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非真空坩埚下降法生长CsI(Tl)晶体的闪烁性能
被引量：
1
1
作者
任国浩
陈晓峰
+3 位作者
薛炫萍
李中波
沈勇
陆晟
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期385-389,共5页
研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI(Tl)晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征,探索了CsI(Tl)晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施。并对CsI(Tl)晶体在γ射线辐照下...
研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI(Tl)晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征,探索了CsI(Tl)晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施。并对CsI(Tl)晶体在γ射线辐照下光输出随积分时间和辐照剂量的变化做了分析和讨论。实验表明,用这种方法所生长的CsI(Tl)晶体的发射波长、衰减时间和辐照硬度与其他方法生长的同类晶体相同。
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关键词
CSI(TL)晶体
光输出
Tl离子
非均匀性
辐照硬度
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职称材料
题名
非真空坩埚下降法生长CsI(Tl)晶体的闪烁性能
被引量：
1
1
作者
任国浩
陈晓峰
薛炫萍
李中波
沈勇
陆晟
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期385-389,共5页
基金
美国GE公司上海研发中心的资助
文摘
研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI(Tl)晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征,探索了CsI(Tl)晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施。并对CsI(Tl)晶体在γ射线辐照下光输出随积分时间和辐照剂量的变化做了分析和讨论。实验表明,用这种方法所生长的CsI(Tl)晶体的发射波长、衰减时间和辐照硬度与其他方法生长的同类晶体相同。
关键词
CSI(TL)晶体
光输出
Tl离子
非均匀性
辐照硬度
Keywords
CsI（Tl） crystal
light yield
Thallium ions
non-uniformity
irradiation hardness
分类号
TL812.1 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非真空坩埚下降法生长CsI(Tl)晶体的闪烁性能
任国浩
陈晓峰
薛炫萍
李中波
沈勇
陆晟
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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