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题名氢稀释对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响及薄膜生长机理
被引量：3
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作者
于威
詹小舟
李彬
徐艳梅
李晓苇
傅广生
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机构
河北大学物理科学与技术学院 河北省光电信息材料重点实验室
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期927-931,共5页
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基金
国家自然科学基金(No.60878040)
河北省自然科学基金(No.E2009000208)资助
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文摘
以SiH4与H2作为前驱气体,采用射频等离子增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅薄膜.利用Raman散射和红外吸收光谱等技术,对不同氢稀释比条件下薄膜的微观结构和键合特性进行了研究.结果表明,随着氢稀释比增加,薄膜的晶化率明显提高,而氢稀释比过高时,薄膜晶化率呈现减少趋势.红外吸收光谱分析表明,纳米晶硅薄膜中氢的键合模式与薄膜的晶化特性密切相关.随着氢稀释比增加,薄膜中整体氢含量和SiH2键合密度明显减少,而在高氢稀释比条件下,氢稀释比增加导致薄膜中SiH2键合密度和整体氢含量增加.
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关键词
纳米晶硅薄膜
晶化率
氢稀释
生长机理
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Keywords
Nanocrystalline silicon films
Crystallization rate
Hydrogen dilution
Growth mechanism
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分类号
TB3
[一般工业技术—材料科学与工程]
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