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0.35μm BiCMOS工艺的器件建模
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作者 苏海伟 杨立斌 +2 位作者 唐威 吴龙胜 刘佑宝 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第3期81-85,共5页
针对0.35μm BiCMOS工艺的MOS及Bipolar晶体管器件,分析其结构特征及相应物理效应,选取相应的晶体管器件理论模型,确定了样管测试条件和方法,设计了测试结构及模型验证环振电路,完成用于试验流片及参数提取的测试版芯片的设计,最终利用... 针对0.35μm BiCMOS工艺的MOS及Bipolar晶体管器件,分析其结构特征及相应物理效应,选取相应的晶体管器件理论模型,确定了样管测试条件和方法,设计了测试结构及模型验证环振电路,完成用于试验流片及参数提取的测试版芯片的设计,最终利用测试芯片的测量数据提取模型参数,分别建立高精度的MOS及Bipolar器件SPICE模型. 展开更多
关键词 BICMOS BSIM GP
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不同氮源用于电催化合成氨的研究进展 被引量:4
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作者 赵晓光 王云龙 +3 位作者 尹海波 曲亚坤 苏海伟 房韡 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期1-20,共20页
氨是化肥生产和化学工业的重要原料,也是良好的无碳储能燃料.相比于工业应用上能耗大、转化率低的哈勃博施(Haber-Bosch)法,电催化合成氨的方法能够在温和条件下绿色高效地合成氨.本文综合评述了以氮气、硝酸根和一氧化氮作为不同氮源... 氨是化肥生产和化学工业的重要原料,也是良好的无碳储能燃料.相比于工业应用上能耗大、转化率低的哈勃博施(Haber-Bosch)法,电催化合成氨的方法能够在温和条件下绿色高效地合成氨.本文综合评述了以氮气、硝酸根和一氧化氮作为不同氮源时电催化合成氨的反应机理,并结合不同氮源的特点分析了各自的研究进展与优势,分别讨论了氮气难以溶解在水中被吸附和活化、硝酸盐还原元素价态跨度大难以控制中间体和反应路径及一氧化氮体系复杂、水溶液中析氢副反应难以控制等问题,总结了运用不同策略开发高活性、高稳定性催化剂以提高反应效率和选择性、优化反应装置以减小传质影响、选用不同电解质体系改善反应过程等解决思路.最后,对不同氮源电催化合成氨的未来发展趋势和应用前景进行了展望. 展开更多
关键词 电催化 合成氨 氮气 硝酸根 一氧化氮
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0.35μm SOI CMOS器件建模技术研究 被引量:2
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作者 杨立斌 苏海伟 +2 位作者 唐威 吴龙胜 刘佑宝 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第3期89-92,共4页
介绍了SOI技术的优势和器件建模的意义.针对0.35μm SOI CMOS工艺的开发,设计了用于建模的测试芯片.对于SOI MOSFET中存在的自加热等寄生效应设计了参数提取的流程,并设计了相应的测试方法.在得到所需的测试数据后,采用局部优化方法进... 介绍了SOI技术的优势和器件建模的意义.针对0.35μm SOI CMOS工艺的开发,设计了用于建模的测试芯片.对于SOI MOSFET中存在的自加热等寄生效应设计了参数提取的流程,并设计了相应的测试方法.在得到所需的测试数据后,采用局部优化方法进行参数提取.最后通过模型仿真结果和测试数据的比较证明了建立的0.35μ mSOI CMOS模型有较高的精度. 展开更多
关键词 SOI 建模 BSIMSOI
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一种高功率密度低钳位电压TVS结构 被引量:5
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作者 苏海伟 赵德益 +2 位作者 吕海凤 王允 赵志方 《集成电路应用》 2019年第2期35-37,共3页
手机等电子设备的电池模块VBAT&VBUS端由于工作电压多样和应用环境的电应力强,需要其保护器件TVS提供适应4.5/7/12/15/18/24/26 V电源电压。并且在配合OVP的保护方案时,不仅要求TVS击穿方向具有高功率密度低钳位电压的特点,对正向... 手机等电子设备的电池模块VBAT&VBUS端由于工作电压多样和应用环境的电应力强,需要其保护器件TVS提供适应4.5/7/12/15/18/24/26 V电源电压。并且在配合OVP的保护方案时,不仅要求TVS击穿方向具有高功率密度低钳位电压的特点,对正向导通方向也提出了耐大电流冲击和低钳位电压的要求。分析PN结单向二极管和NPN结双向二极管的静态I-V特性和动态浪涌残压特性,开发了结合两种结构优点的TVS器件,该器件在提供低漏电流的同时可降低击穿电压,其峰值电流IPP大幅度提升,钳位电压VC也下降到被保护器件的安全区内。 展开更多
关键词 瞬态电压抑制 TVS 电池端口保护 高功率密度 低钳位电压
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一种单向负阻TVS产品设计 被引量:1
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作者 苏海伟 《集成电路应用》 2019年第6期1-3,共3页
手机等消费电子充电电路由于充电电流、电压越来越高以及安全性和可靠性的要求,需要使用低钳位电压的浪涌防护TVS产品来满足VBUS端口保护需求。配合OVP组成保护充电IC芯片的方案中,要求TVS产品正向浪涌钳位电压和负向浪涌钳位电压均小于... 手机等消费电子充电电路由于充电电流、电压越来越高以及安全性和可靠性的要求,需要使用低钳位电压的浪涌防护TVS产品来满足VBUS端口保护需求。配合OVP组成保护充电IC芯片的方案中,要求TVS产品正向浪涌钳位电压和负向浪涌钳位电压均小于OVP瞬态耐压极限。分析单向TVS的优缺点和双向TVS保护器件封装小型化过程中出现的问题,最终通过改进背面电极,提出了带负阻特性的单向TVS器件,该结构在具有双向TVS二极管低钳位电压和低击穿电压优点的同时,又具有单向TVS二极管负向浪涌钳位电压低的优点。 展开更多
关键词 瞬态抑制二极管 TVS 钳位电压 负阻
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