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一个LVTSCR并联PMOS的高维持电压ESD防护器件(英文)
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作者 蒋同全 汪洋 +2 位作者 黄薇 罗启元 金湘亮 《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第2期315-320,共6页
为了在5 V片上输入输出端进行静电放电(ESD)防护,提出了一种新型的LVTSCR结构。使用Silvaco 2D TCAD软件对此器件进行包含电学及热学特性的仿真。此新型器件交换了LVTSCR中N-Well的N+、P+掺杂区并引入了一个类PMOS结构用来在LVTSCR工作... 为了在5 V片上输入输出端进行静电放电(ESD)防护,提出了一种新型的LVTSCR结构。使用Silvaco 2D TCAD软件对此器件进行包含电学及热学特性的仿真。此新型器件交换了LVTSCR中N-Well的N+、P+掺杂区并引入了一个类PMOS结构用来在LVTSCR工作前释放ESD电流。器件仿真结果显示,与LVTSCR相比,该器件获得了更高的维持电压(10.51 V),以及更高的开启速度(1.05×10-10 s),同时触发电压仅仅从12.45 V增加到15.35 V。并且,如果加入的PMOS结构选择与NMOS相同的沟道长度,器件不会引起热失效问题。 展开更多
关键词 静电放电 低压触发可控硅器件 PMOS触发 Silvaco软件
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瞬态电压抑制二极管的建模及仿真 被引量：3
2
作者 黄薇 罗启元 +2 位作者 蒋同全 汪洋 金湘亮 《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第6期927-931,936,共6页
基于0.5μm CMOS工艺,设计瞬态电压抑制(TVS)二极管。利用黑箱理论对该器件在高电压大电流下的反向工作特性建模,在Matlab数值模拟工具中利用所建模型仿真,获得了包含一次击穿、二次击穿(硬失效)点的反向I–U特性曲线;基于Silvaco TCAD... 基于0.5μm CMOS工艺,设计瞬态电压抑制(TVS)二极管。利用黑箱理论对该器件在高电压大电流下的反向工作特性建模,在Matlab数值模拟工具中利用所建模型仿真,获得了包含一次击穿、二次击穿(硬失效)点的反向I–U特性曲线;基于Silvaco TCAD工艺器件仿真平台,经DC仿真验证所建模型的准确性。仿真结果表明,2种方法获得的特性曲线基本吻合,本文所建数值模型能够预测TVS二极管瞬态电压抑制时的电特性。 展开更多
关键词 静电放电 TVS二极管 热源模型 计算机辅助设计仿真 二次击穿点
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