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一种基于LDMOS器件的小型化P波段功率放大模块被引量：1: 1; 作者苑小林林川 +2 位作者吴鹏王建浩王云燕《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期432-435,共4页; 设计了一种基于LDMOS器件的功率放大模块。该模块采用高增益的SiGe HBT单片、高压LDMOS单片和大功率LDMOS器件的多级级联形式,实现长脉宽(15ms)、高占空比(33%)、高增益(48dB)以及大功率(200W)的设计要求;同时,该模块采用独特的两腔体... 展开更多; 关键词横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件小型化 P波段功率放大模块长脉宽高增益大功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种基于Lange耦合器的S波段小型化集成功放被引量：2: 2; 作者林川杨斌 +1 位作者苑小林高群《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期565-568,共4页; 设计了一种全部采用国产芯片研制的小型化集成功放模块。该模块采用一种全新的结构模式,通过Lange耦合器将GaAs MMIC单片、单电源GaAs功率芯片和硅功率芯片混合集成,使得其体积比同等性能的功率放大器减小。测试结果表明,在工作电压36V... 展开更多; 关键词小型化 LANGE耦合器功放集成; 在线阅读下载PDF 职称材料

S波段小型化高增益集成功放设计被引量：1: 3; 作者林川杨斌 +2 位作者徐全胜苑小林高群《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期141-143,182,共4页; 介绍了一种S波段小型化集成功放模块的设计方法。该模块采用GaAs和硅功率芯片,通过内匹配混合集成电路技术,将两级芯片集成到金属密封管壳中。实测结果表明,在脉宽200μs,占空比10%的测试条件下,3.1～3.4GHz全带内功率放大器输出功率能... 展开更多; 关键词小型化高增益混合集成电路功率放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料