期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Sc,Ti,V修饰B/N掺杂单缺陷石墨烯的储氢研究 被引量:1
1
作者 马丽娟 高升启 +2 位作者 荣祎斐 贾建峰 武海顺 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期2842-2851,共10页
3d过渡金属修饰是改善石墨烯储氢性能的最有效途径,但仍存在金属团聚和H_(2)解离导致难以脱附的问题.提出了B/N掺杂单缺陷石墨烯(BMG/NMG)的策略来避免以上两个问题.密度泛函理论计算结果表明,N掺杂可以使Sc,Ti,V与石墨烯的结合能提高3~... 3d过渡金属修饰是改善石墨烯储氢性能的最有效途径,但仍存在金属团聚和H_(2)解离导致难以脱附的问题.提出了B/N掺杂单缺陷石墨烯(BMG/NMG)的策略来避免以上两个问题.密度泛函理论计算结果表明,N掺杂可以使Sc,Ti,V与石墨烯的结合能提高3~4倍,B掺杂可以将Sc与石墨烯的结合能提高3倍.Sc/BMG和Sc/NMG吸附的第一个H_(2)不会解离.Sc/BMG中Sc吸附5个H_(2),平均氢分子结合能为−0.18~−0.43 eV,并且可以通过在同侧锚定多个Sc原子形成Sc/C3B2五元环增加H_(2)吸附位点.Sc/NMG中每个Sc吸附6个H_(2),平均氢分子结合能为−0.17~−0.29 eV,还可以通过在异侧修饰形成Sc/N3/Sc单元进一步提高储氢能力.研究结果将为设计基于3d过渡金属修饰碳材料的储氢材料提供理论基础. 展开更多
关键词 储氢 硼/氮掺杂 单缺陷石墨烯 过渡金属 密度泛函理论
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部