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常压 MOCVD 法生长 ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)应变层超晶格 被引量:3
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作者 范广涵 关郑平 +2 位作者 江风益 范希武 宋士惠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1990年第1期10-15,共6页
本文首次报导以常压 MOCVD 法,用二甲基锌、硒化氢、硫化氢为源,在砷化镓衬底上外延生长 ZnSe/ZnS_XSe_(1-X) 应变层超晶格结构。讨论了气相组分对外延层组分的影响。用 X 射线衍射法和光荧光法鉴定了超晶格结构。
关键词 应变层 超晶格 ZNSE ZnSxSe1-x
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N掺杂p-型ZnO的第一性原理计算 被引量:39
2
作者 陈琨 范广涵 +1 位作者 章勇 丁少锋 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第1期61-66,共6页
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿ZnO和N掺杂p-型ZnO晶体的电子结构,分析了N掺杂p-型ZnO晶体的能带结构、电子态密度、差分电荷分布以及H原子和N2分子对p-型掺杂ZnO的影响.
关键词 密度泛函理论 第一性原理 超软赝势方法 N掺杂纤锌矿ZnO
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现代MOCVD技术的发展与展望 被引量:23
3
作者 文尚胜 廖常俊 +3 位作者 范广涵 刘颂豪 邓云龙 张国东 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1999年第3期99-107,共9页
MOCVD是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代MOCVD 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流均匀性的立式高速涡轮转盘MOCVD技术-
关键词 MOCVD技术 有机金属化合物 气相外延 衬底
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应用最小二乘法完善质量流量计的工作曲线 被引量:10
4
作者 王浩 范广涵 +1 位作者 廖常俊 周天明 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期770-772,共3页
主要讲述应用最小二乘法分析拟合质量流量计 (MFC)的工作曲线 ,以完善流量计的使用操作参数。首先根据已有的工作曲线通过拟合找出设定流量 (msetting)—工作时间 (t)的变化规律 ,再根据此规律拟合找到流量计的设定流量 (m )—稳定时间(... 主要讲述应用最小二乘法分析拟合质量流量计 (MFC)的工作曲线 ,以完善流量计的使用操作参数。首先根据已有的工作曲线通过拟合找出设定流量 (msetting)—工作时间 (t)的变化规律 ,再根据此规律拟合找到流量计的设定流量 (m )—稳定时间(tsteady)曲线。 展开更多
关键词 质量流量计 工作曲线 设定 过拟合 参数 MFC 最小二乘法 稳定时间 工作时间
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LED在生物医学方面的应用和前景 被引量:17
5
作者 刘江 角建瓴 +1 位作者 刘承宜 范广涵 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1-4,共4页
本文综述了近年来发光二极管 (lightemittingdiode ,LED)在生物医学方面的研究与应用 ,内容包括 :LED作用于动物细胞的研究 ;LED作用于动物模型的研究 ;LED在临床实验方面的研究 ;几种用于生物医学的LED新器件 ;
关键词 LED 生物医学 发光二极管 细胞 动物 临床
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CdO及Cd_xZn_(1-x)O化合物的结构、能量和电子性能分析 被引量:8
6
作者 孙慧卿 丁少锋 +2 位作者 王雨田 邓贝 范广涵 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1233-1238,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理的平面波超软赝势计算方法,研究了纤锌矿结构的CdxZn1-xO化合物以及CdO在纤锌矿结构、岩盐结构和闪锌矿结构的基态电子特性和体结构,分析了CdO的稳定性.通过对比纤锌矿结构、岩盐结构和闪锌矿结构CdO... 采用基于密度泛函理论的第一性原理的平面波超软赝势计算方法,研究了纤锌矿结构的CdxZn1-xO化合物以及CdO在纤锌矿结构、岩盐结构和闪锌矿结构的基态电子特性和体结构,分析了CdO的稳定性.通过对比纤锌矿结构、岩盐结构和闪锌矿结构CdO的内聚能,发现岩盐结构和纤锌矿结构CdO的稳定性好,闪锌矿结构相对较差;通过对CdxZn1-xO化合物在不同Cd组分下的电子结构计算,得到了较好的禁带宽度拟合结果,能带弯曲参量B=1.02eV;通过形成能与组分关系的分析,我们认为当Cd的组分x=0.4左右时,CdxZn1-xO化合物最不稳定,容易出现相分离现象. 展开更多
关键词 CDO CdxZn1-xO 纤锌矿结构 电子结构 密度泛函理论
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Mg、Zn掺杂AlN电子结构的第一性原理计算 被引量:19
7
作者 张丽敏 范广涵 丁少锋 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1498-1502,共5页
采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,对Mg、Zn掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,对纤锌矿结构AlN晶体及AlN:Mg、AlN:Zn的结构、能带、结合能、电子态密... 采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,对Mg、Zn掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,对纤锌矿结构AlN晶体及AlN:Mg、AlN:Zn的结构、能带、结合能、电子态密度、集居数及差分电荷分布进行计算和分析.计算结果表明,AlN:Mg、AlN:Zn都能提供很多的空穴态,形成p型电导,并且Mg是较Zn更好的p型掺杂剂. 展开更多
关键词 ALN P型掺杂 电子结构 密度泛函理论 第一性原理
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用于细胞及组织培养的低强度LED生物光源 被引量:17
8
作者 刘江 范广涵 刘承宜 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期78-80,共3页
研制出可用于细胞及组织培养的低强度发光二极管光源 ,介绍了此光源的光路原理和简要结构 ,测试了该光源的辐射照度及其强度分布 。
关键词 细胞 组织培养 低强度LED生物光源 发光二极管 辐射照度 线性回归
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LED正向压降随温度的变化关系研究 被引量:24
9
作者 李炳乾 布良基 +1 位作者 甘雄文 范广涵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1349-1351,共3页
分析了LED正向压降随温度变化的物理机理 ,建立了恒流驱动下正向压降随温度的变化系数测试系统 对不同材料、不同发射波长的LED电压随温度变化系数进行了系统的实验研究 ,利用最小二乘法对实验数据进行了线性拟合 ,得到了不同发射波长... 分析了LED正向压降随温度变化的物理机理 ,建立了恒流驱动下正向压降随温度的变化系数测试系统 对不同材料、不同发射波长的LED电压随温度变化系数进行了系统的实验研究 ,利用最小二乘法对实验数据进行了线性拟合 ,得到了不同发射波长的AlGaInP、InGaN材料LED的电压随温度变化系数 ,对超高亮度LED。 展开更多
关键词 功率型LED 正向压降 电压随温度变化系数
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MOCVD生长的动力学模式探讨 被引量:12
10
作者 王浩 范广涵 廖常俊 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第2期54-57,共4页
讨论金属有机化合物气相沉积 (MOCVD)方式生长晶体的一种动力学解释 .应用分子动力学、化学反应动力学等推导出MOCVD反应过程中晶体生长速度 -原材料输运速度有关的公式 ,并应用这个公式进行了计算 ,计算结果与实际生长时的参数接近 .
关键词 化学反应动力学 分子动力学 金属有机化合物气相沉积 MOCVD 晶体生长 生长速度 半导体 外延生长
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LED显示屏亮度和颜色的调整方法 被引量:9
11
作者 郭志友 范广涵 孙慧卿 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第4期298-301,共4页
介绍了双基色LED显示屏的扫描原理、扫描电路及其调整方法。分析了扫描电路驱动74HC595的技术参数及工作状态,给出了3个公司的74HC595的技术参数表,并对参数进行了分析。
关键词 LED显示屏 亮度 颜色 调整方法 技术参数 扫描电路 扫描原理 发光二极管显示屏
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MgAl_2O_4/Ce∶YAG透明陶瓷的制备及光学性能 被引量:6
12
作者 贺龙飞 范广涵 +5 位作者 雷牧云 娄载亮 陈志武 肖瑶 郑树文 张涛 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1175-1179,共5页
采用金属醇盐法制备MgAl2O4前躯体,通过高温煅烧2~4h得到纯相MgAl2O4粉体,再将其与YAG∶Ce荧光粉均匀混合,利用热压烧结并结合热等静压处理得到MgAl2O4/Ce∶YAG透明陶瓷。利用XRD,SEM,EDS和荧光光谱仪对样品进行物相和光学性能分析。... 采用金属醇盐法制备MgAl2O4前躯体,通过高温煅烧2~4h得到纯相MgAl2O4粉体,再将其与YAG∶Ce荧光粉均匀混合,利用热压烧结并结合热等静压处理得到MgAl2O4/Ce∶YAG透明陶瓷。利用XRD,SEM,EDS和荧光光谱仪对样品进行物相和光学性能分析。实验表明样品由MgAl2O4和YAG两相组成,YAG晶粒均匀地分散在MgAl2O4基质中。样品在340和475nm有两个激发峰。发射光谱在533nm处有一宽峰,属于Ce3+的5d→4f特征跃迁发射,其荧光寿命为59.74ns。结果表明,MgAl2O4/Ce∶YAG透明陶瓷是一种可用于白光LED的新型荧光材料。 展开更多
关键词 YAG 铝酸镁 透明陶瓷 白光LED
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光散射PC荧光树脂的制备及光学性能 被引量:6
13
作者 肖瑶 范广涵 +7 位作者 皮辉 许毅钦 陈志武 贺龙飞 喻晓鹏 张力 郑树文 张涛 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3178-3182,共5页
以聚碳酸酯(PC)粉体、有机硅光扩散剂和YAG∶Ce荧光粉为原料,通过熔融共混法和高温压模法及减薄抛光工艺制备出不同有机硅光扩散剂质量分数的PC/YAG∶Ce光散射荧光树脂样品,通过SEM、XRD、透射光谱和PL的性能分析,表明:荧光树脂样品... 以聚碳酸酯(PC)粉体、有机硅光扩散剂和YAG∶Ce荧光粉为原料,通过熔融共混法和高温压模法及减薄抛光工艺制备出不同有机硅光扩散剂质量分数的PC/YAG∶Ce光散射荧光树脂样品,通过SEM、XRD、透射光谱和PL的性能分析,表明:荧光树脂样品在500~800nm光谱范围有较高的透光率,样品的主相都为Y3Al5O12,在342和448nm有两个激发波峰,发射光谱在532nm有一宽峰,属于Ce3+的5d→4f特征跃迁发射,对应的荧光寿命在61.5ns左右。把荧光树脂样品应用到白光LED器件的封装获得的光效为81.12lm/W@100mA,说明PC/YAG∶Ce荧光树脂片适用于作白光LED封装的新型荧光材料。 展开更多
关键词 荧光树脂 YAG∶Ce 聚碳酸酯 白光LED
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化学沉淀法和溶胶-凝胶法制备纳米二氧化钛及其抑菌性的研究 被引量:8
14
作者 郑品棋 熊予莹 +4 位作者 黄志安 伍思君 陈惜燕 李玲 范广涵 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第3期65-69,共5页
用化学沉淀法和溶胶-凝胶法制备纳米二氧化钛颗粒;利用X射线衍射和紫外-可见光吸收光谱分析法,重点研究氨水浓度和煅烧温度对二氧化钛纳米晶生长及其光学性质的影响.结果表明:氨水浓度的上升有利于纳米晶粒径的下降;煅烧温度的上升能促... 用化学沉淀法和溶胶-凝胶法制备纳米二氧化钛颗粒;利用X射线衍射和紫外-可见光吸收光谱分析法,重点研究氨水浓度和煅烧温度对二氧化钛纳米晶生长及其光学性质的影响.结果表明:氨水浓度的上升有利于纳米晶粒径的下降;煅烧温度的上升能促进结晶度的上升,同时煅烧温度和结晶度对粒径也有影响.随着粒径的下降,纳米晶的光吸收边蓝移.在得到颗粒的各项性质参数后,实验验证了普通日光灯下纳米二氧化钛颗粒的光催化抑菌性能. 展开更多
关键词 纳米二氧化钛 X射线衍射(XRD) 紫外-可见光吸收光谱(UV-VIS) 抑菌
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高亮度发光二极管中的电注入和光输出过程的理论分析 被引量:4
15
作者 邓云龙 廖常俊 +2 位作者 刘颂豪 范广涵 文尚胜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期255-260,共6页
通过对典型结构的高亮度发光二极管 (HB LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析 ,计算了LED的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系 ,结果表明顶层厚度对器件光电特性的影响很大 ,较厚的顶层可以使器件的注入电流容易扩展... 通过对典型结构的高亮度发光二极管 (HB LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析 ,计算了LED的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系 ,结果表明顶层厚度对器件光电特性的影响很大 ,较厚的顶层可以使器件的注入电流容易扩展、光容易耦合输出。优化设计后得到顶层厚度应该在 4 9~ 98μm之间。最后给出器件外量子效率与顶层厚度的关系曲线 ,并预言以GaAs为吸收衬底的LED外量子效率最大不超过 12 1%。 展开更多
关键词 电注入 光输出 理论分析 高亮度发光二极管 内量子效率 外量子效率 电流密度分布
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量子阱数量变化对InGaN/AlGaN LED的影响 被引量:5
16
作者 宋晶晶 张运炎 +2 位作者 赵芳 郑树文 范广涵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1368-1372,共5页
采用软件理论分析的方法分析了InGaN/AlGaN量子阱数量变化对发光二极管内量子效率、电子空穴浓度分布、载流子溢出产生的影响。分析结果表明:量子阱的个数不是越多越好,LED的光学性质和量子阱的个数并不成线性关系。量子阱个数太少时,... 采用软件理论分析的方法分析了InGaN/AlGaN量子阱数量变化对发光二极管内量子效率、电子空穴浓度分布、载流子溢出产生的影响。分析结果表明:量子阱的个数不是越多越好,LED的光学性质和量子阱的个数并不成线性关系。量子阱个数太少时,电流溢出现象较明显;而当量子阱个数太多时,极化现象明显,且会造成材料浪费。因此应根据工作电流选择合适的量子阱个数。 展开更多
关键词 量子阱数量 数值模拟 INGAN AlGaN发光二极管 大功率
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白光LED用MgAl_2O_4荧光透明陶瓷的制备及性能 被引量:7
17
作者 雷牧云 李祯 +3 位作者 贺龙飞 范广涵 娄载亮 庞珍丽 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期299-303,共5页
本文采用制备透明陶瓷用的高纯铝酸镁(MgAl2O4)粉体,掺杂市售黄色荧光粉作为原料,经过热压或热压结合热等静压的烧结方法制备出荧光透明陶瓷。对所得的铝酸镁荧光透明陶瓷样品进行了XRD分析,未发现样品中除铝酸镁和荧光粉以外的其他相;... 本文采用制备透明陶瓷用的高纯铝酸镁(MgAl2O4)粉体,掺杂市售黄色荧光粉作为原料,经过热压或热压结合热等静压的烧结方法制备出荧光透明陶瓷。对所得的铝酸镁荧光透明陶瓷样品进行了XRD分析,未发现样品中除铝酸镁和荧光粉以外的其他相;将荧光粉进行高温煅烧,测试了所用荧光粉煅烧前后及不同荧光粉掺杂浓度的荧光透明陶瓷的激发光谱和发射光谱,相应激发光谱的峰值位置未发生改变,荧光透明陶瓷可以很好地被蓝光激发出黄光。测试了用荧光透明陶瓷封装的白光LED的部分光电参数,并在350 mA的驱动电流下,进行了老化对比实验,采用荧光透明陶瓷封装的白光LED器件的光衰明显小于采用硅胶和荧光粉封装的白光LED器件的光衰。 展开更多
关键词 铝酸镁 荧光透明陶瓷 封装
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SiO_2-YAG:Ce^(3+)玻璃荧光体的制备及其白光LED的封装 被引量:5
18
作者 朱学绘 范广涵 +3 位作者 何安和 陈献文 何苗 章勇 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2010年第1期62-66,共5页
采用溶胶-凝胶工艺,以正硅酸乙酯(TEOS)和乙烯基三乙氧基硅烷(VTES)为硅源,以VTES中的乙烯基(CHCH2)为有机改性剂,反应过程中掺入YAG:Ce3+荧光粉,制备出有机改性的SiO2-YAG:Ce3+玻璃荧光体.用X射线衍射仪、光致发光激发谱、光致发光谱... 采用溶胶-凝胶工艺,以正硅酸乙酯(TEOS)和乙烯基三乙氧基硅烷(VTES)为硅源,以VTES中的乙烯基(CHCH2)为有机改性剂,反应过程中掺入YAG:Ce3+荧光粉,制备出有机改性的SiO2-YAG:Ce3+玻璃荧光体.用X射线衍射仪、光致发光激发谱、光致发光谱和傅里叶红外光谱等测试手段对这种玻璃荧光体进行表征.结果表明:玻璃荧光体主相为Y3Al5O12,该荧光体可以很好地被460nm蓝光激发,发射出550nm的黄光.该玻璃荧光体封装蓝光芯片所得的白光LED器件具有良好的显色性、光通量、流明效率和光强分布.研究结果表明,SiO2-YAG:Ce3+玻璃荧光体是一种潜在的白光LED封装用荧光材料. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 白光LED 荧光体 封装
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PC/YAG∶Ce荧光树脂的制备及光谱分析 被引量:4
19
作者 肖瑶 范广涵 +6 位作者 皮辉 许毅钦 郑树文 陈志武 贺龙飞 张力 张涛 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1419-1423,共5页
采用熔融共混法和高温压模法制备出PC/YAG∶Ce荧光树脂片,样品经减薄和抛光处理后,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)、透射光谱等测试手段进行分析。厚度为0.87 mm的样品在500~800 nm范围内的透过率约为65%。... 采用熔融共混法和高温压模法制备出PC/YAG∶Ce荧光树脂片,样品经减薄和抛光处理后,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)、透射光谱等测试手段进行分析。厚度为0.87 mm的样品在500~800 nm范围内的透过率约为65%。样品主相为Y3Al5O12,在342 nm和448 nm有两个激发峰。样品的发射光谱在532 nm有一宽峰,属于Ce3+的5d→4f特征跃迁发射。荧光树脂片中荧光粉含量越高,样品发射强度越大,是一种适合用于白光LED封装的新型荧光材料。 展开更多
关键词 白光LED 荧光树脂 YAG∶Ce 聚碳酸酯
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具有三角形InGaN/GaN多量子阱的高内量子效率的蓝光LED(英文) 被引量:5
20
作者 赵芳 张运炎 +2 位作者 宋晶晶 丁彬彬 范广涵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期66-72,共7页
对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究。分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论分析。对具有不同量子阱数量的InGaN/GaN LED进行了理论数值比对研究。研究结果表明,对于传统结构的LED而... 对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究。分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论分析。对具有不同量子阱数量的InGaN/GaN LED进行了理论数值比对研究。研究结果表明,对于传统结构的LED而言,2个量子阱的结构相对于5个和7个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的LED,研究结果显示,三角形多量子阱结构具有较高的电致发光强度、更高的内量子效率和更好的发光效率,所有的优点都归因于较高的电子-空穴波函数重叠率和低的Stark效应所产生的较高的载流子输入效率和复合发光效率。 展开更多
关键词 发光二极管 三角形量子阱 数值模拟
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