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300keV,30mA氘粒子加速器被引量：3: 1; 作者苏桐龄孙别和 +10 位作者杨保太朴禹伯水永清陈克凡王学智杨成牛占岐刘延统潘民生洪忠悌陈勤《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期7-12,共6页; 这是一台低能强流加速器。调试结果:靶上获得能量300keV,流强30mA的连续氘束流;束斑直径小于2cm。通过(d,T)反应中子产额达到3×10^(12)n/s。该器采用双等离子体离子源,双间隙高梯度加速管,由频率为2.5kHz的可控硅中频逆变器供电的... 展开更多; 关键词氘粒子加速器中子发生器; 在线阅读下载PDF 职称材料

300kV,10mA直流高压稳压电源被引量：1: 2; 作者苏桐龄杨保太 +3 位作者刘延统王喜梅牛占岐杨美华《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期40-44,共5页; 一、引言本电源是为一台中子发生器研制的。因为中子发生器只考虑连续束,高压电源只采取慢稳压措施。实验结果表明,该电源性能超过预定指标。性能如下:工作电压300 kV,工作电流10 mA;当市电电压变化不超过10%和负载电流由空载至10 mA改... 展开更多; 关键词稳压电源高压直流中子发生器; 在线阅读下载PDF 职称材料

用蒙特卡罗方法计算快中子屏蔽体的厚度被引量：9: 3; 作者戴宏毅杨化中苏桐龄《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期129-134,共6页; 文中使用蒙特卡罗方法，模拟了３００ｋｅＶ氘束流Ｔ（ｄ，ｎ）４Ｈｅ中子源发出的中子在球壳屏蔽体介质铁中的输运规律；对计算结果进行解释和分析，得出将中子能量从１４ＭｅＶ慢化到１ＭｅＶ以下所需的最佳屏蔽厚度。所得结果与国际... 展开更多; 关键词蒙特卡罗模拟中子源慢化屏蔽体厚度; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种高频大功率正弦波电源的分析与设计被引量：3: 4; 作者李金刚陈尚文 +3 位作者钟彦儒陈建洪姚泽恩苏桐龄《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2003年第3期264-267,共4页; 介绍了一种采用负载并联谐振电路的高频大功率正弦波电源系统和产生正弦波的原理,通过分析电源电路中各参数之间的关系及对电源特性的影响,给出了主回路系统的设计方法,完成了电源系统设计并给出了仿真和实验结果。; 关键词正弦波电源分析设计负载并联谐振电路主回路系统仿真 PRC电源工作原理; 在线阅读下载PDF 职称材料

中子活化分析原理及应用简介被引量：26: 5; 作者李德红苏桐龄《大学物理》北大核心 2005年第6期56-58,共3页; 介绍了中子活化分析的基本原理,详细给出中子活化方程的推导过程,概述其主要特点,通过实例对其应用进行了说明.; 关键词中子活化分析中子核反应含量计算; 在线阅读下载PDF 职称材料

3×10^(12)s^(-1)强中子发生器后分析系统调试结果被引量：1: 6; 作者朴禹伯牛占歧 +1 位作者陈勤苏桐龄《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期90-92,共3页; 一、引言兰州大学强中子发生器于1988年通过部级鉴定,氘离子束达30 mA,中子产额达3×10^(12)s^(-1)。然而,由于它是采用混合离子束,靶寿命只有十几个小时。在聚变堆第一壁材料研究中,要求的累计中子注量超过10^(17)cm^(-2)。因此,... 展开更多; 关键词后分析磁铁中子产额强中子发生器; 在线阅读下载PDF 职称材料

散料γ射线测厚方法的研究被引量：4: 7; 作者杨化中姚泽恩 +3 位作者贾文宝陈尚文苏桐龄张宇《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期21-24,共4页; 散料γ射线厚度测量方法主要研究了宽束和窄束条件下，线减弱系数μ实与实验条件、散料厚度及散料含水量的变化规律，从中寻找计算散料厚度的方法，还研究了积累因子Ｂ与实验条件、散料厚度及含水量的关系。同时对实验测量的μ实与理论... 展开更多; 关键词散料 Γ射线减弱系数厚度仪厚度测量; 在线阅读下载PDF 职称材料

强流离子束传输系统束包络的计算机数值模拟被引量：5: 8; 作者姚泽恩朴禹伯苏桐龄《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期555-560,共6页; 以强流离子束包络方程为基本模型，提出了微元近似数值计算强流离子束包络的方法。编写的计算机模拟设计强流束传输系统的程序包含高压型加速器常用的电元件和磁元件。; 关键词强流离子束包络计算机模拟传输系统; 在线阅读下载PDF 职称材料

使用直接模拟法研究选择快中子屏蔽参数: 9; 作者戴宏毅杨化中 +1 位作者王尚武苏桐龄《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 1997年第5期97-100,共4页; 使用蒙特卡罗直接模拟法模拟了300keV氘束流T（d，n）4He中子源发出的中子在球壳屏蔽体介质铁中的输运规律。分析了不同介质厚度的铁对中子的反射性质和吸收性质，这些解释和分析对快中子球壳屏蔽参数的选取具有重要价值。; 关键词直接模拟法中子源反射比吸收比中子屏蔽; 在线阅读下载PDF 职称材料

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