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双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响
被引量：
3
1
作者
蔡旻熹
姚若河
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期61-66,72,共7页
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管(DG a-IGZO TFTs)具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布的模型,讨论了在界面缺陷态影响下双栅驱动的DG a-IGZO TFTs有源层厚度对电学性能的影响.研究结果表明:...
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管(DG a-IGZO TFTs)具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布的模型,讨论了在界面缺陷态影响下双栅驱动的DG a-IGZO TFTs有源层厚度对电学性能的影响.研究结果表明:随着有源层厚度的减小,双栅驱动模式下DG a-IGZO TFTs两栅极的耦合作用增强,有源层上、下表面的导电沟道向体内延伸,使器件的场效应迁移率显著增加;界面缺陷态对DG a-IGZO TFTs场效应迁移率的影响随着有源层厚度的减小而降低,对亚阈值摆幅的影响随着有源层厚度的减小而增大.
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关键词
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管
界面缺陷态
场效应迁移率
亚阈值摆幅
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职称材料
题名
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响
被引量：
3
1
作者
蔡旻熹
姚若河
机构
华南理工大学电子与信息学院
出处
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期61-66,72,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61274085)~~
文摘
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管(DG a-IGZO TFTs)具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布的模型,讨论了在界面缺陷态影响下双栅驱动的DG a-IGZO TFTs有源层厚度对电学性能的影响.研究结果表明:随着有源层厚度的减小,双栅驱动模式下DG a-IGZO TFTs两栅极的耦合作用增强,有源层上、下表面的导电沟道向体内延伸,使器件的场效应迁移率显著增加;界面缺陷态对DG a-IGZO TFTs场效应迁移率的影响随着有源层厚度的减小而降低,对亚阈值摆幅的影响随着有源层厚度的减小而增大.
关键词
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管
界面缺陷态
场效应迁移率
亚阈值摆幅
Keywords
dual-gate amorphous InGaZnO thin film transistors
interface states
field effect mobility
subthreshold swing
分类号
TN321 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响
蔡旻熹
姚若河
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
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