2
作者 许剑光 张厚安 +1 位作者 张光业 颜建辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期69-71,75,共4页
自蔓延高温合成技术因具有低成本、反应速度快和转化率高等许多优点,成为制备二硅化钼基材料的有效方法。介绍了自蔓延高温合成二硅化钼的机理和影响因素,非常规SHS技术和SHS与加工技术联用在制备二硅化钼以及二硅化钼基复合材料中的应... 自蔓延高温合成技术因具有低成本、反应速度快和转化率高等许多优点,成为制备二硅化钼基材料的有效方法。介绍了自蔓延高温合成二硅化钼的机理和影响因素,非常规SHS技术和SHS与加工技术联用在制备二硅化钼以及二硅化钼基复合材料中的应用,在此基础上指出了自蔓延高温合成制备二硅化钼基材料今后的研究重点和发展方向。 展开更多
关键词 自蔓延高温合成 二硅化钼 复合材料
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原位无压反应烧结制备SiC-MoSi_2复合材料及其性能研究 被引量：3
3
作者 许剑光 侯周福 唐果宁 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期103-106,共4页
利用原位无压反应烧结方法制备了不同配比的SiC/MoSi2复合材料,分析了烧结工艺对产物的影响,研究了原位生成的SiC颗粒对MoSi2基体材料室温力学性能和显微结构的影响。结果表明:原位反应烧结制备SiC/MoSi2的工艺是可行的,反应生成的适量... 利用原位无压反应烧结方法制备了不同配比的SiC/MoSi2复合材料,分析了烧结工艺对产物的影响,研究了原位生成的SiC颗粒对MoSi2基体材料室温力学性能和显微结构的影响。结果表明:原位反应烧结制备SiC/MoSi2的工艺是可行的,反应生成的适量SiC颗粒细化了基体晶粒,改善了其力学性能;与该工艺下制备的纯MoSi2相比,含10%SiC的SiC/MoSi2复合材料室温抗弯强度提高了181%,该复合材料的强化机制为细晶强化和弥散强化,韧化机制为细晶增韧和裂纹偏转。 展开更多
关键词 SIC/MOSI2复合材料 SIC MOSI2 原位无压反应 力学性能 强化机制
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热镀锌钢铈盐/硅烷复合膜的制备及其耐蚀性能 被引量：13
4
作者 吴海江 徐国荣 +3 位作者 许剑光 徐红梅 吴玉蓉 颜焕元 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期16-18,7-8,共3页
热镀锌钢板上单一的铈盐、硅烷钝化膜有一些缺点,对提高其耐蚀性作用不大。为此,将热镀锌钢板先经铈盐溶液处理,再用乙烯基三甲氧基硅烷溶液浸渍,获得了铈盐/硅烷复合钝化膜。采用扫描电镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)、盐水全浸试验和电... 热镀锌钢板上单一的铈盐、硅烷钝化膜有一些缺点,对提高其耐蚀性作用不大。为此,将热镀锌钢板先经铈盐溶液处理,再用乙烯基三甲氧基硅烷溶液浸渍,获得了铈盐/硅烷复合钝化膜。采用扫描电镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)、盐水全浸试验和电化学交流阻抗谱(EIS)研究了复合膜层的表面形貌、结构特性和耐蚀性能。结果表明:硅烷膜能较好地填充铈盐转化膜中的裂纹,铈盐/硅烷复合膜层连续、完整、致密,厚400～450 nm,与基体结合较好,复合膜中硅烷膜/铈盐转化膜/锌基体的化学成分呈连续的梯度变化;与热镀锌钢相比,单一铈盐转化膜、硅烷膜的交流阻抗值增加了1个多数量级,复合膜的则增加了约2个数量级,复合膜层的耐蚀性较单一膜层显著增强,且优于常规铬酸盐钝化膜。 展开更多
关键词 复合钝化膜 硅烷膜 铈盐转化膜 热镀锌钢 耐蚀性
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镁合金表面钼酸盐转化膜的制备及其耐蚀性能 被引量：7
5
作者 吴海江 许剑光 +2 位作者 郭世柏 李会强 蔡春波 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期14-16,52,共4页
钼酸盐毒性低,有良好的缓蚀性能,可代替有毒的铬酸盐用于镁合金表面的耐蚀处理。采用正交试验优选了钼酸盐转化工艺中的Na2MoO4.2H2O浓度、NaH2PO4.2H2O浓度、pH值、成膜温度和时间,考察了压铸AZ91D镁合金在优化工艺条件下所得钼酸盐转... 钼酸盐毒性低,有良好的缓蚀性能,可代替有毒的铬酸盐用于镁合金表面的耐蚀处理。采用正交试验优选了钼酸盐转化工艺中的Na2MoO4.2H2O浓度、NaH2PO4.2H2O浓度、pH值、成膜温度和时间,考察了压铸AZ91D镁合金在优化工艺条件下所得钼酸盐转化膜的耐蚀性能,利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和中性盐雾腐蚀试验(NSS)等手段研究了转化膜的组成和形貌。结果显示:钼酸盐转化膜主要由Mg,A l,Mo,P和O等元素构成,膜层较为平整、均匀、致密,并存在一些不规则的微裂纹;钼酸盐转化膜有效地提高了AZ91D镁合金的耐蚀能力。 展开更多
关键词 转化膜 钼酸盐 镁合金 耐蚀性 正交试验 组成 形貌
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AZ91D压铸镁合金表面最佳硅烷成膜工艺及其耐蚀性能 被引量：4
6
作者 吴海江 徐国荣 +3 位作者 许剑光 徐红梅 吴玉蓉 颜焕元 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期32-34,56,共4页
过去,对AZ91D压铸镁合金表面硅烷化的报道较少。以耐点蚀性能为指标,采用正交试验法优选了AZ91D压铸镁合金表面制备γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH-500)膜的主要工艺参数,包括硅烷体积分数、乙醇与去离子水体积比、水解时间、溶液pH值和浸涂... 过去,对AZ91D压铸镁合金表面硅烷化的报道较少。以耐点蚀性能为指标,采用正交试验法优选了AZ91D压铸镁合金表面制备γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH-500)膜的主要工艺参数,包括硅烷体积分数、乙醇与去离子水体积比、水解时间、溶液pH值和浸涂时间等;通过盐水全浸试验考察了优化工艺条件下所得硅烷膜的耐蚀性能,利用扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)分析其表面形貌和组成。结果表明:影响AZ91D压铸镁合金表面KH-550硅烷成膜因素的主次顺序为溶液pH值>水解时间>乙醇与去离子水体积比>硅烷体系分数>浸涂时间;最佳成膜工艺条件为硅烷体积分数为5%,乙醇与去离子水体积比为85∶15,水解时间为2 h,pH值为9,浸涂时间90 s;以最佳工艺制备的KH-550硅烷膜自然干燥后不太均匀,膜主要由C,N,O,Mg,Al,Si等元素组成,其防护能力略优于常规低铬钝化膜,可显著改善镁合金基体的耐蚀性能。 展开更多
关键词 γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH-500)膜 耐蚀性 AZ91D镁合金 正交试验
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粉末粒度对喷涂二硅化钼涂层微观结构的影响 被引量：3
7
作者 颜建辉 徐红梅 +2 位作者 许剑光 胡小平 唐思文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第18期34-37,共4页
分别以2.5～15μm、15～30μm、30～54μm和54～74μm四种粒径的二硅化钼为热喷涂粉末,利用大气等离子喷涂技术制备了二硅化钼涂层,通过XRD和带能谱的SEM表征了涂层的微观组织结构。结果表明,喷涂过程中,喷涂粉末中部分四方相MoSi2(t)... 分别以2.5～15μm、15～30μm、30～54μm和54～74μm四种粒径的二硅化钼为热喷涂粉末,利用大气等离子喷涂技术制备了二硅化钼涂层,通过XRD和带能谱的SEM表征了涂层的微观组织结构。结果表明,喷涂过程中,喷涂粉末中部分四方相MoSi2(t)转变为六方相MoSi2(h),MoSi2中的Si含量出现了损失。随着喷涂粉末粒径的增大,MoSi2粒子在沉积过程中的氧化程度减弱,涂层中的Mo、Mo5Si3等富钼相和MoO3、MoO2等氧化产物的相对含量逐渐减少,而富硅相MoSi2逐渐增加。粉末粒度分别在30～54μm和54～74μm范围时,均可获得以MoSi2为主相的涂层。以粒径30～54μm的粉末制备的涂层组织较致密,内部出现了富钼相"网状"结构的组织。 展开更多
关键词 粉末粒度 热喷涂 二硅化钼 涂层 微观组织
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载荷对原位无压烧结MoSi_2基复合材料磨损性能的影响 被引量：1
8
作者 陈芳 侯周福 +2 位作者 方亨农 唐果宁 许剑光 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期95-97,共3页
通过原位烧结的方法成功制备出SiC-WSi2-MoSi2复合材料,并在XP-5型高温摩擦磨损试验机上考察了SiC-WSi2-MoSi2复合材料与Al2O3陶瓷对磨时的摩擦磨损特性。采用带微探针的扫描电子显微镜(SEM)观察与分析了SiC-WSi2-MoSi2复合材料的磨损... 通过原位烧结的方法成功制备出SiC-WSi2-MoSi2复合材料,并在XP-5型高温摩擦磨损试验机上考察了SiC-WSi2-MoSi2复合材料与Al2O3陶瓷对磨时的摩擦磨损特性。采用带微探针的扫描电子显微镜(SEM)观察与分析了SiC-WSi2-MoSi2复合材料的磨损表面形貌及成分组成,并讨论了其磨损机理。实验结果表明:复合材料的磨损过程可分为3个阶段:跑合阶段、过渡期和稳定磨损;MoSi2基复合材料的磨损机理随着载荷变化而变化,依次表现为氧化、粘着、研磨和疲劳磨损。Al2O3的磨损机制为粘着和疲劳磨损。 展开更多
关键词 MOSI2基复合材料 原位无压烧结 磨损机理
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新型Ti_(3)C_(2)MXene的化学制备及基于MXene忆阻器特性与机理
9
作者 王钰琪 张缪城 +7 位作者 徐威 沈心怡 高斐 朱家乐 万相 连晓娟 许剑光 童祎 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第3期15-22,共8页
阻变器件是一种微电子器件,具有阻值可在两个甚至两个以上的阻态之间重复变化的特点。忆阻器作为新型的阻变器件,具有可连续变化的丰富阻态。近年来因其具备简单的二端结构、高集成度以及低工作电压等特性,在新型非易失性存储以及构建... 阻变器件是一种微电子器件,具有阻值可在两个甚至两个以上的阻态之间重复变化的特点。忆阻器作为新型的阻变器件,具有可连续变化的丰富阻态。近年来因其具备简单的二端结构、高集成度以及低工作电压等特性,在新型非易失性存储以及构建神经形态系统等方面被广泛研究。但其在实现应用的过程中仍存在着稳定性较差等问题。近期一些工作证明了二维材料如氧化石墨烯在优化忆阻器性能方面具备良好的应用潜力。MXene是一种具备类似石墨烯结构的新型二维过渡金属碳/氮化物,因其具备二维层状结构显现出特殊的力学以及电学特性,有望应用于忆阻器中以提高器件的电学性能。在本文中,我们通过化学湿法刻蚀制备了Ti_(3)C_(2)粉末,通过旋涂工艺在忆阻器结构中引入Ti_(3)C_(2)薄膜。Ti_(3)C_(2)MXene与SiO_(2)同时作为忆阻器阻变层,制备了Cu/Ti_(3)C_(2)/SiO_(2)/W结构的忆阻器,并且对其相关电学特性进行了探究。在该器件上,通过实验测得忆阻器典型的开关特性曲线并在双向直流电压下针对高、低阻态的可重复性、稳定性进行了实验。结果表明该器件能够在100个扫描循环过程中保持稳定的高、低阻态达到10^(4) s以上。同时,该器件状态能够受脉冲电压调节,实现突触间典型的双脉冲易化行为。实验结果表明基于Ti_(3)C_(2)MXene的忆阻器将有望应用于构建新兴存储设备以及人工神经形态系统。 展开更多
关键词 阻变器件 忆阻器 湿法刻蚀 MXene 导电特性 导电机理
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