期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
论指示交付中的让与通知
被引量：
1
1
作者
苏雪冰
《赤峰学院学报（哲学社会科学版）》
2017年第4期71-74,共4页
《物权法》对指示交付作了相关规定,但并未明确阐明指示交付的成立要件,由此引发种种学术纷争。在指示交付的构成要件中,让与通知承担何种角色?对于指示交付的完成起到何种作用?让与通知在指示交付中发生了什么法律效力?这些问题在学界...
《物权法》对指示交付作了相关规定,但并未明确阐明指示交付的成立要件,由此引发种种学术纷争。在指示交付的构成要件中,让与通知承担何种角色?对于指示交付的完成起到何种作用?让与通知在指示交付中发生了什么法律效力?这些问题在学界都产生一定分歧。作为观念交付的方式中的一种,指示交付对财产的流通性起到了良好的促进作用,加速了财产交易,随着指示交付应用面的不断拓展,其地位会不断提升。因此,厘清指示交付的一系列问题对制度的适用有所裨益。
展开更多
关键词
指示交付
债权请求权
让与通知
在线阅读
下载PDF
职称材料
保护环对双向可控硅静电防护器件电容特性的影响
被引量：
1
2
作者
杨帅康
汪洋
+2 位作者
苏雪冰
张玉叶
杨红娇
《电子产品世界》
2022年第6期74-78,共5页
本文研究了P型保护环对双向可控硅(DDSCR)静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR)和带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR)...
本文研究了P型保护环对双向可控硅(DDSCR)静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR)和带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR)和带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR_GR)器件。利用B1505A功率器件分析仪测试并讨论了器件的电容特性,同时利用传输线脉冲(TLP)测试仪分析了它们的静电性能。结果表明,保护环的增加对器件静电防护能力无较大影响,但在1MHz的频率下,LVDDSCR_GR的寄生电容由LVDDSCR的1135fF增加到1463fF,HVDDSCR_GR的寄生电容由HVDDSCR的810fF增加到1740fF,其根本原因是由于保护环引入了N型隔离环与P型外延层之间的寄生电容。
展开更多
关键词
双向可控硅
保护环
寄生电容
传输线脉冲测试系统
在线阅读
下载PDF
职称材料
双向可控硅静电防护器件中p型井对静电性能影响的研究
3
作者
张玉叶
汪洋
+2 位作者
杨帅康
苏雪冰
杨红姣
《中国集成电路》
2023年第4期36-39,72,共5页
基于0.18μm Bipolar CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究讨论了双向可控硅静电防护器件中p型井(PW)位置对器件维持电压以及鲁棒性的静电性能影响,可用于高压静电放电(ESD)保护。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了PW的...
基于0.18μm Bipolar CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究讨论了双向可控硅静电防护器件中p型井(PW)位置对器件维持电压以及鲁棒性的静电性能影响,可用于高压静电放电(ESD)保护。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了PW的尺寸在高压工艺下对双向对称可控硅性能的影响。测量结果表明,在不增加器件面积的情况下,通过高压对称DDSCR器件PW层次的左侧边界位置缩进,所得的DDSCR_PW器件的正向维持电压(Vh)虽然从30.15 V降低到15.63 V,反向维持电压从26.15 V降低到16.85 V,但与高压对称DDSCR器件相比,高压对称DDSCR_PW器件具有提升失效电流的优点,其正向失效电流从6.68 A增加到18.22 A,反向失效电流从7.07 A增加到9.92 A,论文阐述了产生此现象的原因。
展开更多
关键词
双向可控硅(DDSCR)
失效电流(It2)
维持电压(Vh)
传输线脉冲测试系统(TLP)
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
论指示交付中的让与通知
被引量：
1
1
作者
苏雪冰
机构
华侨大学
出处
《赤峰学院学报（哲学社会科学版）》
2017年第4期71-74,共4页
基金
2013年度教育部人文社会科学研究规划基金项目"私法与伦理:交融与距离--以私人自治为中心"(13YJA820021)
文摘
《物权法》对指示交付作了相关规定,但并未明确阐明指示交付的成立要件,由此引发种种学术纷争。在指示交付的构成要件中,让与通知承担何种角色?对于指示交付的完成起到何种作用?让与通知在指示交付中发生了什么法律效力?这些问题在学界都产生一定分歧。作为观念交付的方式中的一种,指示交付对财产的流通性起到了良好的促进作用,加速了财产交易,随着指示交付应用面的不断拓展,其地位会不断提升。因此,厘清指示交付的一系列问题对制度的适用有所裨益。
关键词
指示交付
债权请求权
让与通知
Keywords
Indication Delivery
Creditor Claims
Counter Requirements
分类号
D923.3 [政治法律—民商法学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
保护环对双向可控硅静电防护器件电容特性的影响
被引量：
1
2
作者
杨帅康
汪洋
苏雪冰
张玉叶
杨红娇
机构
湘潭大学物理与光电工程学院
湖南省微光电与系统集成实验室
出处
《电子产品世界》
2022年第6期74-78,共5页
基金
湖南省教育厅优秀青年基金项目,项目编号:19B557
湖南省研究生科研创新项目,项目编号:QL20210141。
文摘
本文研究了P型保护环对双向可控硅(DDSCR)静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR)和带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR)和带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR_GR)器件。利用B1505A功率器件分析仪测试并讨论了器件的电容特性,同时利用传输线脉冲(TLP)测试仪分析了它们的静电性能。结果表明,保护环的增加对器件静电防护能力无较大影响,但在1MHz的频率下,LVDDSCR_GR的寄生电容由LVDDSCR的1135fF增加到1463fF,HVDDSCR_GR的寄生电容由HVDDSCR的810fF增加到1740fF,其根本原因是由于保护环引入了N型隔离环与P型外延层之间的寄生电容。
关键词
双向可控硅
保护环
寄生电容
传输线脉冲测试系统
分类号
TN03 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
双向可控硅静电防护器件中p型井对静电性能影响的研究
3
作者
张玉叶
汪洋
杨帅康
苏雪冰
杨红姣
机构
湘潭大学物理与光电工程学院
湖南省微光电与系统集成实验室
出处
《中国集成电路》
2023年第4期36-39,72,共5页
基金
湖南省教育厅优秀青年基金项目资助(No.19B557)
湖南省研究生科研创新项目资助(QL20210141)。
文摘
基于0.18μm Bipolar CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究讨论了双向可控硅静电防护器件中p型井(PW)位置对器件维持电压以及鲁棒性的静电性能影响,可用于高压静电放电(ESD)保护。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了PW的尺寸在高压工艺下对双向对称可控硅性能的影响。测量结果表明,在不增加器件面积的情况下,通过高压对称DDSCR器件PW层次的左侧边界位置缩进,所得的DDSCR_PW器件的正向维持电压(Vh)虽然从30.15 V降低到15.63 V,反向维持电压从26.15 V降低到16.85 V,但与高压对称DDSCR器件相比,高压对称DDSCR_PW器件具有提升失效电流的优点,其正向失效电流从6.68 A增加到18.22 A,反向失效电流从7.07 A增加到9.92 A,论文阐述了产生此现象的原因。
关键词
双向可控硅(DDSCR)
失效电流(It2)
维持电压(Vh)
传输线脉冲测试系统(TLP)
分类号
U463.6 [机械工程—车辆工程]
TM461 [电气工程—电器]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
论指示交付中的让与通知
苏雪冰
《赤峰学院学报（哲学社会科学版）》
2017
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
保护环对双向可控硅静电防护器件电容特性的影响
杨帅康
汪洋
苏雪冰
张玉叶
杨红娇
《电子产品世界》
2022
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
双向可控硅静电防护器件中p型井对静电性能影响的研究
张玉叶
汪洋
杨帅康
苏雪冰
杨红姣
《中国集成电路》
2023
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
