期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
高电子迁移率晶体管的研究进展
被引量：
3
1
作者
许俊焯
蒙自明
《科技创新与应用》
2023年第13期99-104,共6页
高电子迁移率晶体管(HEMT)作为半导体功率器件,能够应用在高温、高压和高频等环境。到目前为止,第二代半导体材料GaAs、InP基HEMTs体系的发展已相当成熟,随着第三代半导体GaN基HEMT体系的数据及理论不断完善,其在相关领域的应用正逐渐...
高电子迁移率晶体管(HEMT)作为半导体功率器件,能够应用在高温、高压和高频等环境。到目前为止,第二代半导体材料GaAs、InP基HEMTs体系的发展已相当成熟,随着第三代半导体GaN基HEMT体系的数据及理论不断完善,其在相关领域的应用正逐渐占据市场的主导地位,而随着对超宽禁带半导体Ga2O3理论的完善及无铱工艺的出现,Ga2O3基HEMT器件在电力电子、射频微波等领域展现出巨大的发展潜力。
展开更多
关键词
高电子迁移率晶体管
氮化镓
氧化镓
HEMT
研究进展
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
高电子迁移率晶体管的研究进展
被引量：
3
1
作者
许俊焯
蒙自明
机构
广东工业大学
出处
《科技创新与应用》
2023年第13期99-104,共6页
文摘
高电子迁移率晶体管(HEMT)作为半导体功率器件,能够应用在高温、高压和高频等环境。到目前为止,第二代半导体材料GaAs、InP基HEMTs体系的发展已相当成熟,随着第三代半导体GaN基HEMT体系的数据及理论不断完善,其在相关领域的应用正逐渐占据市场的主导地位,而随着对超宽禁带半导体Ga2O3理论的完善及无铱工艺的出现,Ga2O3基HEMT器件在电力电子、射频微波等领域展现出巨大的发展潜力。
关键词
高电子迁移率晶体管
氮化镓
氧化镓
HEMT
研究进展
Keywords
high electron mobility transistor
gallium nitride
gallium oxide
HEMT
research progress
分类号
U455.6 [建筑科学—桥梁与隧道工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高电子迁移率晶体管的研究进展
许俊焯
蒙自明
《科技创新与应用》
2023
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
