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冷却规律的计算机实时测量 被引量:7
1
作者 褚幼令 赵天相 陈元杰 《物理实验》 2000年第6期17-18,共2页
通过AD590温度传感器测量对流冷却规律,经ULI接口与计算机连接,用特定的软件TEMP进行曲线拟合,验证了冷却规律,并在不同的冷却条件下观察冷却规律的变化.
关键词 冷却规律 传感器 曲线拟合 温度传感器
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薄片样品霍尔迁移率的无接触测试和计算 被引量:1
2
作者 褚幼令 王宗欣 许瓯 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期141-146,共6页
设计了一种微波介质波导探头用于无接触测量半导体薄片样品的霍尔迁移率。它具有体积小、被测薄片样品大小不受限制等优点。在直流磁场变化时,无接触测试了一组n型硅薄片样品的横向磁阻,讨论了磁阻的计算方法及考虑样品的晶向后,由磁阻... 设计了一种微波介质波导探头用于无接触测量半导体薄片样品的霍尔迁移率。它具有体积小、被测薄片样品大小不受限制等优点。在直流磁场变化时,无接触测试了一组n型硅薄片样品的横向磁阻,讨论了磁阻的计算方法及考虑样品的晶向后,由磁阻计算霍尔迁移率的方法,实验测试及计算结果是较为满意的。 展开更多
关键词 霍尔迁移率 微波 测量 半导体 薄片
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弹簧振子振动特性的计算机实时测量 被引量:4
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作者 褚幼令 陈乃东 王挚平 《大学物理》 1998年第5期32-34,共3页
通过力传感器和距离传感器测量弹簧振动时的力学量,并用计算机分析弹簧振子各力学量之间的关系,实现对弹簧振动特性的实时测量。
关键词 弹簧振子 实时测量 振动 计算机应用 机械振动
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SiO_x、Si/Si_(1-x)Ge_x的横向磁阻和迁移率的无接触测量
4
作者 褚幼令 盛篪 +2 位作者 王昕 龚大卫 王宗欣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期92-96,共5页
用分子束外延技术在p型Si衬底上生长成了Si/Si1-xGex应变层超晶格和掺铒(Er)SiOx外延层,用无接触法测量了它们的横向磁阻,并且用拟合方法由横向磁阻计算了它们的迁移率。
关键词 无接触测量 磁阻 霍尔迁移率 外延生长
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无接触法测量多晶硅材料的少子扩散长度
5
作者 褚幼令 王宗欣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期353-356,共4页
用微波光电导谱仪无接触、非破坏性地测量了多晶硅的微波光电导谱,推导了由光电导谱计算多晶硅样品的少子扩散长度和表面复合速度的计算方法,并由此算得了样品的少子扩散长度和表面复合速度。测试区域是一个直径为3mm的圆斑。这是一种... 用微波光电导谱仪无接触、非破坏性地测量了多晶硅的微波光电导谱,推导了由光电导谱计算多晶硅样品的少子扩散长度和表面复合速度的计算方法,并由此算得了样品的少子扩散长度和表面复合速度。测试区域是一个直径为3mm的圆斑。这是一种简便而又准确的测试方法。这样的方法还适用于GaAs薄片材料少子扩散长度的测量和计算。 展开更多
关键词 多晶硅 扩散 载流子 光电导谱
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有相异表面复合速度时半导体薄片少子连续方程的解及应用 被引量:1
6
作者 王宗欣 褚幼令 《固体电子学研究与进展》 CAS 1987年第2期105-113,共9页
本文给出了有相异表面复合速度时半导体薄片少子连续方程的一种新解法。数值计算结果表明,薄片的少子光电导衰退曲线可以用这种解的一次模和二次模之和来表示。可以使用这些结果讨论一些薄片的少子寿命和表面复合速度。
关键词 表面复合 少子寿命 复合(半导体) 非平衡载流子寿命 薄片 少子 方程的解 相异
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