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TOPCon太阳电池复合钝化层参数对抗紫外能力的影响
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作者 张继禄 李家栋 +4 位作者 舒华富 刘江 吴燕 李灵芝 鲁章波 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期1013-1019,共7页
针对隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池在紫外(UV)辐照下的性能衰减问题,提出了电池钝化层改进工艺。分析了不同AlO_(x)层厚度(3~6 nm)和SiN_(x)层折射率(2.0~2.3)下TOPCon太阳电池的抗紫外诱导衰减(UVID)能力,并揭示了其在紫外辐照... 针对隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池在紫外(UV)辐照下的性能衰减问题,提出了电池钝化层改进工艺。分析了不同AlO_(x)层厚度(3~6 nm)和SiN_(x)层折射率(2.0~2.3)下TOPCon太阳电池的抗紫外诱导衰减(UVID)能力,并揭示了其在紫外辐照下的电性能衰减机制,即Si—H键断裂直接导致开路电压衰减。适度增厚AlO_(x)层可高效吸收紫外光子,但AlO_(x)层过厚(≥6 nm)会因载流子隧穿阻力增大而降低电池性能;通过调整SiN_(x)层折射率,可优化电池表面的光学反射平衡,提高氢含量,增强电池钝化效果。通过Minitab软件进行相关性分析,验证了AlO_(x)厚度与SiN_(x)折射率对UVID抑制的关键作用。实验结果表明,AlO_(x)层厚度为5 nm、SiN_(x)层折射率为2.2时,效率衰减量最低,仅为0.78%。本文为TOPCon太阳电池抗UVID特性的提升提供了理论依据与工艺指导。 展开更多
关键词 隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池 AlO_(x) SiN_(x) 紫外诱导衰减(UVID) 电性能衰减
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