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一种新型Ce∶GAGG闪烁探测器性能研究被引量：5: 1; 作者王璐王强 +3 位作者屈菁菁董鸿林方承丽丁雨憧《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第6期806-809,共4页; 该文将新型掺铈钆稼铝石榴石(Ce∶GAGG)闪烁晶体与CR-173光电倍增管耦合,并将其和分压电路、高压模块、前放电路一起封装在铝合金外壳中,制成新型Ce∶GAGG闪烁探测器。研究了不同尺寸Ce∶GAGG闪烁晶体、不同耦合方式及反射层封装材料对... 展开更多; 关键词掺铈钆稼铝石榴石(Ce∶GAGG)闪烁晶体探测器光电倍增管光产额能量分辨率; 在线阅读下载PDF 职称材料

LuYAP∶Ce闪烁晶体阵列研究: 2; 作者徐扬董鸿林 +3 位作者石自彬李德辉吴玉池付昌禄《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第2期185-187,共3页; 铝酸钇镥(LuYAP)∶Ce晶体具有衰减时间短,密度大,光产额高及不潮解等优点。采用该晶体制作的闪烁晶体阵列,能快速获得皮秒级正电子湮灭的精确信息。该文报道了一种LuYAP∶Ce闪烁晶体阵列的制作方法,将提拉法制备的LuYAP∶Ce晶体经切割... 展开更多; 关键词 LuYAP∶Ce闪烁晶体化学机械抛光晶体阵列发光均匀性硫酸钡; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同厚度Ce:GAGG闪烁晶体性能研究被引量：3: 3; 作者王强丁雨憧 +4 位作者屈菁菁王璐董鸿林方承丽毛世平《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期259-264,共6页; 选择不同厚度的Ce:GAGG闪烁晶体(2,4,6,8,10 mm),通过透过率测试分析自吸收对Ce:GAGG闪烁晶体性能的影响,同时研究晶体表面不同粗糙度、不同封装、不同耦合方式对Ce:GAGG闪烁晶体光输出、能量分辨率的影响。实验结果表明通过优化Ce:GAG... 展开更多; 关键词材料 Ce:GAGG闪烁晶体透过率光输出能量分辨率; 在线阅读下载PDF 职称材料

锗单晶在酸性SiO_(2)抛光液条件下的抛光机理及加工工艺被引量：3: 4; 作者杲星顾跃 +4 位作者夏卫东董鸿林甘禹徐扬丁雨憧《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第3期467-470,473,共5页; 该文研究了化学机械抛光(CMP)条件下,锗单晶在含HNO_(3)的SiO_(2)抛光液中的腐蚀过程。通过改变抛光时间,分析锗单晶表面状态的变化规律。结果表明,在SiO_(2)抛光液pH值为1~2时,SiO_(2)抛光液中存在Si—OH和Si—O-形式;锗单晶先与HNO_(3... 展开更多; 关键词锗单晶化学机械抛光抛光液粗糙度; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型Ce∶GAGG闪烁探测器性能研究被引量：5: 1; 作者王璐王强屈菁菁董鸿林方承丽丁雨憧; 机构中国电子科技集团公司第二十六研究所; 出处《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第6期806-809,共4页; 基金 2016年工信部工业强基工程基金资助项目(TC160A310-17)。; 文摘该文将新型掺铈钆稼铝石榴石(Ce∶GAGG)闪烁晶体与CR-173光电倍增管耦合,并将其和分压电路、高压模块、前放电路一起封装在铝合金外壳中,制成新型Ce∶GAGG闪烁探测器。研究了不同尺寸Ce∶GAGG闪烁晶体、不同耦合方式及反射层封装材料对新型Ce∶GAGG闪烁探测器光产额和能量分辨率的影响,同时与封装好的1英寸(1英寸=2.54 cm)掺铊碘化钠(NaI(Tl))闪烁晶体进行对比实验,并对Ce∶GAGG和NaI(Tl)闪烁探测器的能量线性进行测量。实验结果表明,小体积的Ce∶GAGG闪烁探测器性能最好;光学硅脂耦合可提高闪烁探测器的性能;银反射膜(ESR膜)材料封装闪烁探测器性能最好;Ce∶GAGG闪烁探测器性能优于NaI(Tl)闪烁探测器。; 关键词掺铈钆稼铝石榴石(Ce∶GAGG)闪烁晶体探测器光电倍增管光产额能量分辨率; Keywords Ce∶GAGG scintillator detector photomultiplier tube(PMT) light yield energy resolution; 分类号 TN29 [电子电信—物理电子学] TL812 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LuYAP∶Ce闪烁晶体阵列研究: 2; 作者徐扬董鸿林石自彬李德辉吴玉池付昌禄; 机构中国电子科技集团公司第二十六研究所激光聚变研究中心; 出处《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第2期185-187,共3页; 基金国防科工局配套基金资助项目(JPPT-125-5-169); 文摘铝酸钇镥(LuYAP)∶Ce晶体具有衰减时间短,密度大,光产额高及不潮解等优点。采用该晶体制作的闪烁晶体阵列,能快速获得皮秒级正电子湮灭的精确信息。该文报道了一种LuYAP∶Ce闪烁晶体阵列的制作方法,将提拉法制备的LuYAP∶Ce晶体经切割并运用化学机械抛光法处理后,最终利用填充材料制作了晶体阵列。在X线光机上开展了阵列的发光均匀性测试,测得发光不均匀性为14.8%。结果表明,LuYAP∶Ce晶体满足使用要求。; 关键词 LuYAP∶Ce闪烁晶体化学机械抛光晶体阵列发光均匀性硫酸钡; Keywords LuYAP∶Ce scintillation crystal chemical mechanical polishing crystal array luminance uniformity BaSO4; 分类号 TN804 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同厚度Ce:GAGG闪烁晶体性能研究被引量：3: 3; 作者王强丁雨憧屈菁菁王璐董鸿林方承丽毛世平; 机构中国电子科技集团公司第二十六研究所; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期259-264,共6页; 基金 (“十三五”装备预研项目,41424060303)。; 文摘选择不同厚度的Ce:GAGG闪烁晶体(2,4,6,8,10 mm),通过透过率测试分析自吸收对Ce:GAGG闪烁晶体性能的影响,同时研究晶体表面不同粗糙度、不同封装、不同耦合方式对Ce:GAGG闪烁晶体光输出、能量分辨率的影响。实验结果表明通过优化Ce:GAGG闪烁晶体样品表面粗糙度、封装反射层和耦合方式,能大幅度提高Ce:GAGG闪烁晶体样品的光输出和能量分辨率。使用137Cs标准放射源,测试得到Ce:GAGG闪烁晶体样品的最佳能量分辨率为7.0%。; 关键词材料 Ce:GAGG闪烁晶体透过率光输出能量分辨率; Keywords material Ce:GAGG scintillator crystals transmission light yield energy resolution; 分类号 TN29 [电子电信—物理电子学] TL812 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名锗单晶在酸性SiO_(2)抛光液条件下的抛光机理及加工工艺被引量：3: 4; 作者杲星顾跃夏卫东董鸿林甘禹徐扬丁雨憧; 机构中国电子科技集团公司第二十六研究所; 出处《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第3期467-470,473,共5页; 文摘该文研究了化学机械抛光(CMP)条件下,锗单晶在含HNO_(3)的SiO_(2)抛光液中的腐蚀过程。通过改变抛光时间,分析锗单晶表面状态的变化规律。结果表明,在SiO_(2)抛光液pH值为1~2时,SiO_(2)抛光液中存在Si—OH和Si—O-形式;锗单晶先与HNO_(3)反应生成Ge(NO_(3))_(4),而后Ge^(4+)的含氧酸盐会剧烈水解生成Ge—OH,Ge—OH继续反应并以Ge—OH_(2)^(+)形式存在。由于表面电荷的吸引,Si—O-和Ge—OH_(2)^(+)在锗单晶表面生成Si—O—Ge软化层,从动力学角度加快了腐蚀速率,促进了表面抛光的程度。抛光时间为15~20 min时,机械抛光和侵蚀的法向速度处于平衡状态,CMP抛光后锗单晶表面粗糙度S_(a)≤0.8 nm,10倍显微镜下无划痕、麻点。; 关键词锗单晶化学机械抛光抛光液粗糙度; Keywords germanium single crystal CMP olishing solution oughness; 分类号 TN384 [电子电信—物理电子学] TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种新型Ce∶GAGG闪烁探测器性能研究	王璐王强屈菁菁董鸿林方承丽丁雨憧	《压电与声光》 CAS 北大核心	2020	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	LuYAP∶Ce闪烁晶体阵列研究	徐扬董鸿林石自彬李德辉吴玉池付昌禄	《压电与声光》 CAS 北大核心	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	不同厚度Ce:GAGG闪烁晶体性能研究	王强丁雨憧屈菁菁王璐董鸿林方承丽毛世平	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	锗单晶在酸性SiO_(2)抛光液条件下的抛光机理及加工工艺	杲星顾跃夏卫东董鸿林甘禹徐扬丁雨憧	《压电与声光》 CAS 北大核心	2022	3	在线阅读下载PDF 职称材料