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Er离子注入GaN薄膜的阴极荧光机制研究被引量：3: 1; 作者莫亚娟王晓丹 +3 位作者曾雄辉高崴崴王建峰徐科《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1569-1574,共6页; 采用离子注入方法制备了一系列不同Er离子剂量的GaN薄膜,并在不同温度、不同气氛下进行了退火处理。深入研究了退火温度和退火气氛对阴极荧光谱的影响机制和阴极荧光中的发光猝灭现象,获得了优化的退火条件。结果表明,当Er离子注入剂量... 展开更多; 关键词 GAN薄膜离子注入阴极荧光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN∶Er材料研究进展: 2; 作者莫亚娟王晓丹 +3 位作者曾雄辉阳明明王建峰徐科《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第S1期167-171,176,共6页; 半导体行业是一个基础性行业,同时在每个领域所占的比重也越来越高。Er掺杂的GaN材料器件,既具备稀土元素的性能,又充分发挥了半导体材料的优势。本文简要介绍了稀土Er掺杂GaN材料的制备方法,以及目前有关该材料及器件在光学性能方面的... 展开更多; 关键词 GaN∶Er 制备方法光学性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlN:Er薄膜在不同退火温度下应力诱导的微观结构演变被引量：3: 3; 作者阳明明莫亚娟 +6 位作者王晓丹曾雄辉刘雪华黄俊张纪才王建峰徐科《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期285-290,共6页; 以透射电镜中的弱束衍衬成像和高分辨相位衬度成像为主要表征手段,辅以X射线衍射、拉曼光谱等测试方法,对Al N:Er样品在退火过程中的微观结构演变过程进行了深入分析。在透射电镜观察下,Er离子注入的Al N样品在退火前存在三个区域:区域... 展开更多; 关键词 AlN:Er 离子注入微观结构演变; 在线阅读下载PDF 职称材料

Er:GaN微纳米晶发光性能研究: 4; 作者高崴崴王晓丹 +3 位作者韩佰祥莫亚娟曾雄辉徐科《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期2270-2275,共6页; 采用溶液化学方法制备了Er3+掺杂浓度为1at%的Er∶GaN微纳米晶材料。对退火前后材料的结构、形貌和发光性能进行了表征。结果表明:Er∶GaN微纳米晶样品为纯的六方GaN相。退火后出现晶粒长大现象,且氧含量降低,微纳米晶的结晶质量变好。... 展开更多; 关键词 Er:GaN 微纳米晶发光性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Er离子注入GaN薄膜的阴极荧光机制研究被引量：3: 1; 作者莫亚娟王晓丹曾雄辉高崴崴王建峰徐科; 机构苏州科技学院物理系中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1569-1574,共6页; 基金国家自然科学基金(61306004 51002179 +6 种基金 11247023 51272270) 江苏省自然科学基金(BK20130263) 苏州纳米科技协同创新中心项目; 文摘采用离子注入方法制备了一系列不同Er离子剂量的GaN薄膜,并在不同温度、不同气氛下进行了退火处理。深入研究了退火温度和退火气氛对阴极荧光谱的影响机制和阴极荧光中的发光猝灭现象,获得了优化的退火条件。结果表明,当Er离子注入剂量达到1×1015cm-2时,Er离子的发光强度最高;当Er离子注入剂量达到5×1015cm-2时,出现发光猝灭现象。; 关键词 GAN薄膜离子注入阴极荧光谱; Keywords GaN thin film ion implantation cathode fluorescence; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN∶Er材料研究进展: 2; 作者莫亚娟王晓丹曾雄辉阳明明王建峰徐科; 机构苏州科技学院物理系中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 出处《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第S1期167-171,176,共6页; 基金国家自然科学基金项目(61306004 51002179 +3 种基金 11247023 51272270) 中国科学院功能开发项目(yg2012093); 文摘半导体行业是一个基础性行业,同时在每个领域所占的比重也越来越高。Er掺杂的GaN材料器件,既具备稀土元素的性能,又充分发挥了半导体材料的优势。本文简要介绍了稀土Er掺杂GaN材料的制备方法,以及目前有关该材料及器件在光学性能方面的研究进展,并对其发展趋势进行了展望。; 关键词 GaN∶Er 制备方法光学性能; Keywords GaN∶Er preparation method optical property; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlN:Er薄膜在不同退火温度下应力诱导的微观结构演变被引量：3: 3; 作者阳明明莫亚娟王晓丹曾雄辉刘雪华黄俊张纪才王建峰徐科; 机构中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所上海大学材料科学与工程学院苏州科技学院物理科学与技术系; 出处《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期285-290,共6页; 基金国家自然科学基金(61306004 51002179 +8 种基金 11247023 51272270 61274127 61474133) 江苏省自然科学基金(BK20130263 BK2012630) 苏州纳米科技协同创新中心资金~~; 文摘以透射电镜中的弱束衍衬成像和高分辨相位衬度成像为主要表征手段,辅以X射线衍射、拉曼光谱等测试方法,对Al N:Er样品在退火过程中的微观结构演变过程进行了深入分析。在透射电镜观察下,Er离子注入的Al N样品在退火前存在三个区域:区域Ⅰ为自表面以下约30 nm深度;区域Ⅱ为区域I以下约50 nm深度;区域Ⅲ为区域Ⅱ以下的部分,其中区域Ⅱ为损伤最为严重的区域。在较低的温度(如1025℃时)退火后,区域Ⅰ消失;但1200℃退火后,又重新可以观察到区域Ⅰ。结合TEM、XRD和Raman测试结果,从损伤恢复和应力释放的角度对上述实验现象进行了理论解释:由于Er离子半径和基体原子半径的差异,在区域Ⅱ中引入较大的应力;在1025℃退火时,来自区域Ⅱ的应力作用于区域Ⅰ,导致区域I发生大的晶格扭曲,和区域II合并,用TEM观察不到;在1200℃退火时,应力在表面释放,区域I的晶格扭曲修复,从而用TEM可重新观察到。; 关键词 AlN:Er 离子注入微观结构演变; Keywords AlN： Er ion implantation microstructure evolution; 分类号 O474 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Er:GaN微纳米晶发光性能研究: 4; 作者高崴崴王晓丹韩佰祥莫亚娟曾雄辉徐科; 机构苏州科技学院物理科学与技术系中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期2270-2275,共6页; 基金国家自然科学基金(61306004 51002179 +3 种基金 11247023 51272270) 江苏省自然科学基金(BK20130263) 中国科学院功能开发项目(yg2012093); 文摘采用溶液化学方法制备了Er3+掺杂浓度为1at%的Er∶GaN微纳米晶材料。对退火前后材料的结构、形貌和发光性能进行了表征。结果表明:Er∶GaN微纳米晶样品为纯的六方GaN相。退火后出现晶粒长大现象,且氧含量降低,微纳米晶的结晶质量变好。退火处理后出现了Er3+相关的524 nm和547 nm的绿光峰,660 nm的红光峰。在980 nm激发下,在Yb,Er∶GaN微纳米晶样品中实现了上转换荧光发射,并观察到了和Er∶GaN微纳米晶相同的发光峰。; 关键词 Er:GaN 微纳米晶发光性能; Keywords Er：GaN micro-nano crystal luminescent property; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Er离子注入GaN薄膜的阴极荧光机制研究	莫亚娟王晓丹曾雄辉高崴崴王建峰徐科	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaN∶Er材料研究进展	莫亚娟王晓丹曾雄辉阳明明王建峰徐科	《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	AlN:Er薄膜在不同退火温度下应力诱导的微观结构演变	阳明明莫亚娟王晓丹曾雄辉刘雪华黄俊张纪才王建峰徐科	《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2016	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Er:GaN微纳米晶发光性能研究	高崴崴王晓丹韩佰祥莫亚娟曾雄辉徐科	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料