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氧化铝改性硅基陶瓷型芯制备及结晶动力学 被引量:1
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作者 范红娜 许西庆 +3 位作者 李鑫 齐长见 李敏敏 韩委委 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期212-217,共6页
氧化铝是硅基陶瓷型芯中的常用矿化剂,但其对石英析晶的促进或抑制作用却存在两种相反的结论。为探究不同氧化铝添加剂对硅基陶瓷型芯性能与析晶行为的影响,分别采用高纯氧化铝、普通氧化铝作为矿化剂,制备氧化铝改性硅基陶瓷型芯。高... 氧化铝是硅基陶瓷型芯中的常用矿化剂,但其对石英析晶的促进或抑制作用却存在两种相反的结论。为探究不同氧化铝添加剂对硅基陶瓷型芯性能与析晶行为的影响,分别采用高纯氧化铝、普通氧化铝作为矿化剂,制备氧化铝改性硅基陶瓷型芯。高纯氧化铝粉对方石英的析晶起到抑制作用,而普通氧化铝粉反而促进方石英的析晶。普通氧化铝粉比高纯氧化铝粉含有更多的碱金属、碱土金属氧化物杂质,这些氧化物作为网络修饰体降低结晶活化能,促进方石英的析晶。两种氧化铝矿化剂对型芯的线收缩率、致密化和力学性能影响表现出很大差异。由于普通氧化铝粉促进方石英析晶和烧结致密化,显著提高型芯的抗蠕变能力。当普通氧化铝粉加入量为5%(质量分数)时,陶瓷型芯表现出良好的综合性能,其收缩率为0.63%,室温弯曲强度为20.2 MPa,1540℃/0.5 h双支点挠度为0.23 mm,可满足精密铸造对型芯的要求。 展开更多
关键词 氧化硅 陶瓷型芯 氧化铝 结晶活化能 性能
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铌酸锂晶片抛光的主要物理及化学因素分析 被引量:2
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作者 杨静 杨洪星 +4 位作者 韩焕鹏 王雄龙 田原 范红娜 张伟才 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第A02期273-276,共4页
光学器件的飞速发展对基体材料铌酸锂不断提出更高要求。为获得满足器件使用要求的超光滑、高平整晶片表面,采用化学机械抛光方法对铌酸锂进行加工。研究过程中,对负载压力、抛光布表面结构、抛光液流量、p H值等工艺参数进行了优化调整... 光学器件的飞速发展对基体材料铌酸锂不断提出更高要求。为获得满足器件使用要求的超光滑、高平整晶片表面,采用化学机械抛光方法对铌酸锂进行加工。研究过程中,对负载压力、抛光布表面结构、抛光液流量、p H值等工艺参数进行了优化调整,最终制备出平整度较高、表面粗糙度较小的铌酸锂抛光片。实验结果表明,选取Suba 600抛光布、液流量3 m L/s、p H值为10、底盘转速60 r/min、压力为0.16 MPa作为抛光工艺参数可获得高平整、超光滑的铌酸锂抛光片。平面度测量仪与原子力显微镜测试结果表明,所制备LN抛光片的总厚度变化(TTV)为6.398μm,粗糙度(Ra)为0.196 nm。 展开更多
关键词 铌酸锂 化学机械抛光 粗糙度 总厚度变化
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钽酸锂单晶片几何参数控制技术研究 被引量:1
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作者 杨洪星 王雄龙 +2 位作者 杨静 范红娜 李明佳 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期847-850,共4页
钽酸锂单晶材料具有良好的压电性能,是制作声表面波器件的理想衬底材料之一。该文从化学腐蚀、磨料粒径和粘蜡工艺3方面进行研究,钽酸锂单晶片的几何参数得到有效控制,最终得到了几何参数优越的钽酸锂单晶抛光片。其中总厚度变化(TTV)≤... 钽酸锂单晶材料具有良好的压电性能,是制作声表面波器件的理想衬底材料之一。该文从化学腐蚀、磨料粒径和粘蜡工艺3方面进行研究,钽酸锂单晶片的几何参数得到有效控制,最终得到了几何参数优越的钽酸锂单晶抛光片。其中总厚度变化(TTV)≤5μm,局部平整度(LTV)≤1.5μm,局部平整度合格比例(PLTV)≥95%,翘曲度(Warp)≥20μm,弯曲度(Bow)≤10μm,达到了商用钽酸锂单晶片的技术水平。 展开更多
关键词 钽酸锂 几何参数 化学腐蚀 研磨 抛光
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单晶硅抛光片表面质量探究 被引量:2
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作者 范红娜 杨洪星 《电子工业专用设备》 2016年第8期27-29,44,共4页
LED集成度越来越高,集成电路线宽不断收窄,对硅衬底表面的质量提出了越来越严苛的要求,抛光片表面质量对器件制造有重要影响。RCA清洗是晶片清洗最为成熟的工艺,其工艺稳定性受到多重因素影响。从DHF溶液使用及PFA花篮质量两方面分析了... LED集成度越来越高,集成电路线宽不断收窄,对硅衬底表面的质量提出了越来越严苛的要求,抛光片表面质量对器件制造有重要影响。RCA清洗是晶片清洗最为成熟的工艺,其工艺稳定性受到多重因素影响。从DHF溶液使用及PFA花篮质量两方面分析了RCA清洗过程的两个关键因素对晶片表面质量的影响。 展开更多
关键词 清洗技术 花篮 氢氟酸 颗粒度
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异质外延用硅单晶片边缘质量控制技术研究
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作者 杨洪星 范红娜 +2 位作者 刘玉岭 陶术鹤 何远东 《中国电子科学研究院学报》 北大核心 2017年第6期632-635,共4页
异质外延在LED、高性能光电集成电路(OEIC)等多种领域存在广泛应用。Si基衬底由于具有优良性能,广受关注。Si基衬底异质外延时,由于Si与异质外延层之间的晶格失配和热失配,一般需要在衬底上生长一层缓冲层,而后在缓冲层上生长异质外延层... 异质外延在LED、高性能光电集成电路(OEIC)等多种领域存在广泛应用。Si基衬底由于具有优良性能,广受关注。Si基衬底异质外延时,由于Si与异质外延层之间的晶格失配和热失配,一般需要在衬底上生长一层缓冲层,而后在缓冲层上生长异质外延层。Si衬底损伤层对缓冲层成核具有较大的影响,进而对异质外延层造成重大影响。本文以硅单晶片边缘质量控制为切入点,开展了异质外延用硅单晶片的研究。 展开更多
关键词 硅单晶 边缘质量 异质外延 倒角 半导体
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锗抛光片清洗工艺研究 被引量:1
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作者 郭亚坤 陈晨 +2 位作者 田原 范红娜 王云彪 《电子工业专用设备》 2015年第11期36-39,共4页
采用紫外线/臭氧技术氧化锗抛光片表面,取代传统的H2O2氧化工艺,之后使用盐酸稀溶液清洗。研究发现当采用波长为253.7 nm和184.9 nm的紫外线光源与臭氧同时作用,并在尽可能靠近锗抛光片表面时,经过30 s的反应时间即可实现对锗抛光片的... 采用紫外线/臭氧技术氧化锗抛光片表面,取代传统的H2O2氧化工艺,之后使用盐酸稀溶液清洗。研究发现当采用波长为253.7 nm和184.9 nm的紫外线光源与臭氧同时作用,并在尽可能靠近锗抛光片表面时,经过30 s的反应时间即可实现对锗抛光片的最佳氧化效果。利用雾值检测对锗抛光片表面质量进行评价,当锗抛光片经过盐酸:H2O=1:50的溶液处理60 s后,可有效地去除抛光片表面的锗氧化物。 展开更多
关键词 紫外线/臭氧 清洗技术 雾值 锗抛光片
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高速公路机电设备与监控管理标准化 被引量:2
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作者 范红娜 《交通世界》 2017年第25期163-164,共2页
通过对长春—松原高速机电设备和监控管理体制的分析,对比目前国内采用的设备管理方法,从而建立标准化的管理制度。结论证实,高速公路机电系统是高速公路投资部门管理的重要管理工具,是高速管理者对使用高速公路的公民提供安全、高效的... 通过对长春—松原高速机电设备和监控管理体制的分析,对比目前国内采用的设备管理方法,从而建立标准化的管理制度。结论证实,高速公路机电系统是高速公路投资部门管理的重要管理工具,是高速管理者对使用高速公路的公民提供安全、高效的系统化人性服务的主要设施,涉及到了多个业务和岗位的协同发展。 展开更多
关键词 高速公路机电设备 监控管理 标准化分析
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不同粒度莫来石粉改性硅基陶瓷型芯的制备及性能 被引量:8
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作者 吴笑非 李鑫 +3 位作者 许西庆 牛书鑫 范红娜 杨小薇 《航空材料学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期128-133,共6页
陶瓷型芯在航空发动机空心涡轮叶片的熔模精密铸造中提供复杂内腔结构。采用不同粒径的电熔莫来石粉作为添加剂,利用热压注法制备氧化硅/莫来石陶瓷型芯,研究莫来石粒径对型芯析晶行为和性能的影响。结果表明:莫来石粉的加入促进方石英... 陶瓷型芯在航空发动机空心涡轮叶片的熔模精密铸造中提供复杂内腔结构。采用不同粒径的电熔莫来石粉作为添加剂,利用热压注法制备氧化硅/莫来石陶瓷型芯,研究莫来石粒径对型芯析晶行为和性能的影响。结果表明:莫来石粉的加入促进方石英的析晶,较细莫来石对不均匀形核的促进更加明显,会产生更多的方石英晶相;粒径过大的莫来石粉会导致型芯烧结程度低,力学性能和抗蠕变能力较差;当莫来石粉的粒径过小时,型芯内含有过多的方石英晶相,冷却中相变产生微裂纹,也会引起室温强度和抗高温变形能力恶化;莫来石粒径为19μm的陶瓷型芯表现出良好的综合性能:线收缩率为0.65%,气孔率为31.8%,室温弯曲强度为17.8 MPa,1540℃的蠕变为0.4 mm,溶蚀率为0.06 g/min。 展开更多
关键词 陶瓷型芯 氧化硅 莫来石 颗粒尺寸 力学性能
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