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磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究（英文）
被引量：
2
1
作者
何波
徐静
+5 位作者
宁欢颇
邢怀中
王春瑞
张晓东
莫观孔
沈晓明
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期44-49,共6页
采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V...
采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性。在±3 V时,整流比IF/IR(IF和IR分别表示正向和反向电流)已达到21。结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性,在反向偏压下获得高光电流密度。纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性。由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间,它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层,能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态。因此,我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性。
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关键词
纳米晶GZO/CdS双层膜
磁控溅射
异质结
电流-电压(I-V)特性
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职称材料
题名
磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究（英文）
被引量：
2
1
作者
何波
徐静
宁欢颇
邢怀中
王春瑞
张晓东
莫观孔
沈晓明
机构
东华大学应用物理系
挪威能源技术研究所
上海大学分析测试中心
广西大学资源环境与材料学院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期44-49,共6页
基金
Supported by Fund PLA General Armament Department"The 15th Five-year"weapons and Equipments Pre-research Field Fundation"Bas-ic application technology of graphene materials in batteries"(6140721040412)
文摘
采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性。在±3 V时,整流比IF/IR(IF和IR分别表示正向和反向电流)已达到21。结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性,在反向偏压下获得高光电流密度。纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性。由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间,它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层,能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态。因此,我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性。
关键词
纳米晶GZO/CdS双层膜
磁控溅射
异质结
电流-电压(I-V)特性
Keywords
nanocrystalline GZO/CdS bilayer films
magnetron sputtering
heterojunction
current-voltage(I-V)characteristics
分类号
TN21 [电子电信—物理电子学]
TN015 [电子电信—物理电子学]
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出处
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被引量
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1
磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究（英文）
何波
徐静
宁欢颇
邢怀中
王春瑞
张晓东
莫观孔
沈晓明
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
2
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