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压接型IGBT器件内芯片电流测量线圈宽频特性与参数选择
1
作者
季一润
袁文迁
+4 位作者
槐青
袁茜
郝震
孙鹏
赵志斌
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第12期1072-1081,共10页
印刷电路板(PCB)Rogowski线圈适用于大功率压接型IGBT器件的电流测量,是器件结温测量与失效状态监测的重要手段。结合PCB Rogowski线圈本体的阻抗特性和外部测量环境,进行了电流传感器的积分环节的优化设化,以达到最优的信号质量和最小...
印刷电路板(PCB)Rogowski线圈适用于大功率压接型IGBT器件的电流测量,是器件结温测量与失效状态监测的重要手段。结合PCB Rogowski线圈本体的阻抗特性和外部测量环境,进行了电流传感器的积分环节的优化设化,以达到最优的信号质量和最小的干扰噪声。研究了积分器电路阻容参数对传感器输出特性的影响,并结合传感器的高频稳定性、增益和带宽的测量需求,确定了传感器阻容参数的最优取值范围。设计出一款可测量压接型IGBT器件内芯片电流的监测装置,在压接型IGBT动态测试电路平台上测量芯片的脉冲电流,并与商用传感器的测量结果进行对比,验证了该传感器良好的高频感知精度,其可用于压接型IGBT器件内部芯片的电流测量。
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关键词
压接型IGBT
电流测量
PCB
Rogowski线圈
积分环节
阻容参数
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职称材料
MMC压接子模块动态特性测试及寄生参数分析
被引量：
2
2
作者
袁文迁
胡应宏
+3 位作者
宋鹏
季一润
袁茜
槐青
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第12期999-1008,共10页
对4500 V/2000 A StakPak IGBT器件组成的半桥子模块开展了动态参数测试,测试电压和电流达到2700 V和2500 A,瞬态电流峰值接近3800 A。利用测试数据对动态过程电流变化影响因素进行了分析,发现关断电流下降过程主要受续流二极管(FWD)正...
对4500 V/2000 A StakPak IGBT器件组成的半桥子模块开展了动态参数测试,测试电压和电流达到2700 V和2500 A,瞬态电流峰值接近3800 A。利用测试数据对动态过程电流变化影响因素进行了分析,发现关断电流下降过程主要受续流二极管(FWD)正向特性影响,关断电流下降及关断电压过冲基本不受测试电压变化影响。但测试电压影响pnp晶体管放大倍数及开通过程电流波形。开通电流上升过程波形可近似采用二次函数与一次函数分段描述。子模块寄生电感计算值受选取时间段的影响,在开通电流上升过程初始阶段进行回路寄生电感计算误差相对较小,子模块回路寄生电感值约为90 nH。
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关键词
半桥子模块
动态特性
开关损耗
寄生电感
电流上升过程
电流下降过程
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职称材料
横向结构压接IGBT动态测试平台设计及其寄生电感抑制
3
作者
袁文迁
季一润
+4 位作者
杨敏祥
槐青
袁茜
郝震
刘铁城
《半导体技术》
2025年第5期514-522,共9页
传统的纵向结构压接IGBT(PPI)测试平台的叠层母排区域互感较强,但PPI与回流母排的互感较弱,同时无法对被测和陪测器件分别施加不同的机械压力和温度。针对这一问题,研制了一种新型横向结构测试平台,通过改变IGBT周边区域电流分布,增强互...
传统的纵向结构压接IGBT(PPI)测试平台的叠层母排区域互感较强,但PPI与回流母排的互感较弱,同时无法对被测和陪测器件分别施加不同的机械压力和温度。针对这一问题,研制了一种新型横向结构测试平台,通过改变IGBT周边区域电流分布,增强互感,使该区域寄生电感降低了36.9%,有效降低了回路总寄生电感。且通过将被测IGBT和陪测续流二极管(FWD)并排布置,可以在不同的机械压力和温度条件下对被测IGBT和FWD开展特性分析。该平台测试了125℃以内4.5 kV PPI的动态特性,通过实测数据分析,该平台的寄生电感约为110 nH,表明测试平台具有良好的电气特性,实现了电气结构与机械压力结构的良好兼顾。
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关键词
压接IGBT(PPI)
动态测试平台
横向结构
寄生电感
互感
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职称材料
题名
压接型IGBT器件内芯片电流测量线圈宽频特性与参数选择
1
作者
季一润
袁文迁
槐青
袁茜
郝震
孙鹏
赵志斌
机构
国网冀北电力有限公司电力科学研究院
柔性直流输电运维检修技术国家电网有限公司实验室
华北电力大学电气与电子工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第12期1072-1081,共10页
基金
国网冀北电力有限公司科技项目(B3018K230026)。
文摘
印刷电路板(PCB)Rogowski线圈适用于大功率压接型IGBT器件的电流测量,是器件结温测量与失效状态监测的重要手段。结合PCB Rogowski线圈本体的阻抗特性和外部测量环境,进行了电流传感器的积分环节的优化设化,以达到最优的信号质量和最小的干扰噪声。研究了积分器电路阻容参数对传感器输出特性的影响,并结合传感器的高频稳定性、增益和带宽的测量需求,确定了传感器阻容参数的最优取值范围。设计出一款可测量压接型IGBT器件内芯片电流的监测装置,在压接型IGBT动态测试电路平台上测量芯片的脉冲电流,并与商用传感器的测量结果进行对比,验证了该传感器良好的高频感知精度,其可用于压接型IGBT器件内部芯片的电流测量。
关键词
压接型IGBT
电流测量
PCB
Rogowski线圈
积分环节
阻容参数
Keywords
press-pack IGBT
current measurement
PCB Rogowski coil
integration link
resistance and capacitance parameters
分类号
TN710.4 [电子电信—电路与系统]
TN307 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
MMC压接子模块动态特性测试及寄生参数分析
被引量：
2
2
作者
袁文迁
胡应宏
宋鹏
季一润
袁茜
槐青
机构
国网冀北电力有限公司电力科学研究院
柔性直流输电运维检修技术国网冀北电力有限公司重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第12期999-1008,共10页
基金
国家电网有限公司总部科技项目(5500-202114133A-0-0-00)。
文摘
对4500 V/2000 A StakPak IGBT器件组成的半桥子模块开展了动态参数测试,测试电压和电流达到2700 V和2500 A,瞬态电流峰值接近3800 A。利用测试数据对动态过程电流变化影响因素进行了分析,发现关断电流下降过程主要受续流二极管(FWD)正向特性影响,关断电流下降及关断电压过冲基本不受测试电压变化影响。但测试电压影响pnp晶体管放大倍数及开通过程电流波形。开通电流上升过程波形可近似采用二次函数与一次函数分段描述。子模块寄生电感计算值受选取时间段的影响,在开通电流上升过程初始阶段进行回路寄生电感计算误差相对较小,子模块回路寄生电感值约为90 nH。
关键词
半桥子模块
动态特性
开关损耗
寄生电感
电流上升过程
电流下降过程
Keywords
half-bridge sub-module
dynamic characteristic
switching loss
parasitic inductance
current rise process
current drop process
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
横向结构压接IGBT动态测试平台设计及其寄生电感抑制
3
作者
袁文迁
季一润
杨敏祥
槐青
袁茜
郝震
刘铁城
机构
国网冀北电力有限公司电力科学研究院设备状态评价中心
出处
《半导体技术》
2025年第5期514-522,共9页
基金
国家电网公司总部科技项目(5500-202322172A-1-1-ZN)。
文摘
传统的纵向结构压接IGBT(PPI)测试平台的叠层母排区域互感较强,但PPI与回流母排的互感较弱,同时无法对被测和陪测器件分别施加不同的机械压力和温度。针对这一问题,研制了一种新型横向结构测试平台,通过改变IGBT周边区域电流分布,增强互感,使该区域寄生电感降低了36.9%,有效降低了回路总寄生电感。且通过将被测IGBT和陪测续流二极管(FWD)并排布置,可以在不同的机械压力和温度条件下对被测IGBT和FWD开展特性分析。该平台测试了125℃以内4.5 kV PPI的动态特性,通过实测数据分析,该平台的寄生电感约为110 nH,表明测试平台具有良好的电气特性,实现了电气结构与机械压力结构的良好兼顾。
关键词
压接IGBT(PPI)
动态测试平台
横向结构
寄生电感
互感
Keywords
press pack IGBT(PPI)
dynamic testing platform
transverse structure
parasitic inductance
mutual inductance
分类号
TN32 [电子电信]
TN307 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
压接型IGBT器件内芯片电流测量线圈宽频特性与参数选择
季一润
袁文迁
槐青
袁茜
郝震
孙鹏
赵志斌
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
MMC压接子模块动态特性测试及寄生参数分析
袁文迁
胡应宏
宋鹏
季一润
袁茜
槐青
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
2
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职称材料
3
横向结构压接IGBT动态测试平台设计及其寄生电感抑制
袁文迁
季一润
杨敏祥
槐青
袁茜
郝震
刘铁城
《半导体技术》
2025
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职称材料
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