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题名退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响
被引量：3
- 1
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作者
解群眺
毛世平
薛守迪
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
中国电子科技集团公司第
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第2期299-301,319,共4页
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基金
"九七三"计划基金资助项目(51363Z04)
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文摘
采用射频反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,采用X线衍射(XRD)、X线光电子能谱(XPS)分析方法研究了退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响。结果表明,随着退火温度的上升,薄膜的择优取向及取向一致性更好,晶化程度增高,晶粒尺寸变大。退火使更多的Zn间隙原子回到晶格位置,并弥补薄膜中氧的不足,且高温退火易引起氧的解析,三者相互作用使晶面间距随着退火温度的上升而逐渐变小,压应力变大,ZnO中的O含量逐渐减少,Zn/O的原子比逐渐接近于1。
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关键词
ZNO薄膜
退火温度
X线衍射(XRD)
X线光电子能谱(XPS)
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Keywords
ZnO thin film
annealing temperature
XRD
XPS
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分类号
TN65
[电子电信—电路与系统]
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题名衬底温度对AlN薄膜结构及电阻率的影响
被引量：1
- 2
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作者
薛守迪
杨成韬
解群眺
毛世平
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
中国电子科技集团公司第
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第3期475-478,共4页
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基金
"九七三"计划基金资助项目(51363Z04)
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文摘
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明:随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,AlN(002)择优取向明显改善,600℃达到最佳。一定范围内提高温度使晶粒均匀、致密,有利于改善表面粗糙情况和提高电阻率,550℃时表面粗糙度达到最低(2.8 nm)且有最大的电阻率(3.35×1012Ω.cm);同时薄膜应力随温度升高有增大趋势。
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关键词
AIN薄膜
衬底温度
XRD
原子力显微镜(AFM)
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Keywords
AlN thin film
substrate temperature
XRD
AFM
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分类号
TN65
[电子电信—电路与系统]
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