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机器学习在分子束外延生长的应用进展
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作者 杨再洪 周灿 +3 位作者 范柳燕 张燕辉 陈泽中 陈平平 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期924-934,共11页
最近几年,人工智能在材料领域得到广泛应用,机器学习在分子束外延(MBE)技术中的应用引人关注。基于原位反射高能电子衍射(RHEED)及相关物性的智能识别和反馈的MBE技术,能够显著提升生长材料的质量和生长效率,有望实现薄膜的MBE智能外延... 最近几年,人工智能在材料领域得到广泛应用,机器学习在分子束外延(MBE)技术中的应用引人关注。基于原位反射高能电子衍射(RHEED)及相关物性的智能识别和反馈的MBE技术,能够显著提升生长材料的质量和生长效率,有望实现薄膜的MBE智能外延。本综述聚焦机器学习MBE中的应用研究,首先介绍了MBE中常用的机器学习算法模型,阐述了机器学习在优化MBE生长条件中的应用,着重总结了不同材料体系(半导体薄膜和量子结构材料、氧化物材料和二维材料等)基于RHEED图像机器学习的研究进展,并就存在的问题和未来的发展策略进行了总结展望。 展开更多
关键词 分子束外延 机器学习 反射高能电子衍射 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料 人工智能
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强上转换发光的LiLu_(1-x)Yb_xF_4∶Tm@LiGdF_4核壳纳米晶的制备 被引量:4
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作者 翟雪松 刘世虎 +3 位作者 范柳燕 刘杰 焦宝祥 王丽丽 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1149-1154,共6页
利用高温热分解法制备了LiLuF_4∶Yb,Tm@LiGdF_4核壳纳米晶。在980nm激光激发下,与未包覆的样品相比,LiLuF_4∶Yb,Tm@LiGdF_4核壳纳米晶的发光增强了15倍左右,这主要是因为通过惰性壳层的包覆可以有效抑制表面猝灭效应。另外,随着核中Yb... 利用高温热分解法制备了LiLuF_4∶Yb,Tm@LiGdF_4核壳纳米晶。在980nm激光激发下,与未包覆的样品相比,LiLuF_4∶Yb,Tm@LiGdF_4核壳纳米晶的发光增强了15倍左右,这主要是因为通过惰性壳层的包覆可以有效抑制表面猝灭效应。另外,随着核中Yb^(3+)离子的摩尔分数从20%增加到100%,上转换发光强度逐渐增大,最大增加了12.4倍左右。这主要是由于增加Yb^(3+)离子的浓度可以增加纳米粒子对激发光的吸收和提高Yb^(3+)到Tm^(3+)的能量传递速率。所制备的LiYbF_4∶2%Tm@LiGdF_4核壳纳米晶的发光效率高达4%。 展开更多
关键词 上转换发光 核壳纳米晶 LiLuF4 掺杂浓度
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分子束外延高铟组分InGaAs薄膜研究 被引量:3
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作者 杨瑛 王红真 +8 位作者 范柳燕 陈平平 刘博文 贺训军 顾溢 马英杰 李淘 邵秀梅 李雪 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期987-994,共8页
研究了分子束外延生长条件对高铟组分InGaAs材料性能的影响,分析了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比和As分子束形态对In_(0.74)Ga_(0.26)As材料光致发光和X射线衍射峰强度、本底载流子浓度和迁移率的影响。测试结果表明:适中的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比可以... 研究了分子束外延生长条件对高铟组分InGaAs材料性能的影响,分析了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比和As分子束形态对In_(0.74)Ga_(0.26)As材料光致发光和X射线衍射峰强度、本底载流子浓度和迁移率的影响。测试结果表明:适中的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比可以提高材料晶格质量,减少非辐射复合,降低本底杂质浓度。As分子束为As_(2)时In_(0.74)Ga_(0.26)As材料质量优于As4分子束。当生长温度为570℃,As分子束形态为As2,V/III比为18时,可以获得较高的光致发光和X射线衍射峰强度,室温和77 K下的本底载流子浓度分别达到6.3×10^(14)cm^(-3)和4.0×10^(14)cm^(-3),迁移率分别达到13400cm^(2)/Vs和45160 cm^(2)/Vs。 展开更多
关键词 INGAAS 高铟组分 短波红外 分子束外延 迁移率
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松花湖水质监测点的优化 被引量:1
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作者 范柳燕 邢爱黎 《环境监测管理与技术》 1995年第1期39-41,共3页
松花湖水质监测点的优化范柳燕,邢爱黎(吉林省吉林市环境保护监测站132000)前言松花湖位于松花江中上游,属吉林市辖区之内。是我国大型人工湖泊之一。库容108亿立方米,水面面积550平方公里。它兼有饮用、灌溉、渔业、... 松花湖水质监测点的优化范柳燕,邢爱黎(吉林省吉林市环境保护监测站132000)前言松花湖位于松花江中上游,属吉林市辖区之内。是我国大型人工湖泊之一。库容108亿立方米,水面面积550平方公里。它兼有饮用、灌溉、渔业、发电、航运和旅游等多种功能。从19... 展开更多
关键词 湖泊 监测断面 水质监测 优化布点
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MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性 被引量:1
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作者 郭子路 王文娟 +7 位作者 曲会丹 范柳燕 诸毅诚 王亚杰 郑长林 王兴军 陈平平 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期63-69,共7页
InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用... InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用固态源分子束外延(MBE)技术分别在As和P气氛保护下对InP衬底进行脱氧处理并外延生长晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜和APD结构材料。实验结果表明,As脱氧在MBE材料质量方面比P脱氧具有明显的优势,可获得陡直明锐的异质结界面,降低载流子浓度,提高霍尔迁移率,延长少子寿命,并抑制器件中点缺陷或杂质缺陷引起的暗电流。因此,As脱氧可以有效提高MBE材料的质量,这项工作优化了InP衬底InGaAs/InP外延生长参数和器件制造条件。 展开更多
关键词 分子束外延 P/As切换 异质界面扩散 InGaAs/InP雪崩光电二极管
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模糊数学在区域环境质量综合评价中的应用
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作者 范柳燕 《中国环境监测》 CAS CSSCI CSCD 北大核心 1990年第3期59-61,共3页
目前,在国内外区域环境质量的综合评价中,一般采用指数方法。虽然该方法简单、易于理解,但在进行计算和指数评判上,缺乏科学性。采用模糊数学中的模糊综合评判法进行评价,不但可克服原有评价方法的缺点,而且能够客观地反映评价参数与评... 目前,在国内外区域环境质量的综合评价中,一般采用指数方法。虽然该方法简单、易于理解,但在进行计算和指数评判上,缺乏科学性。采用模糊数学中的模糊综合评判法进行评价,不但可克服原有评价方法的缺点,而且能够客观地反映评价参数与评价标准之间的自然隶属关系。 展开更多
关键词 区域 环境质量 评价 模糊数学
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非均匀GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器材料表征和器件性能研究
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作者 苏家平 周孝好 +4 位作者 唐舟 范柳燕 夏顺吉 陈平平 陈泽中 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期7-14,共8页
本文利用分子束外延(MBE)技术成功生长了GaAs/AlGaAs非均匀量子阱红外探测器材料,并对相关微结构作了细致表征。分析比较了非均匀量子阱结构和常规量子阱红外探测器性能差异,并对比研究了不同势阱宽度下非均匀量子阱红外探测器的性能变... 本文利用分子束外延(MBE)技术成功生长了GaAs/AlGaAs非均匀量子阱红外探测器材料,并对相关微结构作了细致表征。分析比较了非均匀量子阱结构和常规量子阱红外探测器性能差异,并对比研究了不同势阱宽度下非均匀量子阱红外探测器的性能变化。通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)结合能谱仪(EDS)对非均匀量子阱红外探测器材料微结构进行了分析,并利用二次离子质谱仪(SIMS)对非均匀势阱掺杂进行了表征。结果表明,该量子阱外延材料晶体质量很好,量子阱结构和掺杂浓度也与设计值符合较好。对于非均匀量子阱红外探测器,通过改变每个阱的掺杂浓度和势垒宽度,可以改变量子阱电场分布,而与传统的均匀量子阱红外探测器相比,其暗电流显著下降(约一个数量级)。在不同阱宽下,非均匀量子阱的跃迁模式发生改变,束缚态到准束缚态跃迁模式下(B-QB)的器件具有较高的黑体响应率以及较低的暗电流。 展开更多
关键词 非均匀 量子阱 高分辨电镜 二次离子质谱 暗电流
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不同生长条件对CdTe/GaAs外延薄膜表面形貌和光学性质的影响
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作者 朱辰玮 刘欣扬 +4 位作者 巫艳 左鑫荣 范柳燕 陈平平 秦晓梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期29-35,共7页
本文利用分子束外延技术在GaAs(211)B衬底上外延CdTe(211)薄膜,系统研究不同工艺条件对CdTe外延薄膜的表面形貌和光学性质的影响。研究表明,在一定的生长温度下,在Te气氛下生长CdTe薄膜,增加CdTe:Te的束流比,可显著降低CdTe表面金字塔... 本文利用分子束外延技术在GaAs(211)B衬底上外延CdTe(211)薄膜,系统研究不同工艺条件对CdTe外延薄膜的表面形貌和光学性质的影响。研究表明,在一定的生长温度下,在Te气氛下生长CdTe薄膜,增加CdTe:Te的束流比,可显著降低CdTe表面金字塔缺陷的尺寸和密度,当CdTe和Te束流比为6.5时,金字塔缺陷几乎消失,材料的表面平整度显著改善,X射线衍射(XRD)也表明CdTe晶体质量显著提高。进一步的拉曼光谱表明,随着CdTe和Te束流比的增加,Te的A1峰减弱,CdTe LO和TO声子峰强度比增强。低温光致发光光谱(PL)研究也表明随着CdTe和Te束流比的增加,Cd空位的减少可以使与杂质能级相关的深能级区域的峰强降低,与此同时和晶体质量相关的自由激子峰半峰全宽减少,材料的光学质量明显改善。该研究为探索CdTe/GaAs外延材料的理想的工艺窗口以及相关机理,并为进一步以此为缓冲层外延高质量HgCdTe材料提供基础。 展开更多
关键词 CDTE 分子束外延 表面缺陷 拉曼光谱 荧光光谱
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