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题名LED热阻测量不确定度的一种评定方法
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作者
茹志芹
张瑞霞
彭浩
刘东月
黄杰
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《信息技术与标准化》
2016年第3期21-24,共4页
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文摘
首先对各个分量的不确定度进行分析,得出各分量的相对不确定度,再计算热阻的合成不确定度。对各个分量按照A类和B类不确定度分别进行了详细计算,并对温度系数的计算过程中采用的最小二乘法线性拟合引入的不确定度进行了分析。该评定方法从各分量的相对不确定度可以较清楚地评估出各个分量对热阻值的影响程度,有助于测试人员采取有效措施减小误差,获得更加准确的测量结果。
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关键词
LED
热阻
电学法
测量不确定度
最小二乘法
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Keywords
LED
thermal resistance
electrical measurement
measurement uncertainty
the least square method
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分类号
TM923.34
[电气工程—电力电子与电力传动]
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题名GaN HEMT器件热特性的电学测试法
被引量：7
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作者
迟雷
茹志芹
童亮
黄杰
彭浩
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期235-240,共6页
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文摘
基于JEDEC颁布的结到壳热阻瞬态热测试界面法,对测试GaN HEMT器件热特性的电学法进行了研究。通过合理的测试电路设计,有效解决了GaN HEMT器件电学法测试中的栅极保护问题和自激问题,实现了GaN HEMT器件的界面热阻测量。根据测得的热阻-热容结构函数曲线可知,GaN HEMT器件结到壳热阻主要由金锡焊接工艺和管壳热特性决定。结合结构函数分析,对金锡焊接部分热阻和管壳热阻进行排序可剔除有工艺缺陷的器件。与红外热成像法的结温测试结果进行对比分析,证实了电学法测试结果的准确性。
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关键词
GaN
HEMT
电学测试法
热特性测试
瞬态热测试界面法
红外热成像法
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Keywords
GaN HEMT
electrical measurement method
thermal characteristics test
transient thermal testing interface method
infrared thermography method
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名对数正态分布分析法求取LED器件光通维持寿命
被引量：1
- 3
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作者
刘东月
茹志芹
聂丛伟
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期869-872,共4页
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文摘
由于发光二极管(LED)属于半导体器件,其参数退化服从对数正态分布。基于对数正态分布的数值分析法,研究了LED的光通维持寿命,通过以温度为应力的恒定压力加速寿命试验,并以LED器件的光通维持率作为失效判据,对LED器件加速寿命试验数据进行了分析处理。采用定数截尾的加速寿命试验方法,基于对数正态分布的基本假设,通过对对数正态分布的主要参数进行估计,给出了LED器件的加速模型,由此得到LED器件正常工作时的光通维持寿命,并且采用了图估法证明了该方法的有效性。
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关键词
LED器件
对数正态分布
数值分析法
加速寿命
光通维持寿命
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Keywords
LED device
lognormal distribution
numerical analysis method
accelerated life
lumen maintenance life
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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题名半导体器件结到壳热阻测试研究
被引量：2
- 4
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作者
彭浩
茹志芹
张瑞霞
刘东月
徐立生
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机构
国家半导体器件质量监督检验中心
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出处
《电子工艺技术》
2016年第3期171-174,共4页
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文摘
到壳热阻是衡量半导体器件热性能的重要参数。详细介绍了将半导体器件外壳表面与外部热沉相接触时,从半导体的热耗散结到封装外壳表面的一维热传导路径下,用瞬态双界面法进行结到壳热阻Rth(J-C)测量的方法。阐述了双界面测试法中存在的若干现象与问题,分析了该方法中加热功率、被测件外壳温度控制以及施加加热功率的时间长短对测试结果产生影响的原因,并针对各个问题和影响因素提出了相应的解决办法及合理建议,以获得更为准确且更具有应用性和指导性的热阻测试结果。
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关键词
半导体器件
结到壳热阻
双界面测试法
影响因素
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Keywords
semiconductor device
junction-to-case thermal resistance
dual interface test method
influence factor
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名多芯片贴片式LED器件结温测量
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作者
刘东月
彭浩
茹志芹
黄杰
徐立生
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机构
国家半导体器件质量监督检验中心
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出处
《电子工艺技术》
2013年第3期145-147,180,共4页
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基金
工信部产业发展基金项目(项目编号:2012-407)
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文摘
结温是多芯片LED器件热性能的关键参数。以SMD5050 LED器件为例,研究了多芯片贴片式LED器件结温测量方法。SMD5050 LED是一种多芯片贴片式封装的LED器件,器件内封装有3颗芯片,3颗芯片之间并联。根据单芯片LED器件热阻测试原理,模拟SMD5050 LED器件正常工作时的状态,对SMD5050 LED器件的结温进行了测量,并根据LED芯片特性,验证了测量结果的准确性,这种方法适用于封装结构相似的其他多芯片LED器件结温的测量。
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关键词
5050LED
多芯片
结温
测量
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Keywords
5050 LED
Multi-chip
Junction temperature
Measurement
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分类号
TN36
[电子电信—物理电子学]
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题名LDMOS功率器件可靠性筛选技术研究
被引量：2
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作者
张艳杰
茹志芹
童亮
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《电子工艺技术》
2017年第4期208-211,共4页
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基金
河北省自然科学基金项目(项目编号:F2013202256)
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文摘
为了获得良好的筛选效果,剔除早期失效产品,通过对LDMOS功率器件的失效情况进行调研分析,设计了LDMOS功率器件的筛选方案。主要研究了LDMOS功率器件失效模式和失效机理之间的对应关系、失效机理与试验项目之间的关系。选取可覆盖全部失效模式的试验项目,并根据各试验项目的特性和作用对其进行排序,形成合理有效的LDMOS功率器件可靠性筛选方案。选用100只某型号LDMOS功率器件按照此方案进行筛选,并对失效产品进行失效分析,验证了方案的有效性。
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关键词
LDMOS
失效模式
失效机理
可靠性
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Keywords
LDMOS
failure mode
failure mechanism
reliability
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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