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铝薄膜CMP影响因素分析被引量：1: 1; 作者袁育杰刘玉岭 +1 位作者张远祥程东升《微纳电子技术》 CAS 2006年第2期107-111,共5页; 提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型,对抛光液的pH值、磨料、氧化剂浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程参数:硅溶胶粒径为15～20nm,pH值为10.8～11.2,氧化剂浓度为2... 展开更多; 关键词化学机械抛光铝薄膜全局平面化; 在线阅读下载PDF 职称材料

蓝宝石衬底材料CMP抛光工艺研究被引量：18: 2; 作者赵之雯牛新环 +2 位作者檀柏梅袁育杰刘玉岭《微纳电子技术》 CAS 2006年第1期16-19,46,共5页; 介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,阐述了蓝宝石衬底的应用发展前景以及加工工艺中存在的问题,总结了影响CMP工艺的多种因素,并系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数及其影响因素,提出了优化方案,采用大粒径、低分散度的磨料,... 展开更多; 关键词蓝宝石化学机械抛光影响因素表面状态; 在线阅读下载PDF 职称材料

低温沉积硅薄膜电池及其在塑料衬底上的应用被引量：2: 3; 作者倪牮薛俊明 +5 位作者赵鹏张建军袁育杰侯国付赵颖耿新华《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期40-44,共5页; 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,保持衬底温度在125℃沉积硅薄膜材料及电池,研究了硅烷浓度、辉光功率等沉积参数对材料和电池性能的影响。在125℃的低温条件下,通过优化沉积工艺,在玻璃衬底和PET塑料衬底上分别制备... 展开更多; 关键词低温沉积硅薄膜太阳电池塑料衬底柔性电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能的影响被引量：1: 4; 作者韩晓艳张晓丹 +8 位作者侯国付郭群超袁育杰董培魏长春孙建薛俊明赵颖耿新华《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期915-919,共5页; 采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α_(0.8eV))小于2.5cm^(-1)且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性... 展开更多; 关键词高速沉积非晶孵化层微晶硅太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

ULSI多层铜互连线的碟形坑问题研究被引量：1: 5; 作者刘博刘玉岭袁育杰《微纳电子技术》 CAS 2007年第2期101-105,共5页; 介绍了ULSI多层铜互连线中的碟形坑问题,对其产生的原因及影响因素进行了分析。针对影响因素中的工艺条件,分别进行了不同压力、温度、流量的试验,得到了上述各因素对抛光速率的影响。基于上述试验结果,确定了铜互连线化学机械抛光(CMP... 展开更多; 关键词铜互连线碟形坑化学机械抛光抛光液; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铝薄膜CMP影响因素分析被引量：1: 1; 作者袁育杰刘玉岭张远祥程东升; 机构河北工业大学微电子研究所; 出处《微纳电子技术》 CAS 2006年第2期107-111,共5页; 基金天津市重点自然科学基金(043801211); 文摘提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型,对抛光液的pH值、磨料、氧化剂浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程参数:硅溶胶粒径为15～20nm,pH值为10.8～11.2,氧化剂浓度为2.5%～3%。; 关键词化学机械抛光铝薄膜全局平面化; Keywords chemical mechanical polishing aluminum film global planarization; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名蓝宝石衬底材料CMP抛光工艺研究被引量：18: 2; 作者赵之雯牛新环檀柏梅袁育杰刘玉岭; 机构河北工业大学微电子研究所; 出处《微纳电子技术》 CAS 2006年第1期16-19,46,共5页; 文摘介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,阐述了蓝宝石衬底的应用发展前景以及加工工艺中存在的问题,总结了影响CMP工艺的多种因素,并系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数及其影响因素,提出了优化方案,采用大粒径、低分散度的磨料,加入有机碱及活性剂,能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。; 关键词蓝宝石化学机械抛光影响因素表面状态; Keywords sapphire CMP effect factor surface state; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学] TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低温沉积硅薄膜电池及其在塑料衬底上的应用被引量：2: 3; 作者倪牮薛俊明赵鹏张建军袁育杰侯国付赵颖耿新华; 机构南开大学光电子薄膜器件与技术研究所; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期40-44,共5页; 基金国家重点基础研究发展(973)规划(2006CB202602 2006CB202603) 天津市科技发展规划项目(06YFGZGX02100); 文摘采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,保持衬底温度在125℃沉积硅薄膜材料及电池,研究了硅烷浓度、辉光功率等沉积参数对材料和电池性能的影响。在125℃的低温条件下,通过优化沉积工艺,在玻璃衬底和PET塑料衬底上分别制备出效率达到6.8%和3.9%的单结非晶硅电池。在PET衬底上,将低温沉积非晶硅电池的技术应用于的叠层电池的顶电池,制备出效率为4.6%的非晶/微晶硅叠层电池。; 关键词低温沉积硅薄膜太阳电池塑料衬底柔性电池; Keywords low substrate temperatures silicon thin film solar cells plastic substrates flexible solar cells; 分类号 TK513.5 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能的影响被引量：1: 4; 作者韩晓艳张晓丹侯国付郭群超袁育杰董培魏长春孙建薛俊明赵颖耿新华; 机构南开大学光电子薄膜器件与技术研究所; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期915-919,共5页; 基金国家重点基础研究发展(973)计划项目2006CB202602 2006CB202603) +1 种基金国家自然科学基金(60506003) 国家科技计划配套项目(07QTPTJC29500); 文摘采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α_(0.8eV))小于2.5cm^(-1)且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性能却有明显差异。通过对微晶硅电池的光、暗态J-V,量子效率(QE)和微区拉曼(Raman)测试发现,微晶硅薄膜中非晶孵化层厚度的不同是引起电池性能差异的主要原因。反应气体总流量较低时沉积的微晶硅薄膜具有较厚的非晶孵化层,阻碍了载流子的输运,使电池的长波光谱响应下降,从而降低了电池的短路电流密度与填充因子;而增加总气体流量,有效减小了微晶硅薄膜中的非晶孵化层的厚度。从而使电池性能得到改善。最后在总气体流量为500sccm时,制备得到沉积速率为1nm/s,效率为7.3%的单结微晶硅太阳电池。; 关键词高速沉积非晶孵化层微晶硅太阳电池; Keywords high rate deposition amorphous silicon incubation layer microcrystalline silicon solar cells; 分类号 TN304.105.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ULSI多层铜互连线的碟形坑问题研究被引量：1: 5; 作者刘博刘玉岭袁育杰; 机构河北工业大学微电子研究所; 出处《微纳电子技术》 CAS 2007年第2期101-105,共5页; 基金天津市自然科学基金重点科技发展计划项目资助(043801211); 文摘介绍了ULSI多层铜互连线中的碟形坑问题,对其产生的原因及影响因素进行了分析。针对影响因素中的工艺条件,分别进行了不同压力、温度、流量的试验,得到了上述各因素对抛光速率的影响。基于上述试验结果,确定了铜互连线化学机械抛光(CMP)的工艺条件,并进行了不同抛光液配比的试验,从而找出一种合适的方法,使不同材料的抛光速率达到一致,有效降低了碟形坑出现的几率。; 关键词铜互连线碟形坑化学机械抛光抛光液; Keywords copper interconnection dishing CMP slurry; 分类号 TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	铝薄膜CMP影响因素分析	袁育杰刘玉岭张远祥程东升	《微纳电子技术》 CAS	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	蓝宝石衬底材料CMP抛光工艺研究	赵之雯牛新环檀柏梅袁育杰刘玉岭	《微纳电子技术》 CAS	2006	18	在线阅读下载PDF 职称材料
3	低温沉积硅薄膜电池及其在塑料衬底上的应用	倪牮薛俊明赵鹏张建军袁育杰侯国付赵颖耿新华	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能的影响	韩晓艳张晓丹侯国付郭群超袁育杰董培魏长春孙建薛俊明赵颖耿新华	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	ULSI多层铜互连线的碟形坑问题研究	刘博刘玉岭袁育杰	《微纳电子技术》 CAS	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料