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新型NBL改善LDMOS器件的ESD性能
1
作者
刘玉青
邓文基
胡术云
《电子产品可靠性与环境试验》
2008年第3期9-12,共4页
介绍了几种常见的N型埋藏层(NBL)静电放电(ESD)器件,阐述了NBL对ESD的影响,提出了新结构的NBL器件(Under-source NBL)。比较Under-source NBL器件和其它常用器件的优缺点,对比了它和传统器件的ESD测试数据;结果表明,Under-source NBL器...
介绍了几种常见的N型埋藏层(NBL)静电放电(ESD)器件,阐述了NBL对ESD的影响,提出了新结构的NBL器件(Under-source NBL)。比较Under-source NBL器件和其它常用器件的优缺点,对比了它和传统器件的ESD测试数据;结果表明,Under-source NBL器件在横向扩散MOS(LDMOS)ESD保护电路中有着非常好的效果,可以在功能相当的情况下,大大节省器件的面积。
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关键词
互补型金属氧化物晶体管
埋藏层
静电放电
横向扩散
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职称材料
题名
新型NBL改善LDMOS器件的ESD性能
1
作者
刘玉青
邓文基
胡术云
机构
华南理工大学电子与信息学院
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2008年第3期9-12,共4页
文摘
介绍了几种常见的N型埋藏层(NBL)静电放电(ESD)器件,阐述了NBL对ESD的影响,提出了新结构的NBL器件(Under-source NBL)。比较Under-source NBL器件和其它常用器件的优缺点,对比了它和传统器件的ESD测试数据;结果表明,Under-source NBL器件在横向扩散MOS(LDMOS)ESD保护电路中有着非常好的效果,可以在功能相当的情况下,大大节省器件的面积。
关键词
互补型金属氧化物晶体管
埋藏层
静电放电
横向扩散
Keywords
CMOS
buried layer
ESD
lateral double-diffuse
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
新型NBL改善LDMOS器件的ESD性能
刘玉青
邓文基
胡术云
《电子产品可靠性与环境试验》
2008
0
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