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GaAs三结太阳电池1MeV中子辐射效应研究: 1; 作者唐光海周银行 +3 位作者李盟刘珉强艾尔肯·阿不都瓦衣提马腾《电源技术》 CAS 北大核心 2024年第9期1846-1852,共7页; 研究了金属有机气相外延(MOCVD)方法制备的晶格匹配(LM)和正向晶格失配(UMM)砷化镓三结太阳电池在1 MeV中子辐照后的电学和光学性能衰退情况。结果表明:在中子辐照下,电池电学性能,包括短路电流(J_(sc))、开路电压(V_(oc))、最大功率(P_... 展开更多; 关键词三结太阳电池晶格匹配正向晶格失配中子辐照性能衰退; 在线阅读下载PDF 职称材料

高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制被引量：2: 2; 作者慎小宝李豫东 +7 位作者玛丽娅·黑尼赵晓凡莫敏·赛来许焱雷琪琪艾尔肯·阿不都瓦衣提郭旗陆书龙《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期1115-1122,共8页; 为研究键合四结太阳电池中In 0.53 Ga 0.47 As子电池在高注量电子辐照下的性能退化规律与机制,对In 0.53 Ga 0.47 As单结太阳电池进行了高注量1 MeV电子辐照试验,并结合等效位移损伤剂量理论和数值拟合方法对电池性能的退化进行了分析... 展开更多; 关键词 InGaAs单结太阳电池高注量电子位移损伤载流子寿命载流子去除效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律被引量：1: 3; 作者雷琪琪郭旗 +7 位作者艾尔肯·阿不都瓦衣提玛丽娅·黑尼李豫东王保顺王涛莫镜辉庄玉陈加伟《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期603-609,共7页; 为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制,对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015,1×1016 e/cm2)1 MeV电子束辐照和辐照后不同温度退火(650,750,850℃)试验,并结合Mulassis仿真和GaAs能带模型图对其分析讨... 展开更多; 关键词稀氮光致发光电子辐照 GAASN 退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

100 keV质子辐照InGaAs单结太阳电池性能退化机理研究被引量：1: 4; 作者玛丽娅·黑尼陈馨芸 +4 位作者雷琪琪艾尔肯·阿不都瓦衣提李豫东郭旗 He Chengfa 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期146-151,共6页; 为研究太阳电池光电参数由低能质子辐照产生的辐射损伤机制,对In_(0.53)Ga_(0.47)As单结太阳电池开展100 keV质子辐照及退火试验研究,分析太阳电池电参数和光谱响应在辐照及退火前后的变化规律,结合SRIM仿真计算结果对辐照引起的位移损... 展开更多; 关键词太阳电池效率质子辐照辐射损伤量子效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs三结太阳电池1MeV中子辐射效应研究: 1; 作者唐光海周银行李盟刘珉强艾尔肯·阿不都瓦衣提马腾; 机构云南师范大学能源与环境科学学院中国工程物理研究院核物理与化学研究所中国电子产品可靠性与环境试验研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室; 出处《电源技术》 CAS 北大核心 2024年第9期1846-1852,共7页; 文摘研究了金属有机气相外延(MOCVD)方法制备的晶格匹配(LM)和正向晶格失配(UMM)砷化镓三结太阳电池在1 MeV中子辐照后的电学和光学性能衰退情况。结果表明:在中子辐照下,电池电学性能,包括短路电流(J_(sc))、开路电压(V_(oc))、最大功率(P_(max))、填充因子(FF)均发生明显衰降,且衰降幅度随注量增加;电池串联电阻Rs随注量增加,并联电阻Rsh随注量减小。在相同注量下,LM和UMM的P_(max)退化情况相近,当中子注量达到6×10^(12)n/cm^(2)时,LM和UMM电池的最大输出功率Pmax分别下降至初始值的72.9%和72.3%。由外量子效率(EQE)光谱退化曲线和子电池积分电流密度可知,两种电池的中电池光电流退化均最明显且为电池的限流子电池。; 关键词三结太阳电池晶格匹配正向晶格失配中子辐照性能衰退; Keywords triple junction solar cells lattice matched upright metamorphic neutron irradiation performance degradation; 分类号 TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制被引量：2: 2; 作者慎小宝李豫东玛丽娅·黑尼赵晓凡莫敏·赛来许焱雷琪琪艾尔肯·阿不都瓦衣提郭旗陆书龙; 机构中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室中国科学院大学新疆大学物理科学与技术学院中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期1115-1122,共8页; 基金国家自然科学基金(61534008,11275262) 中国科学院新疆理化技术研究所所长基金(Y55B171101) 中科院西部之光西部青年学者B类项目(2017-XBQNXZ-B-004)资助~~; 文摘为研究键合四结太阳电池中In 0.53 Ga 0.47 As子电池在高注量电子辐照下的性能退化规律与机制,对In 0.53 Ga 0.47 As单结太阳电池进行了高注量1 MeV电子辐照试验,并结合等效位移损伤剂量理论和数值拟合方法对电池性能的退化进行了分析讨论。结果表明,在1 MeV电子辐照下,非电离能损(NIEL)值在电池活性区内随着电子入射深度的增加不断增大;开路电压V oc、短路电流I sc等重要I-V特性参数随着辐照注量的增加均发生了不同程度的退化,注量达到6×10 16 e/cm 2时,电池光电转化效率为零,电池失效。光谱响应方面,注量小于4×10 16 e/cm 2时,长波区域退化程度明显比短波区域严重;注量大于4×10 16 e/cm 2时,长波区域退化程度与短波区域基本相同。辐照位移损伤引起的光生少数载流子扩散长度减小和载流子去除效应是导致电池性能退化的主要原因。; 关键词 InGaAs单结太阳电池高注量电子位移损伤载流子寿命载流子去除效应; Keywords InGaAs single junction solar cell high fluence electron displacement damage carrier lifetime carrier removal effect; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学] O475 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律被引量：1: 3; 作者雷琪琪郭旗艾尔肯·阿不都瓦衣提玛丽娅·黑尼李豫东王保顺王涛莫镜辉庄玉陈加伟; 机构中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院大学云南师范大学能源与环境科学学院新疆大学物理科学与技术学院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期603-609,共7页; 基金国家自然科学基金(61534008) 中国科学院新疆理化技术研究所所长基金(Y55B171101) +1 种基金电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金(ZHD201705)资助。; 文摘为研究GaAsN/GaAs量子阱在电子束辐照下的退化规律与机制,对GaAsN/GaAs量子阱进行了不同注量(1×1015,1×1016 e/cm2)1 MeV电子束辐照和辐照后不同温度退火(650,750,850℃)试验,并结合Mulassis仿真和GaAs能带模型图对其分析讨论。结果表明,随着电子注量的增加,GaAsN/GaAs量子阱光学性能急剧降低,注量为1×1015 e/cm2和1×1016 e/cm2的电子束辐照后,GaAsN/GaAs量子阱PL强度分别衰减为初始值的85%和29%。GaAsN/GaAs量子阱电子辐照后650℃退火5 min,样品PL强度恢复到初始值,材料带隙没有发生变化。GaAsN/GaAs量子阱辐照后750℃和850℃各退火5 min后,样品PL强度随退火温度的升高不断减小,同时N原子外扩散使得样品带隙发生约4 nm蓝移。退火温度升高没有造成带隙更大的蓝移,这是由于进一步的温度升高产生了新的N—As间隙缺陷,抑制了N原子外扩散,同时导致GaAsN/GaAs量子阱光学性能退化。; 关键词稀氮光致发光电子辐照 GAASN 退火; Keywords dilute nitride photoluminescence electron irradiation GaAsN annealed; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] O475 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名100 keV质子辐照InGaAs单结太阳电池性能退化机理研究被引量：1: 4; 作者玛丽娅·黑尼陈馨芸雷琪琪艾尔肯·阿不都瓦衣提李豫东郭旗 He Chengfa; 机构新疆电子信息材料与器件重点实验室云南师范大学能源与环境科学学院; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期146-151,共6页; 基金新疆电子信息材料与器件重点实验室资助项目(2021D04012) 国家自然科学基金(61534008)。; 文摘为研究太阳电池光电参数由低能质子辐照产生的辐射损伤机制,对In_(0.53)Ga_(0.47)As单结太阳电池开展100 keV质子辐照及退火试验研究,分析太阳电池电参数和光谱响应在辐照及退火前后的变化规律,结合SRIM仿真计算结果对辐照引起的位移损伤进行讨论。结果表明,当质子辐照累积注量为5×10^(12)p/cm^(2)时,In_(0.53)Ga_(0.47)As单结太阳电池的短路电流、开路电压和最大输出功率分别衰减到其初始值的88.8%、88.3%、72.3%;太阳电池光谱响应在短波区的衰减比长波区更严重。SRIM仿真结果表明,上述结果是由于100 keV的质子能量沉积在In_(0.53)Ga_(0.47)As单结太阳电池发射区和基区顶部而产生位移损伤缺陷导致的。对辐照后的太阳电池样品进行150℃退火处理,太阳电池电学参数因辐射感生缺陷的湮灭而产生了不同程度的恢复。; 关键词太阳电池效率质子辐照辐射损伤量子效率; Keywords solar cells proton irradiation radiation damage quantum efficiency; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaAs三结太阳电池1MeV中子辐射效应研究	唐光海周银行李盟刘珉强艾尔肯·阿不都瓦衣提马腾	《电源技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制	慎小宝李豫东玛丽娅·黑尼赵晓凡莫敏·赛来许焱雷琪琪艾尔肯·阿不都瓦衣提郭旗陆书龙	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律	雷琪琪郭旗艾尔肯·阿不都瓦衣提玛丽娅·黑尼李豫东王保顺王涛莫镜辉庄玉陈加伟	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	100 keV质子辐照InGaAs单结太阳电池性能退化机理研究	玛丽娅·黑尼陈馨芸雷琪琪艾尔肯·阿不都瓦衣提李豫东郭旗 He Chengfa	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料