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MEMS圆片级封装用Cu-Sn低温键合机理与工艺研究
被引量：
3
1
作者
荣毅博
蔡坚
+1 位作者
王水弟
贾松良
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第12期1181-1184,共4页
研究了利用低温等温凝固技术实现Cu-Sn键合在MEMS圆片级封装中的应用。基于Cu-Sn二元平衡相图,对键合层结构进行了设计,同时设计了用于测试的键合图形,并对设计的键合结构进行了流片实验。通过对圆片制作及键合等工艺的一系列优化,在25...
研究了利用低温等温凝固技术实现Cu-Sn键合在MEMS圆片级封装中的应用。基于Cu-Sn二元平衡相图,对键合层结构进行了设计,同时设计了用于测试的键合图形,并对设计的键合结构进行了流片实验。通过对圆片制作及键合等工艺的一系列优化,在250℃的低温条件下生成了熔点为415℃的金属间化合物,获得了良好的键合层。得到的键合样品剪切力强度值达到了GJB548B-2005标准的要求。研究表明,Cu-Sn等温凝固键合技术具有实际应用的潜力。
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关键词
等温凝固
Cu-Sn
键合
圆片级封装
剪切力
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职称材料
题名
MEMS圆片级封装用Cu-Sn低温键合机理与工艺研究
被引量：
3
1
作者
荣毅博
蔡坚
王水弟
贾松良
机构
清华信息科学与技术国家实验室(筹)
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第12期1181-1184,共4页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划
2009AA04Z321)
国家重大科技专项(2009ZX02038)
文摘
研究了利用低温等温凝固技术实现Cu-Sn键合在MEMS圆片级封装中的应用。基于Cu-Sn二元平衡相图,对键合层结构进行了设计,同时设计了用于测试的键合图形,并对设计的键合结构进行了流片实验。通过对圆片制作及键合等工艺的一系列优化,在250℃的低温条件下生成了熔点为415℃的金属间化合物,获得了良好的键合层。得到的键合样品剪切力强度值达到了GJB548B-2005标准的要求。研究表明,Cu-Sn等温凝固键合技术具有实际应用的潜力。
关键词
等温凝固
Cu-Sn
键合
圆片级封装
剪切力
Keywords
IS（isothermal solidification）
Cu-Sn
bonding
wafer-level packaging
shear strength
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
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1
MEMS圆片级封装用Cu-Sn低温键合机理与工艺研究
荣毅博
蔡坚
王水弟
贾松良
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
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