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ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究 被引量:5
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作者 范希武 于广友 +2 位作者 张吉英 杨宝均 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期293-298,共6页
用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在ADQW结构中发现了一... 用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在ADQW结构中发现了一个内建电场 ,它将影响激子隧穿 ;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象 ; 展开更多
关键词 ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 激子隧穿 受激发射
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以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性 被引量:2
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作者 范希武 单崇新 +4 位作者 羊亿 张吉英 申德振 吕有明 刘益春 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期9-14,i001-i002,共8页
用低压金属有机化学气相外延(LP MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效... 用低压金属有机化学气相外延(LP MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效应和应变弛豫效应的联合作用。依据理论计算外延层临界厚度值的指导,用LP MOCVD技术在GaAs衬底上生长了ZnCdSe量子点,详细观测了ZnCdSe量子点的形成和演变,这些过程可用Ostwald熟化过程和形成过程的联合作用来解释。用LP MOCVD技术,以Volmer Weber(V W)模式,在GaAs衬底上生长了ZnSeS量子点,随着生长时间的增加,量子点尺寸增大,而量子点密度减少,这些现象可用表面自由能来解释。 展开更多
关键词 CDSE量子点 ZnCdSe量子点 ZnSeS量子点 量子点的形成
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宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展 被引量:14
3
作者 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期317-329,共13页
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实现了利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格... 本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实现了利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。 展开更多
关键词 Ⅱ-Ⅵ族半导体 低维结构 光学性质 自由激子发射 激子 薄膜生长
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蓝色发光二极管的进展
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作者 范希武 张吉英 《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第4期7-13,共7页
一引言半导体发光二极管(LED)是一种新颖的固态光源,是目前广泛使用的一种发光器件。它主要用于家用电器,仪器仪表,录像机,计算机及其外围设备等的显示;传真机,印刷机,影印机和局部网络的光源;户外设备指示器,光通信系统。
关键词 发光二极管 发光器件 光通信系统 固态光源 发光强度 激子 空穴浓度 发光效率 电致发光 仪器仪表
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Ⅱ一Ⅳ族宽禁带半导体超晶格的光学特性
5
作者 范希武 申德振 《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第S1期54-62,共9页
现代薄膜生长技术的发展,从技术上允许制备一种新型的人选材料-量子阱和超晶格。这是半导体学科领域中的一场革命,引起了人们极大的兴趣.1969年由美国IBM公司的Esaki和Tsu首先提出了超晶格的概念,并首次利用分子束外延(MBE)方法制备了Al... 现代薄膜生长技术的发展,从技术上允许制备一种新型的人选材料-量子阱和超晶格。这是半导体学科领域中的一场革命,引起了人们极大的兴趣.1969年由美国IBM公司的Esaki和Tsu首先提出了超晶格的概念,并首次利用分子束外延(MBE)方法制备了AlGaAs-GaAs超晶格结构.从此各种类型的半导体超晶格不断出现,但都集中在Ⅲ-Ⅴ族半导体超晶格的生长及光电特性的研究。1982年Osboum提出了应变超晶格的概念, 展开更多
关键词 光学特性 超晶格结构 激子 Ⅲ-Ⅴ族半导体 量子阱 光学非线性 薄膜生长 宽禁带半导体 双稳 非线性光学材料
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徐叙瑢院士与中国发光学会
6
作者 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期5-10,共6页
中国物理学会发光分会(下文简称发光学会)是中国物理学会下属的分科学会,是中国共产党领导下的发光学科技工作者学术性群众团体。本文通过发光学会的创建、活动和影响来介绍徐叙瑢等老一代发光学家对发展我国发光事业的作用和地位。1发... 中国物理学会发光分会(下文简称发光学会)是中国物理学会下属的分科学会,是中国共产党领导下的发光学科技工作者学术性群众团体。本文通过发光学会的创建、活动和影响来介绍徐叙瑢等老一代发光学家对发展我国发光事业的作用和地位。1发光学会的创建1976年,历时十年给中国人民带来深重灾难的“文化大革命”终于结束了,徐叙瑢等人重新回到发光学研究队伍,并走上了领导岗位。 展开更多
关键词 科技工作者 中国物理学会 发光学 群众团体 作用和地位 院士 领导岗位 学术性
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中国物理学会发光分会第9届委员会(2004~2007)工作报告
7
作者 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期990-995,共6页
关键词 中国物理学会发光分会 委员会 期望
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氧化锌可见区发光机制 被引量:37
8
作者 刘益春 张喜田 +4 位作者 张吉英 吕有明 孔祥贵 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期563-569,共7页
探究与缺陷相关的氧化锌可见区发光机制对获得高效激子发光和实现紫外激光有重要的意义,也是该领域研究的基本问题之一。本文用X射线衍射、X射线光电子能谱、电子顺磁共振和光致发光谱研究了ZnO∶Mn纳米薄膜的结构和发光性质,证明了氧... 探究与缺陷相关的氧化锌可见区发光机制对获得高效激子发光和实现紫外激光有重要的意义,也是该领域研究的基本问题之一。本文用X射线衍射、X射线光电子能谱、电子顺磁共振和光致发光谱研究了ZnO∶Mn纳米薄膜的结构和发光性质,证明了氧空位或缺陷分布于纳米晶表面,提出了可见发光中心是Vo 和[Vo ,electron]或[Vo ,twoelectrons]复合体的发光模型。 展开更多
关键词 氧化锌可见区 发光机制 纳米氧化锌薄膜 光致发光 界面 表面钝化
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白光发光二极管的制备技术及主要特性 被引量:26
9
作者 蒋大鹏 赵成久 +6 位作者 侯凤勤 刘学彦 范翊 张立功 褚明辉 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期385-389,共5页
利用发射波长为470nm的蓝光发光二极管作为基础光源,通过荧光粉转换方法制备白光发光二极管,荧光粉主要采用稀土激活的铝酸盐Y3Al5O12∶Ce3+(YAG)。在工作电流为15mA条件下,所研制的白光LED的法向光强为2890mcd;色坐标为x=0 29,y=0 33;... 利用发射波长为470nm的蓝光发光二极管作为基础光源,通过荧光粉转换方法制备白光发光二极管,荧光粉主要采用稀土激活的铝酸盐Y3Al5O12∶Ce3+(YAG)。在工作电流为15mA条件下,所研制的白光LED的法向光强为2890mcd;色坐标为x=0 29,y=0 33;显色指数为77;流明效率为14 9lm/W。研究制备了不同色温的白光LED,色温范围从2700~8000K,研究了色温与色坐标之间的对应关系。并且与国外同类产品进行比较,部分指标已经超过了国外同类产品水平。 展开更多
关键词 白光发光二极管 制备技术 荧光粉转换方法 白光LED 特性
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白色发光二极管色坐标和显色指数的一致性 被引量:12
10
作者 蒋大鹏 侯凤勤 +5 位作者 赵成久 刘学彦 尹长安 赵建军 申德振 范希武 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第3期219-220,共2页
The most important background of white LED is "green lighting source".The color coordinate and color index are very important for lighting source.In this paper,the color coordinate and color index of white l... The most important background of white LED is "green lighting source".The color coordinate and color index are very important for lighting source.In this paper,the color coordinate and color index of white light emitting diode are shown.The average value of color coordinate X,Y are 0.31 and 0.33,respectivily;the maximum value are 0.32,0.35;the minimum value are 0.29,0.29.The average value of color index is 80;the maximum is 83;the minimum is 78. 展开更多
关键词 白色发光二极管 一致性 LED 色坐标 显色指数 绿色照明 发光二极管
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利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜 被引量:12
11
作者 梁红伟 吕有明 +4 位作者 申德振 刘益春 李炳辉 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期275-278,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P MBE方法在Si基上生长的ZnO的... 利用等离子体辅助分子束外延(P MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P MBE方法在Si基上生长的ZnO的室温光致发光发光峰的可能原因。 展开更多
关键词 P-MBE ZNO薄膜 氧化锌薄膜 等离子体辅助分子束外延 X射线衍射 光致发光 薄膜生长 硅衬底
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MgxZn_(1-x)O合金制备及MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 被引量:18
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作者 魏志鹏 吴春霞 +7 位作者 吕有明 张振中 姚斌 张吉英 赵东旭 李炳辉 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期831-833,共3页
利用射频等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术在c面的蓝宝石衬底上生长了具有不同Mg含量(0≤x≤0.28)的六方相MgZnO合金薄膜,研究了该系列样品Raman频移的幅度与合金组分的对应关系,为MgZnO合金中Mg含量的确定提供了新的方法。在此基... 利用射频等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术在c面的蓝宝石衬底上生长了具有不同Mg含量(0≤x≤0.28)的六方相MgZnO合金薄膜,研究了该系列样品Raman频移的幅度与合金组分的对应关系,为MgZnO合金中Mg含量的确定提供了新的方法。在此基础上选择具有合适带宽的MgZnO合金作为垒层,制备了MgZnO/ZnO量子阱结构。在较高的光激发密度下,观测到了发光强度随激发密度的超线性增加,并将之归因于激子-激子碰撞引起的超辐射过程。 展开更多
关键词 MgZnO合金 RAMAN光谱 量子阱 超辐射
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退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 被引量:18
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作者 王颖 申德振 +4 位作者 张吉英 刘益春 张振中 吕有明 范希武 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期18-21,共4页
采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜。利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱(PL),研究了不同的退火温度对薄膜结构和发光的影响。研究发现,薄膜经退火后,在发光谱中出现一强的发光... 采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜。利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱(PL),研究了不同的退火温度对薄膜结构和发光的影响。研究发现,薄膜经退火后,在发光谱中出现一强的发光峰。当经过900 ℃退火后,随着与硅悬键有关的发光峰的消失,该强的主发光峰发生了明显的蓝移,并且有所宽化。蓝移现象源于高温退火后,在薄膜中有小尺寸的 Si团簇形成。通过实验结果分析,提出薄膜的发光起因于包埋在氮化硅中的Si团簇。 展开更多
关键词 PECVD 光致发光 Si团簇 悬键
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用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜 被引量:9
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作者 梁红伟 颜建锋 +7 位作者 吕有明 申德振 刘益春 赵东旭 李炳辉 张吉英 范希武 范景田 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期147-150,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0... 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0.20°,证实为ZnO单晶薄膜。室温下吸收谱(ABS)和光致发光(PL)谱显示了较强的激子吸收和发射,且无深能级(DL)发光。电学性能测量表明,生长的ZnO为n型半导体,室温下载流于浓度为7×10^(16) cm^(-3),与体单晶ZnO中的载流子浓度相当。 展开更多
关键词 氧化锌单晶薄膜 薄膜生长 分子束外延 等离子体辅助 蓝宝石衬底 反射式高能衍射仪 光电材料
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n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管 被引量:12
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作者 矫淑杰 吕有明 +6 位作者 申德振 张振中 李炳辉 张吉英 赵东旭 姚斌 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期499-502,共4页
用等离子体辅助分子束外延的方法生长了n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管。I-V测量表明其具有典型的二极管整流特性。电致发光峰位于382 nm,通过与n型ZnO和p型GaN的光致发光谱比较,其发光峰位与线形都与ZnO的自由激子发射一致,表明该... 用等离子体辅助分子束外延的方法生长了n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管。I-V测量表明其具有典型的二极管整流特性。电致发光峰位于382 nm,通过与n型ZnO和p型GaN的光致发光谱比较,其发光峰位与线形都与ZnO的自由激子发射一致,表明该电致发光来自于ZnO的自由激子发射。通过Anderson模型比较了n-ZnO/i-MgO/p-GaN和n-ZnO/p-GaN异质结的能带示意图,证明了由于MgO层的插入抑制了ZnO向GaN层中的电子注入,且有利于空穴向ZnO层注入,从而实现了ZnO层中的电注入发光。 展开更多
关键词 氧化锌 等离体辅助分子束外延 异质结 发光二极管
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Li掺杂ZnO薄膜的导电和发光特性 被引量:9
16
作者 王相虎 姚斌 +7 位作者 申德振 张振中 吕有明 李炳辉 魏志鹏 张吉英 赵东旭 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期945-948,共4页
通过将含有原子数分数为2%锂的Zn-Li合金薄膜和金属锌薄膜在500℃氮气氛中退火2h,然后在700℃氧气氛下退火1h的方法分别制备出ZnO∶Li和ZnO薄膜。Hall效应测量表明,其导电类型分别为p型和n型。通过He-Cd激光器的325nm线激发,测量了样品... 通过将含有原子数分数为2%锂的Zn-Li合金薄膜和金属锌薄膜在500℃氮气氛中退火2h,然后在700℃氧气氛下退火1h的方法分别制备出ZnO∶Li和ZnO薄膜。Hall效应测量表明,其导电类型分别为p型和n型。通过He-Cd激光器的325nm线激发,测量了样品室温和低温(12K)光致发光光谱,并根据ZnO∶Li薄膜的低温发光光谱特征,计算出Li相关受主能级位于价带顶137meV处。 展开更多
关键词 氧化锌 合金 退火 真空镀膜 P型掺杂
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CdS/ZnS包覆结构纳米微粒的微乳液合成及光学特性 被引量:9
17
作者 羊亿 申德振 +3 位作者 于广友 张吉英 杨宝均 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期251-253,共3页
利用微乳液法合成CdS纳米微粒, 并对其进行表面修饰, 得到具有CdS/ZnS包覆结构的纳米微粒, 以吸收光谱与透射电镜表征其粒度与包覆结构, 得到CdS内核的直径为5nm ,CdS/ZnS包覆结构总粒径为8~10nm ,... 利用微乳液法合成CdS纳米微粒, 并对其进行表面修饰, 得到具有CdS/ZnS包覆结构的纳米微粒, 以吸收光谱与透射电镜表征其粒度与包覆结构, 得到CdS内核的直径为5nm ,CdS/ZnS包覆结构总粒径为8~10nm , 吸收阈值及发射峰的蓝移起因于量子限域效应. 并观测到ZnS的包覆可减弱CdS纳米微粒的表面态发射、增强带边发射、并使带边发射进一步蓝移. 展开更多
关键词 纳米微粒 包覆结构 微乳液 硫化镉 硫化锌
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N_2掺杂p型ZnO及ZnO同质p-n结LED的制备 被引量:14
18
作者 张振中 魏志鹏 +8 位作者 吕有明 矫淑杰 姚斌 申德振 张吉英 赵东旭 李炳辉 郑著宏 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1026-1028,共3页
采用射频等离子体辅助分子束外延方法,以N2作为掺杂源,以O2作为辅助分解的气体和氧源,通过等离子体光谱的实时监测来控制掺杂源中各组分的含量,制备了P型ZnO薄膜及同质p—n结。I-V曲线显示该p-n结具有整流特性,直流驱动下获得了稳... 采用射频等离子体辅助分子束外延方法,以N2作为掺杂源,以O2作为辅助分解的气体和氧源,通过等离子体光谱的实时监测来控制掺杂源中各组分的含量,制备了P型ZnO薄膜及同质p—n结。I-V曲线显示该p-n结具有整流特性,直流驱动下获得了稳定的室温电致发光,包括位于420nm附近的发光峰和500-700nm的发光带。 展开更多
关键词 氧化锌 发光二极管 N掺杂
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Mn掺杂浓度对ZnO纳米薄膜的结构和光致发光的影响 被引量:8
19
作者 李金华 张吉英 +3 位作者 赵东旭 吕有明 申德振 范希武 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期615-619,共5页
Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料由于具有独特的特性而受到人们广泛的关注。ZnO的激子束缚能高达60meV,具有优良的光学性质。因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来。文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了不... Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料由于具有独特的特性而受到人们广泛的关注。ZnO的激子束缚能高达60meV,具有优良的光学性质。因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来。文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了不同Mn含量对材料结构和光致发光的影响。XRD结果表明,所有的样品均具有六角纤锌矿结构,并且随着引入Mn含量的增加,样品的晶格常数增大。光致发光结果显示,随Mn含量的增加,样品的紫外发光峰先红移后蓝移。光致发光谱也显示,适量的Mn掺杂可以钝化样品的可见区发射,提高样品的光学质量。 展开更多
关键词 光致发光 ZNO MN含量 Mn掺杂结构
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背入射Au/ZnO/Al结构肖特基紫外探测器 被引量:13
20
作者 赵延民 张吉英 +7 位作者 张希艳 单崇新 姚斌 赵东旭 张振中 李炳辉 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期527-530,共4页
设计制作了一种Au/ZnO/Al结构的紫外探测器,光的入射方式采用背入射式。ZnO薄膜是用磁控溅射在蓝宝石衬底上制备的。I-V测试表明:Au与ZnO形成了肖特基接触。得到探测器的光响应峰值在352nm,截止边为382nm,可见抑制比达一个量级。由于... 设计制作了一种Au/ZnO/Al结构的紫外探测器,光的入射方式采用背入射式。ZnO薄膜是用磁控溅射在蓝宝石衬底上制备的。I-V测试表明:Au与ZnO形成了肖特基接触。得到探测器的光响应峰值在352nm,截止边为382nm,可见抑制比达一个量级。由于该探测器是一种垂直结构器件,对于进一步实现ZnO紫外探测器阵列及单光子探测有很好的研究价值。 展开更多
关键词 紫外探测器 背入射 Au/ZnO/Al垂直结构
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