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荔枝转录因子LcZAT 12的克隆与表达分析: 1; 作者卿昊炜张树伟 +9 位作者莫啸易晨歆郭慧勤韦金菊吴子昂徐炯志贾海锋邱海吉张艳青丁峰《中国南方果树》北大核心 2024年第6期1-11,共11页; 为探究LcZAT12在荔枝果实发育成熟中的作用,以禾荔及禾荔晚熟芽变突变株MS1、MS2作为试材,克隆出LcZAT12全长序列,并对其进行生物信息学分析,并采用实时荧光定量技术分析LcZAT12在荔枝不同组织及在果实不同发育时期中果皮和种子中的表... 展开更多; 关键词荔枝 LcZAT12转录因子生物信息学表达量果实发育; 在线阅读下载PDF 职称材料

应用于4G的两级BiCMOS射频功率放大器设计被引量：1: 2; 作者王巍蔡文琪 +4 位作者莫啸胡凤王明耀杨正琳袁军《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2016年第1期56-59,64,共5页; 设计一个基于SiGe BiCMOS工艺的共源共栅结构的两级功率放大器.第一级采用差分共源放大器,将输入匹配送来的信号进行预放大,同时抑制噪声.第二级主功放采用BiFET共源共栅结构,以提高线性度.基于JAZZ0.18μm SiGe BiCMOS工艺库,采用Caden... 展开更多; 关键词射频功率放大器 SIGE BiFET; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种片上集成的温度传感器设计: 3; 作者莫啸孔德鑫 +2 位作者李冬孙金中路腾腾《中国集成电路》 2023年第3期41-46,共6页; 本设计在FinFET器件结构的标准CMOS工艺下进行,实现一种集成在片上系统内部的温度传感器。为解决寄生PNP管电流增益过小对基射电压的影响,温度传感电路基于寄生垂直NPN三极管进行设计,以动态元件匹配、斩波等技术减少电路失调,模数转换... 展开更多; 关键词垂直NPN管 Σ△-ADC 动态元件匹配斩波技术相关双采样温度传感器; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于FinFET器件结构的高精度温度传感器设计被引量：1: 4; 作者莫啸孔德鑫 +1 位作者李冬孙金中《中国集成电路》 2023年第10期34-38,62,共6页; 随着标准CMOS工艺向二十纳米以下推进,平面CMOS晶体管开始向三维(3D)FinFET器件结构过渡,寄生三极管的电流增益β大幅下降,使以寄生PNP管作为温度传感器件的温度传感电路不再适用。本文基于标准CMOS工艺,以寄生垂直NPN管作为温度传感器... 展开更多; 关键词 3D FinFET结构电流增益垂直NPN管数字温度传感器; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高精度自偏置的带隙基准源被引量：1: 5; 作者莫啸李冬 +1 位作者张明科孔德鑫《数字技术与应用》 2019年第8期75-77,共3页; 本文基于TSMC 28nm HPC工艺,设计了一款应用于900mV低压差线性稳压器(Low output Voltage,LDO)的高精度自偏置带隙基准源。仿真结果表明,在1.8V的工作电压下,该带隙基准的输出电压接近600mV。tt模式,温度范围-40℃到125℃,该带隙基准的... 展开更多; 关键词自偏置带隙基准温度系数电源抑制比; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高速低失调比较器电路设计被引量：2: 6; 作者李冬孙金中 +1 位作者莫啸路腾腾《中国集成电路》 2022年第7期37-40,69,共5页; 本文分析了两级动态比较器的瞬态特性,设计了一种高速低失调的两级动态比较器电路。相比于传统的两级动态比较器,本设计只需要单相时钟信号,通过增加第一级动态预放大电路的有效增益,既降低了比较器的延迟时间,也减小了等效输入失调电... 展开更多; 关键词动态比较器高速低失调; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名荔枝转录因子LcZAT 12的克隆与表达分析: 1; 作者卿昊炜张树伟莫啸易晨歆郭慧勤韦金菊吴子昂徐炯志贾海锋邱海吉张艳青丁峰; 机构广西壮族自治区农业科学院/广西作物遗传改良生物技术重点开放实验室广西大学农学院广西壮族自治区农业科学院园艺研究所; 出处《中国南方果树》北大核心 2024年第6期1-11,共11页; 基金广西科技重大专项(桂科AA23023007) 国家自然科学基金(32060659) +2 种基金国家现代农业产业技术体系广西荔枝龙眼创新团队(nycytxgxcxtd-2023-12-01)资助。; 文摘为探究LcZAT12在荔枝果实发育成熟中的作用,以禾荔及禾荔晚熟芽变突变株MS1、MS2作为试材,克隆出LcZAT12全长序列,并对其进行生物信息学分析,并采用实时荧光定量技术分析LcZAT12在荔枝不同组织及在果实不同发育时期中果皮和种子中的表达模式。结果表明,LcZAT12全长429 bp,编码氨基酸142个;利用在线网站对LcZAT12的蛋白性质进行预测显示,该蛋白位于细胞核,磷酸化以丝氨酸为主,无信号肽与跨膜结构域,蛋白质二级结构以α螺旋和不规则卷曲为主。氨基酸同源序列比对结果显示,LcZAT蛋白含有两个高度保守的结构域;系统进化树分析发现,LcZAT12蛋白与糖槭和漾濞槭的同源蛋白亲缘关系最近;时空表达模式表明,LcZAT12蛋白可能在荔枝果实发育期起关键作用。; 关键词荔枝 LcZAT12转录因子生物信息学表达量果实发育; Keywords litchi LcZAT12 transcription factor bioinformatics analysis expression pattern fruit development; 分类号 S667.1 [农业科学—果树学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应用于4G的两级BiCMOS射频功率放大器设计被引量：1: 2; 作者王巍蔡文琪莫啸胡凤王明耀杨正琳袁军; 机构重庆邮电大学光电工程学院; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2016年第1期56-59,64,共5页; 文摘设计一个基于SiGe BiCMOS工艺的共源共栅结构的两级功率放大器.第一级采用差分共源放大器,将输入匹配送来的信号进行预放大,同时抑制噪声.第二级主功放采用BiFET共源共栅结构,以提高线性度.基于JAZZ0.18μm SiGe BiCMOS工艺库,采用Cadence Spectre RF对功率放大器进行仿真.实验结果表明,在3.3V电源电压下,最高功率增益达到32dB,输出1dB压缩点处功率为29dBm,有较好地线性度,在2.3~2.7GHz频段内S11和S22均小于-10dB,匹配良好.最大功率附加效率为22.1%,可用于WIMAX无线通信的2.3~2.7GHz频段.; 关键词射频功率放大器 SIGE BiFET; Keywords RF PA SiGe BiFET; 分类号 TN722.75 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种片上集成的温度传感器设计: 3; 作者莫啸孔德鑫李冬孙金中路腾腾; 机构安徽芯纪元科技有限公司中国电子科技集团公司第三十八研究所; 出处《中国集成电路》 2023年第3期41-46,共6页; 文摘本设计在FinFET器件结构的标准CMOS工艺下进行,实现一种集成在片上系统内部的温度传感器。为解决寄生PNP管电流增益过小对基射电压的影响,温度传感电路基于寄生垂直NPN三极管进行设计,以动态元件匹配、斩波等技术减少电路失调,模数转换采用相关双采样技术的单环二阶单比特量化的电容型Σ△调制器结构,以提高对系统噪声的抑制能力。该温度传感器集成在片上系统内部,实现对片上系统温度的监控。电路仿真及芯片测试结果表明,该温度传感器在-55℃至+125℃的温度范围内,电路仿真精度为±0.15℃,芯片测试精度为±1.5℃。; 关键词垂直NPN管 Σ△-ADC 动态元件匹配斩波技术相关双采样温度传感器; Keywords vertical NPN Σ△-ADC dynamic element matching chopper correlation double sampling technology temperature sensor; 分类号 TP212.11 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于FinFET器件结构的高精度温度传感器设计被引量：1: 4; 作者莫啸孔德鑫李冬孙金中; 机构安徽芯纪元科技有限公司; 出处《中国集成电路》 2023年第10期34-38,62,共6页; 文摘随着标准CMOS工艺向二十纳米以下推进,平面CMOS晶体管开始向三维(3D)FinFET器件结构过渡,寄生三极管的电流增益β大幅下降,使以寄生PNP管作为温度传感器件的温度传感电路不再适用。本文基于标准CMOS工艺,以寄生垂直NPN管作为温度传感器件,给出了三维FinFET器件结构下的数字温度传感器设计。该数字温度传感器在-55℃至+125℃的温度范围内,电路仿真精度达±0.2℃,芯片测试精度达±0.3℃。; 关键词 3D FinFET结构电流增益垂直NPN管数字温度传感器; Keywords 3D FinFET structure current gain vertical NPN digital temperature sensor; 分类号 TP212.11 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高精度自偏置的带隙基准源被引量：1: 5; 作者莫啸李冬张明科孔德鑫; 机构中国电子科技集团公司第三十八研究所; 出处《数字技术与应用》 2019年第8期75-77,共3页; 文摘本文基于TSMC 28nm HPC工艺,设计了一款应用于900mV低压差线性稳压器(Low output Voltage,LDO)的高精度自偏置带隙基准源。仿真结果表明,在1.8V的工作电压下,该带隙基准的输出电压接近600mV。tt模式,温度范围-40℃到125℃,该带隙基准的温度系数低至8.8ppm/℃,具有良好的温度特性。tt模式,27℃时,低频的电源抑制比达到78.8dB,静态电流15.4μA。; 关键词自偏置带隙基准温度系数电源抑制比; Keywords self-bias bandgap reference temperature coefficient power supply rejection ratio; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种高速低失调比较器电路设计被引量：2: 6; 作者李冬孙金中莫啸路腾腾; 机构安徽芯纪元科技有限公司; 出处《中国集成电路》 2022年第7期37-40,69,共5页; 文摘本文分析了两级动态比较器的瞬态特性,设计了一种高速低失调的两级动态比较器电路。相比于传统的两级动态比较器,本设计只需要单相时钟信号,通过增加第一级动态预放大电路的有效增益,既降低了比较器的延迟时间,也减小了等效输入失调电压。本设计采用90nm CMOS工艺实现,所有的分析结果都通过了仿真验证。; 关键词动态比较器高速低失调; Keywords dynamic comparator high-speed low-offset; 分类号 TN911.7 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	荔枝转录因子LcZAT 12的克隆与表达分析	卿昊炜张树伟莫啸易晨歆郭慧勤韦金菊吴子昂徐炯志贾海锋邱海吉张艳青丁峰	《中国南方果树》北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	应用于4G的两级BiCMOS射频功率放大器设计	王巍蔡文琪莫啸胡凤王明耀杨正琳袁军	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种片上集成的温度传感器设计	莫啸孔德鑫李冬孙金中路腾腾	《中国集成电路》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于FinFET器件结构的高精度温度传感器设计	莫啸孔德鑫李冬孙金中	《中国集成电路》	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种高精度自偏置的带隙基准源	莫啸李冬张明科孔德鑫	《数字技术与应用》	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	一种高速低失调比较器电路设计	李冬孙金中莫啸路腾腾	《中国集成电路》	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料