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PVP掺杂对PEDOT∶PSS忆阻器学习行为的影响
1
作者
魏榕山
蔡宣敬
+1 位作者
罗文强
邓宁
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期1751-1755,共5页
采用旋涂法制备了Ag/PEDOT∶PSS∶PVP/Ta忆阻器,发现器件能实现电导的连续变化,并且测试了器件的电学基本性能,包括:模拟短时程可塑性(STP)转化长时程可塑性(LTP)与脉冲频率依赖可塑性(SRDP)。测试结果表明:由于PVP掺杂降低了有机层电导...
采用旋涂法制备了Ag/PEDOT∶PSS∶PVP/Ta忆阻器,发现器件能实现电导的连续变化,并且测试了器件的电学基本性能,包括:模拟短时程可塑性(STP)转化长时程可塑性(LTP)与脉冲频率依赖可塑性(SRDP)。测试结果表明:由于PVP掺杂降低了有机层电导,使得掺杂PVP忆阻器具有更大的正向电导变化范围,且大大提高了记忆曲线的弛豫时间常数。该器件具有较大的电导变化范围,易于外部电路的识别,且具有很好的一致性,可以用于大规模神经态电路中。
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关键词
忆阻器
PVP掺杂PEDOT:PSS
弛豫时间常数
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职称材料
题名
PVP掺杂对PEDOT∶PSS忆阻器学习行为的影响
1
作者
魏榕山
蔡宣敬
罗文强
邓宁
机构
福州大学物理与信息工程学院
清华大学微电子学研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期1751-1755,共5页
基金
国家自然科学基金(61404030)
文摘
采用旋涂法制备了Ag/PEDOT∶PSS∶PVP/Ta忆阻器,发现器件能实现电导的连续变化,并且测试了器件的电学基本性能,包括:模拟短时程可塑性(STP)转化长时程可塑性(LTP)与脉冲频率依赖可塑性(SRDP)。测试结果表明:由于PVP掺杂降低了有机层电导,使得掺杂PVP忆阻器具有更大的正向电导变化范围,且大大提高了记忆曲线的弛豫时间常数。该器件具有较大的电导变化范围,易于外部电路的识别,且具有很好的一致性,可以用于大规模神经态电路中。
关键词
忆阻器
PVP掺杂PEDOT:PSS
弛豫时间常数
Keywords
memristor
PEDOT
PSS
PVP
relaxation time constant
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PVP掺杂对PEDOT∶PSS忆阻器学习行为的影响
魏榕山
蔡宣敬
罗文强
邓宁
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
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