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馆藏汉代瓦当表面可溶盐的化学组成分析 被引量:1
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作者 荆海燕 马芬 +2 位作者 郑丽珍 白璐 付文斌 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期244-248,共5页
采用离子色谱仪(IC),扫描电子显微镜-能谱仪(SEM-EDS),X射线衍射仪(XRD)和傅里叶变化显微红外光谱仪(FTIR)等现代分析仪器,对陕西历史博物馆馆藏的汉代瓦当表面可溶盐进行了鉴定,并分析了相关的化学组成。结果表明,瓦当表面可溶盐含有石... 采用离子色谱仪(IC),扫描电子显微镜-能谱仪(SEM-EDS),X射线衍射仪(XRD)和傅里叶变化显微红外光谱仪(FTIR)等现代分析仪器,对陕西历史博物馆馆藏的汉代瓦当表面可溶盐进行了鉴定,并分析了相关的化学组成。结果表明,瓦当表面可溶盐含有石膏(Ca SO_(4)·2H_(2)O)和有机酸钙盐[Ca_(3)(CH_(3)COO)_(3)Cl(NO_(3))_(2)·6H_(2)O]等成分。 展开更多
关键词 瓦当 可溶盐 扫描电子显微镜-能谱 X射线衍射 离子色谱
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老年衰弱前期患者跌倒恐惧及其影响因素现状调查研究
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作者 荆海燕 梁碧娟 +4 位作者 陈玉兰 田志禾 杜钰娟 何馨 张晓微 《中国医药导报》 CAS 2024年第29期119-124,共6页
目的了解老年衰弱前期患者跌倒恐惧现状及其影响因素,为预防老年衰弱前期患者发生跌倒恐惧提供参考。方法采用便利抽样法选取2023年10月至12月昆明市第二人民医院、云南省第三人民医院和云南大学附属医院共3所三甲医院的500名老年衰弱... 目的了解老年衰弱前期患者跌倒恐惧现状及其影响因素,为预防老年衰弱前期患者发生跌倒恐惧提供参考。方法采用便利抽样法选取2023年10月至12月昆明市第二人民医院、云南省第三人民医院和云南大学附属医院共3所三甲医院的500名老年衰弱前期患者为调查对象。采用Fried衰弱量表、日常生活活动能力量表、简明精神状态检查量表、Berg平衡量表、跌倒恐惧测量工具(单条目问题法)、微营养评定法和自制老年衰弱前期患者跌倒恐惧危险因素资料调查表进行调查,采用χ^(2)检验和二元logistic回归分析模型分析老年衰弱前期患者跌倒恐惧现状及其影响因素。结果500名老年衰弱前期患者中共有219名发生跌倒恐惧(43.8%),logistic回归分析结果显示,平衡功能下降(OR=2.982,95%CI:1.986~4.768)、心脏疾病(OR=1.875,95%CI:1.264~2.780)、步速减慢(OR=2.009,95%CI:1.255~3.218)、疼痛(OR=1.774,95%CI:1.168~2.694)是老年衰弱前期患者发生跌倒恐惧的危险因素(P<0.05)。结论相较于非衰弱老年人,衰弱前期老年人的跌倒恐惧发生率较高,应加强对这一人群的关注,针对发生跌倒恐惧的高危因素制订干预措施,以增强跌倒恐惧防范意识,降低跌倒恐惧发生率。 展开更多
关键词 衰弱前期 老年患者 跌倒惧 影响因素 跌倒
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3300 V高性能混合SiC模块研制
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作者 刘艳宏 杨晓菲 +2 位作者 王晓丽 荆海燕 刘爽 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期13-18,共6页
将Si基绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片与SiC结型势垒肖特基二极管芯片按照双开关电路结构排布,开发了一种3 300 V等级混合SiC模块,对其设计方法、封装工艺、仿真、测试结果进行分析,并对标相同规格IGB... 将Si基绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片与SiC结型势垒肖特基二极管芯片按照双开关电路结构排布,开发了一种3 300 V等级混合SiC模块,对其设计方法、封装工艺、仿真、测试结果进行分析,并对标相同规格IGBT模块。混合SiC模块低空洞率焊接满足牵引领域高温度循环周次的要求,冗余式的连跳键合结构可以有效增强功率循环能力。采用双脉冲法测试动态性能,测试结果表明该混合SiC模块反向恢复时间减小了84%,反向恢复电流减小了89.5%,反向恢复能量减小了99%,一次开关产生的总损耗降低了43.3%。混合SiC模块消除了开关过程中电压和电流过冲现象,在高电压、大电流和高频率的应用工况下具有明显的优势。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 结型势垒肖特基二极管 混合SiC模块
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GE Prospeed AI CT机器扫描软件故障维修 被引量:3
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作者 荆海燕 于良宁 《生物医学工程与临床》 CAS 2018年第2期206-207,220,共3页
1故障现象 山东大学齐鲁医院使用的GE公司型号为Prospeed AI的螺旋CT工作中出现如下故障:机器在扫描1例病人时,扫描完定位像后,制定好扫描计划,点击扫描,机器不扫描,且无明确的错误代码。查看机器的log,其中有一句"The System could ... 1故障现象 山东大学齐鲁医院使用的GE公司型号为Prospeed AI的螺旋CT工作中出现如下故障:机器在扫描1例病人时,扫描完定位像后,制定好扫描计划,点击扫描,机器不扫描,且无明确的错误代码。查看机器的log,其中有一句"The System could not find a valid localizer for this prescription"。意思是"在此次扫描计划中系统未发现可用的定位线"。实验时将扫描螺距由1.2改为1.4,机器就可以正常扫描。 展开更多
关键词 扫描软件 参数 软件安装 CT 设备维修
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小儿咳喘康口服液中盐酸麻黄碱含量测定
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作者 陈同坡 高青枝 +1 位作者 吴爱英 荆海燕 《山东医药》 CAS 北大核心 2002年第13期70-70,共1页
关键词 小儿咳喘康口服液 盐酸麻黄碱 含量测定 薄层扫描
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对早、中期类风湿性关节炎患者实施人性化护理干预的效果分析
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作者 荆海燕 《当代医药论丛》 2015年第16期83-85,共3页
目的:探讨分析对早、中期类风湿性关节炎患者实施人性化护理干预的临床效果。方法 :选取2014年1月至2014年12月间我院收治的早、中期类风湿性关节炎患者68例作为研究对象,采用随机数表法将其分为对照组(34例)和研究组(34例),均使用激素... 目的:探讨分析对早、中期类风湿性关节炎患者实施人性化护理干预的临床效果。方法 :选取2014年1月至2014年12月间我院收治的早、中期类风湿性关节炎患者68例作为研究对象,采用随机数表法将其分为对照组(34例)和研究组(34例),均使用激素、免疫抑制剂及云克等药物为两组患者进行常规治疗。在治疗的过程中,为对照组患者进行常规护理,为研究组患者在进行常规护理的基础上实施人性化护理干预,观察对比护理前后两组患者负面情绪、疼痛症状的改善程度及其对护理工作的满意度,并将对比的结果及两组患者的临床资料进行回顾性的分析。结果 :在护理前,两组患者VAS评分、SAS评分及SDS评分之间的差异均不显著(P>0.05),不具有统计学意义。经过一段时间的护理,两组患者的VAS评分、SAS评分及SDS评分较护理前均有明显的改善,且研究组患者上述指标的改善程度更为明显,差异显著(P<0.05),具有统计学意义。研究组患者对护理工作的满意度评分为(91.24±2.25)分,对照组患者对护理工作的满意度评分为(79.86±5.37)分,研究组患者对护理工作的满意度评分明显高于对照组患者,差异显著(P<0.05),具有统计学意义。结论 :对早、中期类风湿性关节炎患者实施人性化护理干预的临床效果显著,此护理方法不仅能减轻患者的疼痛程度、改善其负面情绪,该能提高其对护理工作的满意度,值得在临床上推广应用。 展开更多
关键词 早、中期类风湿性关节炎 人性化护理干预 临床效果 分析
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多功能数字平板成像系统——锐珂DR7500故障维修经验汇总 被引量:1
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作者 于良宁 杨志成 +1 位作者 张俊杰 荆海燕 《中国医疗器械杂志》 2020年第5期467-470,共4页
对近几年在锐珂DR7500所发生的三类故障进行维修总结——硬件故障、软件故障与通讯故障。并对三类故障的具体案例进行了逐项排除步骤介绍。
关键词 故障 电源 配件 软件
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电动汽车用IGBT模块铜底板设计 被引量:1
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作者 刘艳宏 邢毅 +1 位作者 董妮 荆海燕 《电子与封装》 2019年第9期34-36,42,共4页
对电动汽车用绝缘栅双极性晶体管(IGBT)模块铜底板进行预弯设计,使其具有一定的弧度,以抵消铜底板在焊接时的变形,保证铜底板与散热器之间的接触面平面度,进而保证散热量。通过加工9组不同预弯高度H值的铜底板进行焊接实验和安装扭矩模... 对电动汽车用绝缘栅双极性晶体管(IGBT)模块铜底板进行预弯设计,使其具有一定的弧度,以抵消铜底板在焊接时的变形,保证铜底板与散热器之间的接触面平面度,进而保证散热量。通过加工9组不同预弯高度H值的铜底板进行焊接实验和安装扭矩模拟试验,并分别对铜底板预弯高度H值为550μm、600μm的IGBT模块进行3D轮廓测量和超声波扫描,最终设定预弯高度H值为550~600μm。 展开更多
关键词 电动汽车 IGBT 铜底板 预弯弧度 平面度
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3300V混合SiC IGBT模块研制与性能分析 被引量:1
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作者 杨晓菲 于凯 +2 位作者 董妮 荆海燕 刘爽 《电子与封装》 2021年第11期59-64,共6页
传统绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模块内部集成有PIN结构的Si基二极管作为续流二极管,该二极管开关损耗大,并且在关断时存在电流、电压过冲现象,使得IGBT模块整体功耗增大,可靠性降低。通过SiC结势垒控制... 传统绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模块内部集成有PIN结构的Si基二极管作为续流二极管,该二极管开关损耗大,并且在关断时存在电流、电压过冲现象,使得IGBT模块整体功耗增大,可靠性降低。通过SiC结势垒控制肖特基二极管(Junction Barrier Control Schottky Diode,JBS)代替模块内原有的PIN结构Si基二极管,研制了3300 V/1500 A等级的Si IGBT/SiC JBS混合模块。介绍了混合模块的设计方法、制造工艺及测试结果,并对比传统Si基IGBT模块与Si IGBT/SiC JBS混合模块的电学参数差异。通过相同工况条件下的功耗计算,对比两者功耗的差别。研究表明Si IGBT/SiC JBS模块中二极管的开关电流减小了91.9%、开关能量减小了98.3%,二极管功耗相对减少了62.1%,使得混合模块整体功耗降低,消除了电压、电流过冲,提高了模块可靠性。 展开更多
关键词 碳化硅 结势垒控制肖特基二极管 绝缘栅双极型晶体管 混合模块
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