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我国晶体生长设备的现状与发展 被引量:2
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作者 袁文愈 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期227-,共1页
1 我国晶体生长设备的现状我国人工晶体材料有了很大的发展 ,多种晶体处于世界先进水平。然而 ,从整体来看还很不适应国民经济和国防建设高速发展的需要 ,装备的制约是主要因素之一。在晶体材料的研究和开发方面 ,应重视材料的技术水... 1 我国晶体生长设备的现状我国人工晶体材料有了很大的发展 ,多种晶体处于世界先进水平。然而 ,从整体来看还很不适应国民经济和国防建设高速发展的需要 ,装备的制约是主要因素之一。在晶体材料的研究和开发方面 ,应重视材料的技术水平和技术指标 ,也需要相应的先进工艺装备的研究以及高技术产业的建设。至今 ,不少单位仍使用 6 0年代的TDK 36和TDK 36AZ型硅、锗单晶炉生长氧化物晶体材料 ,机械传动爬行和振动很大 ,电器自动控制精度很低 ,部件已磨损和腐蚀 ,很难满足晶体生长的基本条件。JDL 4 0型激光晶体炉 ,80年通过机械部和电子部组织的鉴定。 2 0年来西安理工大学共生产 4 0型晶体炉 89台 ,加上北京十一所近年生产的约 4 0台 ,12 0余台 4 0型激光晶体炉是当今我国氧化物晶体直拉生长的主要设备。但该炉型从投料量和自动化水平方面已不能适应晶体发展的需要。为此 1998年西安理工大学研制成功TDL J75型晶体炉 ,该炉具有如下特点。(1)高精度的提拉系统 ,采用精密滚珠丝杠传动 ,直线滚动导轨导向 ,没有滑动摩擦 ,爬行大幅的减小。电机传动采用 1:10 0 0 0的谐波减速 ,进一步提高传动精度。标尺采用刻度为 0 .0 0 1mm光栅尺 ,提高了行程指示精度。结构上便于安装上称重系统 ,为今后提高自动化水平提? 展开更多
关键词 晶体生长设备 单晶炉 生长控制装备
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使用TDL-J75型单晶炉生长大直径YAG晶体工艺 被引量:1
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作者 黄永臣 薛抗美 +3 位作者 颜声辉 袁文愈 刘鹏 王庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期82-85,共4页
本文结合作者生产、实验工作 ,介绍了使用TDL J75型单晶炉 ,采用中频感应加热、铱坩埚引上法生长直径 5 0~ 75mm、单晶重量 36 0 0g左右的YAG晶体工艺。用该工艺生长直径 5 0mm晶体的合格率可达 85 %以上 ,生长直径75mm晶体的合格率达 ... 本文结合作者生产、实验工作 ,介绍了使用TDL J75型单晶炉 ,采用中频感应加热、铱坩埚引上法生长直径 5 0~ 75mm、单晶重量 36 0 0g左右的YAG晶体工艺。用该工艺生长直径 5 0mm晶体的合格率可达 85 %以上 ,生长直径75mm晶体的合格率达 75 %以上 。 展开更多
关键词 TDL-J75型 单晶炉 晶体生长 大直径YAG晶体 中频感应 铱坩埚 引上法
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